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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora | Grado | Qualificazione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ACPL-M72T-560E | 2.0450 |  | 9891 | 0.00000000 | Broadcom limitata | R²Coupler™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | ACPL-M72 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 10ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 4000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 100ns, 100ns | Automobilistico | AEC-Q100 | ||||||||||||||||
 | EL3031S1(TA) | - | | 4357 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3031 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903310006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||
 | MOC3061SR2VM | - | | 1373 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||||||
 | H11AV1SR2VM | 0,4100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 723 | - | - | 70 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | 300% a 10 mA | 15μs, 15μs (massimo) | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | CNY17F1300W | - | | 6556 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNY17F1300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||
 | BRT12-F | - | | 2188 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | BRT12 | CQC, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,1 V | 20 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300mA | 500 µA | NO | 10 kV/μs | 1,2 mA | - | ||||||||||||||||||
 | 4N55#200 | 97.8152 | | 5677 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N55 | DC | 2 | Transistor con base | 16-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 18 V | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 9% a 16 mA | - | 400ns, 1μs | - | |||||||||||||||||
| TLP781F(D4-GRL,F,L | - | | 7417 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-GRLFW | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
| TLP531(HIT-BL-T1,F | - | | 3100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(HIT-BL-T1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SD11YXPCH | - | | 3022 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (5 conduttori), Ala di gabbiano | PC4SD11 | CSA, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 3,5mA | NO | 50 V/μs | 5mA | 100μs (massimo) | ||||||||||||||||||
| TLP161J(V4T5TRUC,F | - | | 7918 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP161J(V4T5TRUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H11A817AS | 1.0000 | | 2268 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||||
 | CNY17F-3M | 0,4552 | | 5476 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||||
 | TLX9905(TPL,F | 4.0500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLX9905 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | - | 7V | 1,65 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 300 µs, 1 ms | - | Automobilistico | AEC-Q101 | |||||||||||||||||
 | H11G1TVM | - | | 8305 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 100 V | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 1000% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs | 1 V | |||||||||||||||||||||
| H11D1M | - | | 3923 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 100mA | 5μs, 5μs | 300 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||||||||
| IL350T | - | | 7601 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 8-SOP (0,220", larghezza 5,60 mm) | IL350 | DC | 1 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 350 µs, - | - | 1,8 V | 30 mA | 3000 Vrm | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| TLP360JF(D4-CANO) | - | | 8119 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4-DIP | scaricamento | 264-TLP360JF(D4-CANO) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 1mA | NO | 500 V/μs (tip.) | 10mA | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | FOD817C | - | | 9053 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||||||
| 6N135V | 0,7900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 381 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||||
| 4N35(CORTO-LF1,F) | - | | 6362 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | 4N35 | - | 1 (illimitato) | 264-4N35(CORTO-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5702H(E | 1.7100 | | 9055 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5702H(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,65 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 50 kV/μs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||
| OPI1290-018 | - | | 3038 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Massa | Obsoleto | -20°C~75°C | Foro passante | Non standard, 5 derivazioni | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~16 V | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | - | 25ns, 25ns | 2,3 V (massimo) | - | - | 1/0 | - | 5μs, 5μs (tipico) | |||||||||||||||||||
 | HCPL-0531#500 | 3.1809 | | 6994 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-0531 | DC | 2 | Transistor | 8-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 516-1046-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | ||||||||||||||||
| TLP626(MAT-LF2,F) | - | | 9349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP626 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 264-TLP626(MAT-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | HCPL-268K#200 | 579.8714 | | 1011 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-268 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 16-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 35ns, 35ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||||
| LTV-214-BG | 0,1479 | | 6863 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-2X4 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | LTV-21 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SSOP | - | Conformità ROHS3 | 160-LTV-214-B-GTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 1 mA | 400% a 1 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||||
 | FODM3022R3 | 0,4800 | | 1488 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 475 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 400 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 10mA | - | |||||||||||||||||||
| 8302401ZA | 102.3474 | | 9553 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, giunto di testa, taglio a squadra | 8302401 | DC | 4 | Darlington | Taglio a squadra 16-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 8μs | 110mV | |||||||||||||||||
 | MOC211R1VM | - | | 7439 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV |
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