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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOC8050TVM | 0,6800 | ![]() | 2195 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC8050 | DC | 1 | Darlington | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2832-MOC8050TVM | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | - | 80 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 500% a 10 mA | - | 8,5 µs, 95 µs | - | |||||||||||||||
![]() | SFH618A-4 | 1.1200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH618 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3,5 µs, 5 µs | 55 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 1 mA | 320% a 1 mA | 6μs, 5,5μs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | LTV356TB-V | 0,0951 | ![]() | 9635 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-356T | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | LTV356 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | - | Conformità ROHS3 | 160-LTV356TB-VTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
![]() | 4N25V | 0,6400 | ![]() | 787 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N25 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 7μs, 6,7μs | 32V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 10 mA | - | 11μs, 7μs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | EL817(S)(D)(TU)-VG | - | ![]() | 8044 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP781F(D4DLTGRL,F | - | ![]() | 4669 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4DLTGRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | LTV-814S | 0,5900 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-8x4 | Tubo | Attivo | -30°C~110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | LTV-814 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
![]() | CNY17F-3X007 | 0,7100 | ![]() | 2635 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | HCPL-0601-000E | 2.7300 | ![]() | 3670 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-0601 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SO alto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 mA | 10 MBd | 24ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
![]() | 6N139M | 1.3700 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6N139 | DC | 1 | Darlington con base | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 18 V | 1,3 V | 20 mA | 5000 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | 240ns, 1,3μs | - | |||||||||||||||
![]() | PC123X2YSZ1B | 0,2274 | ![]() | 1632 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | PC123 | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | PC123X2 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 20 mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
![]() | H11N1TVM | - | ![]() | 5895 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||
![]() | EL817(B)-G | 0,1659 | ![]() | 5716 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3908171504 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
![]() | ILD621-X007 | - | ![]() | 7150 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ILD621 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | EL817(S2)(A)(TU)-G | 0,1038 | ![]() | 6072 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
![]() | PS2932-1-F3-A | - | ![]() | 8108 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, conduttori piatti | DC | 1 | Darlington | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | PS2932-1ATR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 60mA | 20 µs, 5 µs | 300 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 400% a 1 mA | 4500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||||
![]() | FOD816W | - | ![]() | 7052 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | FOD816 | CA, CC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600% a 1 mA | 7500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||||
![]() | EL817(S1)(TB)-G | - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
![]() | HCPL-5761 | 179.0059 | ![]() | 2833 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-5761 | CA, CC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | 10 µs, 0,5 µs | 20 V | - | 1500 V CC | - | - | 4μs, 8μs | - | ||||||||||||||||
![]() | MOCD213R2VM | 1.2500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOCD213 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 1,6 µs, 2,2 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | - | 3μs, 2,8μs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | HCPL-2430-500E | 13.6100 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-2430 | DC | 2 | Push-pull, totem | 4,75 V ~ 5,25 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 25 mA | 40MBd | 20ns, 10ns | 1,3 V | 10mA | 3750 Vrm | 2/0 | 1kV/μs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
![]() | H11B3300W | - | ![]() | 4768 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11B | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11B3300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 25 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 1 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | |||||||||||||||
![]() | MOC3011FR2M | - | ![]() | 3631 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC301 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3011FR2M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 60 mA | 7500Vpk | 250 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 10mA | - | ||||||||||||||||
| TLP281(GB-TP,F) | - | ![]() | 2615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | TLP281 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
![]() | PC957L0NSZ0F | - | ![]() | 5692 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | OPIC™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 425-2212-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 20 V | 1,7 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 400ns | - | ||||||||||||||||
![]() | VOD207T-LB | - | ![]() | 5674 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | VOD207T | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | - | 751-VOD207T-LBTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 4μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 4000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 5μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||||
![]() | HCPL-2730-320E | 1.6907 | ![]() | 5984 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-2730 | DC | 2 | Darlington | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 7V | 1,4 V | 12 mA | 5000 Vrm | 300% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 5μs, 10μs | 100mV | |||||||||||||||
![]() | PS2701-1-LA | 1.0100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Striscia | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
![]() | FODM3051R3V | - | ![]() | 8562 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 15 mA | - | ||||||||||||||||
![]() | LTV-827S-TA1 | 0,5400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-8x7 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~110°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | LTV-827 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV |

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