SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC8050TVM onsemi MOC8050TVM 0,6800
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ECAD 2195 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC8050 DC 1 Darlington 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 2832-MOC8050TVM EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 80 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 500% a 10 mA - 8,5 µs, 95 µs -
SFH618A-4 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-4 1.1200
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ECAD 21 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) SFH618 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3,5 µs, 5 µs 55 V 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 160% a 1 mA 320% a 1 mA 6μs, 5,5μs 400mV
LTV356TB-V Lite-On Inc. LTV356TB-V 0,0951
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ECAD 9635 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-356T Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano LTV356 DC 1 Transistor 4-SOP - Conformità ROHS3 160-LTV356TB-VTR EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
4N25V Vishay Semiconductor Opto Division 4N25V 0,6400
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ECAD 787 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N25 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 7μs, 6,7μs 32V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 10 mA - 11μs, 7μs 300mV
EL817(S)(D)(TU)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817(S)(D)(TU)-VG -
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ECAD 8044 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 6μs, 8μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4DLTGRL,F -
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ECAD 4669 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4DLTGRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
LTV-814S Lite-On Inc. LTV-814S 0,5900
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ECAD 94 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8x4 Tubo Attivo -30°C~110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano LTV-814 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
CNY17F-3X007 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X007 0,7100
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ECAD 2635 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,39 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
HCPL-0601-000E Broadcom Limited HCPL-0601-000E 2.7300
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ECAD 3670 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL-0601 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO alto scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50 mA 10 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 100ns, 100ns
6N139M onsemi 6N139M 1.3700
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ECAD 1258 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) 6N139 DC 1 Darlington con base 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA - 240ns, 1,3μs -
PC123X2YSZ1B SHARP/Socle Technology PC123X2YSZ1B 0,2274
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ECAD 1632 0.00000000 Tecnologia SHARP/Socle PC123 Tubo Attivo -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) PC123X2 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS EAR99 8541.49.8000 100 20 mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
H11N1TVM Fairchild Semiconductor H11N1TVM -
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ECAD 5895 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-DIP scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
EL817(B)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817(B)-G 0,1659
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ECAD 5716 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) EL817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3908171504 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 6μs, 8μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
ILD621-X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILD621-X007 -
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ECAD 7150 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano ILD621 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 2,3μs 400mV
EL817(S2)(A)(TU)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817(S2)(A)(TU)-G 0,1038
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ECAD 6072 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 6μs, 8μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
PS2932-1-F3-A CEL PS2932-1-F3-A -
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ECAD 8108 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, conduttori piatti DC 1 Darlington 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PS2932-1ATR EAR99 8541.49.8000 3.500 60mA 20 µs, 5 µs 300 V 1,1 V 50 mA 2500 Vrm 400% a 1 mA 4500% a 1 mA - 1 V
FOD816W onsemi FOD816W -
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ECAD 7052 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
EL817(S1)(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817(S1)(TB)-G -
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ECAD 3427 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 6μs, 8μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
HCPL-5761 Broadcom Limited HCPL-5761 179.0059
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ECAD 2833 0.00000000 Broadcom limitata - Massa Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-5761 CA, CC 1 Darlington 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato 3A001A2C 8541.49.8000 1 40mA 10 µs, 0,5 µs 20 V - 1500 V CC - - 4μs, 8μs -
MOCD213R2VM onsemi MOCD213R2VM 1.2500
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ECAD 10 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD213 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 1,6 µs, 2,2 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 3μs, 2,8μs 400mV
HCPL-2430-500E Broadcom Limited HCPL-2430-500E 13.6100
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ECAD 35 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-2430 DC 2 Push-pull, totem 4,75 V ~ 5,25 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 25 mA 40MBd 20ns, 10ns 1,3 V 10mA 3750 Vrm 2/0 1kV/μs 55ns, 55ns
H11B3300W onsemi H11B3300W -
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ECAD 4768 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11B DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
MOC3011FR2M onsemi MOC3011FR2M -
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ECAD 3631 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3011FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 250 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281(GB-TP,F) -
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ECAD 2615 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) TLP281 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
PC957L0NSZ0F Sharp Microelectronics PC957L0NSZ0F -
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ECAD 5692 0.00000000 Microelettronica Sharp OPIC™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 425-2212-5 EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20 V 1,7 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 200ns, 400ns -
VOD207T-LB Vishay Semiconductor Opto Division VOD207T-LB -
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ECAD 5674 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor VOD207T Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Transistor 8-SOIC - 751-VOD207T-LBTR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 5μs, 4μs 70 V 1,2 V 30 mA 4000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 5μs, 4μs 400mV
HCPL-2730-320E Broadcom Limited HCPL-2730-320E 1.6907
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ECAD 5984 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-2730 DC 2 Darlington Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 60mA - 7V 1,4 V 12 mA 5000 Vrm 300% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 5μs, 10μs 100mV
PS2701-1-L-A Renesas Electronics America Inc PS2701-1-LA 1.0100
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ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Striscia Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2701 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 20 80 mA 3μs, 5μs 40 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
FODM3051R3V onsemi FODM3051R3V -
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ECAD 8562 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 15 mA -
LTV-827S-TA1 Lite-On Inc. LTV-827S-TA1 0,5400
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ECAD 17 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8x7 Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~110°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano LTV-827 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock