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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PC957L0NSZ0F | - |  | 5692 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | OPIC™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 425-2212-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 20 V | 1,7 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 400ns | - | ||||||||||||||||
 | VOD207T-LB | - | | 5674 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | VOD207T | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | - | 751-VOD207T-LBTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 4μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 4000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 5μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | HCPL-2730-320E | 1.6907 | | 5984 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-2730 | DC | 2 | Darlington | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 7V | 1,4 V | 12 mA | 5000 Vrm | 300% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 5μs, 10μs | 100mV | |||||||||||||||
 | PS2701-1-LA | 1.0100 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Striscia | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | FODM3051R3V | - | | 8562 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 15 mA | - | ||||||||||||||||
| LTV-827S-TA1 | 0,5400 | | 17 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-8x7 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~110°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | LTV-827 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| PS2501L-4-E3-A | - | | 9463 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | DC | 4 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP531(GR-LF1,F) | - | | 7867 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(GR-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6106-3096 | - | | 3117 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | SFH6106 | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | - | REACH Inalterato | 751-SFH6106-3096 | OBSOLETO | 1 | 50mA | 3μs, 14μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | ||||||||||||||||||
| ACPL-827-500E | 1.0300 | | 3 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ACPL-827 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| ILD5-X001 | 0,8342 | | 8059 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ILD5 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,6 µs, 2,2 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 10 mA | 400% a 10 mA | 1,1 µs, 2,5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | ACPL-W480-060E | 1.8206 | | 2863 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | ACPL-W480 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SO allungato | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 mA | - | 16ns, 20ns | 1,7 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
| SFH6139-X017T | - | | 3184 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6139 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 20 mA | 5300 Vrm | 400% a 1,6 mA | - | 600ns, 1μs | - | |||||||||||||||
 | PS2561A-1-HVA | - | | 2137 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||
| TLP759(D4TEIGF2J,F | - | | 2055 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(D4TEIGF2JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | RF-817C-C | 0,3200 | | 3201 | 0.00000000 | Rimborsare | - | Tubo | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 4784-RF-817C-C | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP591B(C,F) | 3.2100 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | TLP591 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-DIP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 24μA | - | 7V | 1,4 V | 50 mA | 2500 Vrm | - | - | 200 µs, 3 ms | - | ||||||||||||||||
 | FOD4218S | 2.7433 | | 7308 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | FOD4218 | cUL, FIMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,28 V | 30 mA | 5000 Vrm | 800 V | 500 µA | NO | 10 kV/μs | 1,3 mA | 60 µs | ||||||||||||||||
 | CNY17F-4X | 0,5700 | | 1 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP2312(TPL,E | 1.7100 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2312 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2312(TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | 5Mbps | 2,2 n., 1,6 n | 1,53 V | 8mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | 4N32-X001 | - | | 6298 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N32 | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 100mA | - | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V (suggerimento) | |||||||||||||||
 | FOD617BSD | - | | 5521 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | PS2911-1-VL-AX | - | | 6957 | 0.00000000 | CEL | - | Massa | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, conduttori piatti | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40mA | 5μs, 10μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 150% a 1 mA | 300% a 1 mA | 40 µs, 120 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | QTT0223ST1 | 3.0200 | | 8972 | 0.00000000 | QT Brightek (QTB) | QTX223 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD (7 conduttori), Ala di gabbiano | QTT0223 | UL, VDE | 1 | Triac, Potenza | 7-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 300 mA | 25 mA | NO | 200 V/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
 | TLP701H(TP,F) | 0,5373 | | 4868 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SDIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP701H(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 600 mA | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 700ns, 700ns | |||||||||||||||
 | PS9309L-V-AX | 8.4700 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Striscia | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | PS9309 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | - | 24ns, 3,2ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||
| EL816(S)(D)(TD)-V | - | | 3415 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| TLP628M(GB-LF1,E | 0,9200 | | 5464 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 10μs, 10μs | 400mV | |||||||||||||||||
| PC81716NSZ0F | - | | 4480 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 5000 Vrm | 160% a 500μA | 500% a 500μA | - | 200mV | |||||||||||||||||
| ACPL-W70L-060E | 1.8206 | | 3257 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | ACPL-W70 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SSO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 mA | 15 MBd | 3,5 n., 3,5 n | 1,5 V | 10mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 55ns, 55ns |
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