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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EL3051M | - |  | 6751 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL3051 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903510001 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,18 V | 60 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 250 µA (sugger.) | NO | 1kV/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||
 | PS2806-1-F3-A | 1.8500 | | 4539 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2806 | CA, CC | 1 | Darlington | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 90 mA | 200 µs, 200 µs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 200% a 1 mA | - | - | 1 V | |||||||||||||||
 | TCMT1101 | 0,6200 | | 5 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | TCMT1101 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5,5 µs, 7 µs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 3750 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 9,5 µs, 8,5 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP716F(F) | - | | 7837 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP716F(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 15 MBd | 15ns, 15ns | 1,65 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
| PC410SSNIP0F | - | | 1316 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | * | Massa | Obsoleto | PC410 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP315A | - | | 4987 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2955(D4-TP1,F) | - | | 6345 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP2955(D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 1,55 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||
| PS2811-1-VLA | - | | 7723 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2811 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1522 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 150% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | HCPL-253L-520 | - | | 1758 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Transistor | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 7V | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | ||||||||||||||||
 | 6N136M | 1.0000 | | 9793 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6N136 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 350ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||
 | MOC3021M | 0,2700 | | 200 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC302 | CQC, CSA, TUV, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.105 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 400 V | 250 µA (sugger.) | NO | 1kV/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||||
 | PS2565L1-1Y-VA | 1.4800 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | PS2565 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-PS2565L1-1Y-VA | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
| 4N323S | - | | 4299 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N32 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N323S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 5300 Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V | |||||||||||||||
| HCPL-263A-300E | 3.1883 | | 8641 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-263 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 10 MBd | 42ns, 12ns | 1,3 V | 10mA | 3750 Vrm | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| 4N36 | 0,3426 | | 4776 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 10μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||||||
| EL816(S)(Y)(TD) | - | | 5264 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| PS2703-1-VA | 0,9305 | | 5118 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Striscia | Design non per nuovi | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2703 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 30mA | 10μs, 10μs | 120 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | PS9587-AX | - | | 1512 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | PS9587AX | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1,65 V | 30mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| HCPL-2530#520 | - | | 4349 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 1,3μs | - | ||||||||||||||||
| ILQ615-2X017 | - | | 9330 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ILQ615 | DC | 4 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | - | ||||||||||||||||
| EL3H7(H)(EB)-G | - | | 6249 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| TLP532(GR-LF2,F) | - | | 1206 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP532(GR-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-TELS,F) | - | | 1749 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4-TELSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | VO207AT | 0,6900 | | 3 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | VO207 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 2μs | 70 V | 1,3 V | 60 mA | 4000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| EL1113-G | - | | 7819 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori | EL1113 | DC | 1 | Transistor con base | 5-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | EL816(M)(X) | - | | 2183 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | TLP385(GRH-TPR,E | 0,5400 | | 5721 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | 4N28 | 0,1155 | | 7036 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | 4N2X | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N28 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 4N28LT | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 100mA | 3μs, 3μs | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 500 Vrm | 10% a 10 mA | - | - | 500mV | |||||||||||||||
 | VOM618A-X001T | 0,5700 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOM618 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5μs, 4μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 3750 Vrm | 50% a 1 mA | 600% a 1 mA | 7μs, 6μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | PC354N | - | | 8252 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 20% a 1 mA | 400% a 1 mA | - | 200mV |
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