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Optoisolatori(15749)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)
4N33S1(TA)-V	-	Richiesta di offerta	3538	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano		DC	1	Darlington con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3907150078	EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	55 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				500% a 10 mA	-	5 µs, 100 µs (massimo)	1 V
PS2861B-1Y-V-F3-LA	-	Richiesta di offerta	4363	CEL	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		DC	1	Transistor		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.500	50mA		4μs, 5μs	70 V	1,1 V	50 mA	3750 Vrm				100% a 5 mA	300% a 5 mA	-	300mV
PC8Q51	2.1600	Richiesta di offerta	174	Microelettronica Sharp	*	Tubo	Obsoleto										-	RoHS non conforme	Non applicabile		425-1516-5	EAR99	8541.49.8000	25
HCPL2611	2.4400	Richiesta di offerta	9	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	HCPL26	DC	1	Collettore aperto	4,5 V ~ 5,5 V	8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	HCPL2611-NDR	EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,4 V	50mA	2500 Vrm	1/0	10 kV/μs	75ns, 75ns
FOD817C	-	Richiesta di offerta	9053	Semiconduttore Fairchild	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento					EAR99	8541.49.8000	1	50mA		4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				200% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
PS2525L-1-E3-A	-	Richiesta di offerta	8098	CEL	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		CA, CC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		3μs, 5μs	80 V	1,3 V	150 mA	5000 Vrm				20% a 100 mA	80% a 100 mA	-	300mV
TLP121(BL-TPL,F)	-	Richiesta di offerta	1068	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano	TLP121	DC	1	Transistor		6-MFSOP, 4 derivazioni	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		TLP121(BL-TPLF)	EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	50 mA	3750 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
MOC1193SD	-	Richiesta di offerta	3599	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC119	DC	1	Darlington		6-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC1193SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	150mA		-	30 V	1,15 V	60 mA	5300 Vrm				300% a 10 mA	-	3,5 µs, 95 µs	1 V
CNY17F2SVM	0,2223	Richiesta di offerta	3373	onsemi	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17F2	DC	1	Transistor		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		4μs, 3,5μs (massimo)	70 V	1,35 V	60 mA	4170Vrm				63% a 10 mA	125% a 10 mA	2μs, 3μs	400mV
MOC223VM	0,3600	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Fairchild	-	Scatola	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		DC	1	Darlington con base		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.49.8000	3.000	150mA		8μs, 110μs	30 V	1,08 V	60 mA	2500 Vrm				500% a 1 mA	-	10 µs, 125 µs	1 V
TLP781F(GB-LF7,F)	-	Richiesta di offerta	3093	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TLP781F	DC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)		264-TLP781F(GB-LF7F)	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm				100% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP626(LF5,F)	-	Richiesta di offerta	2264	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP626	CA, CC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento				264-TLP626(LF5F)	EAR99	8541.49.8000	1	50mA		8μs, 8μs	55 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm				100% a 1 mA	1200% a 1 mA	10μs, 8μs	400mV
MOC8050TVM	0,6800	Richiesta di offerta	2195	onsemi	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)	MOC8050	DC	1	Darlington		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	2832-MOC8050TVM	EAR99	8541.49.8000	50	150mA		-	80 V	1,18 V	60 mA	4170Vrm				500% a 10 mA	-	8,5 µs, 95 µs	-
SFH618A-4	1.1200	Richiesta di offerta	21	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	SFH618	DC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	50mA		3,5 µs, 5 µs	55 V	1,1 V	60 mA	5300 Vrm				160% a 1 mA	320% a 1 mA	6μs, 5,5μs	400mV
LTV356TB-V	0,0951	Richiesta di offerta	9635	Lite-On Inc.	LTV-356T	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	LTV356	DC	1	Transistor		4-SOP	-	Conformità ROHS3			160-LTV356TB-VTR	EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
4N25V	0,6400	Richiesta di offerta	787	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	4N25	DC	1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		7μs, 6,7μs	32V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				20% a 10 mA	-	11μs, 7μs	300mV
EL817(S)(D)(TU)-VG	-	Richiesta di offerta	8044	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	EL817	DC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.500	50mA		6μs, 8μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
TLP781F(D4DLTGRL,F	-	Richiesta di offerta	4669	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	TLP781F	DC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento		1 (illimitato)		264-TLP781F(D4DLTGRLF	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm				100% a 5 mA	200% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
LTV-814S	0,5900	Richiesta di offerta	94	Lite-On Inc.	LTV-8x4	Tubo	Attivo	-30°C~110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	LTV-814	CA, CC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		4μs, 3μs	35 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				20% a 1 mA	300% a 1 mA	-	200mV
CNY17F-3X007	0,7100	Richiesta di offerta	2635	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17	DC	1	Transistor		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,39 V	60 mA	5000 Vrm				100% a 10 mA	200% a 10 mA	3μs, 2,3μs	400mV
HCPL-0601-000E	2.7300	Richiesta di offerta	3670	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HCPL-0601	DC	1	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	8-SO alto	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	50 mA	10 MBd	24ns, 10ns		1,5 V	20 mA	3750 Vrm	1/0	10 kV/μs	100ns, 100ns
6N139M	1.3700	Richiesta di offerta	1258	onsemi	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	6N139	DC	1	Darlington con base		8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	60mA		-	18 V	1,3 V	20 mA	5000 Vrm				500% a 1,6 mA	-	240ns, 1,3μs	-
PC123X2YSZ1B	0,2274	Richiesta di offerta	1632	Tecnologia SHARP/Socle	PC123	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	PC123X2	DC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS				EAR99	8541.49.8000	100	20 mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
H11N1TVM	-	Richiesta di offerta	5895	Semiconduttore Fairchild	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)		DC	1	Collettore aperto	4 V~15 V	6-DIP	scaricamento					EAR99	8541.49.8000	1	50 mA	5 MHz	7,5 n, 12 n		1,4 V	30mA	4170Vrm	1/0	-	330ns, 330ns
EL817(B)-G	0,1659	Richiesta di offerta	5716	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	EL817	DC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3908171504	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		6μs, 8μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				130% a 5 mA	260% a 5 mA	-	200mV
ILD621-X007	-	Richiesta di offerta	7150	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	ILD621	DC	2	Transistor		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,15 V	60 mA	5300 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 2,3μs	400mV
EL817(S2)(A)(TU)-G	0,1038	Richiesta di offerta	6072	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	EL817	DC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		6μs, 8μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PS2932-1-F3-A	-	Richiesta di offerta	8108	CEL	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, conduttori piatti		DC	1	Darlington		4-Mini-Appartamenti	scaricamento		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	PS2932-1ATR	EAR99	8541.49.8000	3.500	60mA		20 µs, 5 µs	300 V	1,1 V	50 mA	2500 Vrm				400% a 1 mA	4500% a 1 mA	-	1 V
FOD816W	-	Richiesta di offerta	7052	onsemi	-	Scatola	Obsoleto	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	FOD816	CA, CC	1	Darlington		4-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	80 mA		60 µs, 53 µs	35 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				600% a 1 mA	7500% a 1 mA	-	1 V
EL817(S1)(TB)-G	-	Richiesta di offerta	3427	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		6μs, 8μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV