Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Memoria (70500)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina	SIC programmabile
UPD44324365BF5-E40-FQ1	57.0300	Richiesta di offerta	5	Renesas Electronics America Inc	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	UPD44324365	SRAM: sincronismo, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (15x17)	scaricamento	RoHS non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	Volatile	36Mbit		SRAM	1Mx36	Parallelo	4ns
STK12C68-SF45ITR	-	Richiesta di offerta	4471	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	28-SOIC (0,342", larghezza 8,69 mm)	STK12C68	NVSRAM (SRAM non volatile)	4,5 V ~ 5,5 V	28-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0041	1.000		Non volatile	64Kbit	45 ns	NVSRAM	8K×8	Parallelo	45ns
70V05S12PFI	-	Richiesta di offerta	1870	Renesas Electronics America Inc	-	Vassoio	Acquisto per l'ultima volta	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	64-LQFP		SRAM: doppia porta, asincrona	3 V ~ 3,6 V	64-TQFP (14x14)	-				800-70V05S12PFI			1		Volatile	64Kbit	12 ns	SRAM	8K×8	Parallelo	12ns
7016S35PFI8	-	Richiesta di offerta	5746	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	80-LQFP	7016S35	SRAM: doppia porta, asincrona	4,5 V ~ 5,5 V	80-TQFP (14x14)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0041	750		Volatile	144Kbit	35 ns	SRAM	16K×9	Parallelo	35ns
MT62F3G32D8DV-023IT:B	74.6400	Richiesta di offerta	2741	Micron Technology Inc.	-	Scatola	Attivo	-40°C ~ 95°C	-	-		SDRAM-LPDDR mobile5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023IT:B			1	4.266GHz	Volatile	96Gbit		DRAM	3G×32	Parallelo	-
BR24G16FJ-3NE2	0,3300	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	BR24G16	EEPROM	1,6 V ~ 5,5 V	8-SOP-J	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0051	2.500	400 chilocicli	Non volatile	16Kbit		EEPROM	2K×8	I²C	5 ms
W631GU6NB-11 TR	2.9730	Richiesta di offerta	1001	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM-DDR3L	1.283 V ~ 1,45 V, 1.425 V ~ 1.575 V	96-VFBGA (7,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W631GU6NB-11TR	EAR99	8542.32.0032	3.000	933 MHz	Volatile	1Gbit	20 ns	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
S26HL512TFPBHB000	16.2925	Richiesta di offerta	3370	Tecnologie Infineon	Sempre™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	24-VBGA		FLASH-NORE (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-FBGA (6x8)	scaricamento		3 (168 ore)			3A991B1A	8542.32.0071	676	166 MHz	Non volatile	512Mbit	6,5 n	FLASH	64Mx8	IperBus	1,7 ms
M24C64X-FCU6T/TF	-	Richiesta di offerta	6353	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	4-XFBGA, WLCSP	M24C64	EEPROM	1,7 V ~ 5,5 V	4-WLCSP (0,71x0,73)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-M24C64X-FCU6T/TFTR	EAR99	8542.32.0051	2.500	1 megahertz	Non volatile	64Kbit	650 n	EEPROM	8K×8	I²C	5 ms
7052S20PFGI	-	Richiesta di offerta	3366	Renesas Electronics America Inc	-	Vassoio	Acquisto per l'ultima volta	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	120-LQFP		SRAM - Quad Port, asincrono	4,5 V ~ 5,5 V	120-TQFP (14x14)	-				800-7052S20PFGI			1		Volatile	16Kbit	20 ns	SRAM	2K×8	Parallelo	20ns
SST25PF040C-40E/SN	1.3650	Richiesta di offerta	3887	Tecnologia del microchip	Automobilistico, AEC-Q100, SST25	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SST25PF040	FLASH	2,3 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	100	40 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI	5 ms
609368300A	-	Richiesta di offerta	6614	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto								-		Venditore non definito	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MT55L256L18P1F-10	5.5100	Richiesta di offerta	149	Micron Technology Inc.	ZBT®	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-TBGA		SRAM-ZBT	3.135 V ~ 3.465 V	165-FBGA (13x15)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatile	4Mbit	5 nn	SRAM	256K×18	Parallelo	-
CY62147CV18LL-70BAI	2.1200	Richiesta di offerta	13	Cypress Semiconductor Corp	MoBL2™	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFBGA	CY62147	SRAM-Asincrono	1,65 V ~ 1,95 V	48-FBGA (7x8,5)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	RAGGIUNGERE Interessato		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatile	4Mbit	70 ns	SRAM	256K×16	Parallelo	70ns
M29W320DB7AN6E	-	Richiesta di offerta	1730	Micron Technology Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	M29W320	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	48-TSOP I	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	32Mbit	70 ns	FLASH	4Mx8, 2Mx16	Parallelo	70ns
25LC640AT-I/MS	0,8400	Richiesta di offerta	9789	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm)	25LC640	EEPROM	2,5 V ~ 5,5 V	8-MSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0051	2.500	10 MHz	Non volatile	64Kbit		EEPROM	8K×8	SPI	5 ms
S29GL512P11TFI020	-	Richiesta di offerta	9488	Cypress Semiconductor Corp	GL-P	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	S29GL512	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	56-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3				3A991B1A	8542.32.0071	91		Non volatile	512Mbit	110 n	FLASH	32Mx16	Parallelo	110ns	Non verificato
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR	3.2000	Richiesta di offerta	23	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	MT29F1G08	FLASH-NAND	2,7 V ~ 3,6 V	48-TSOP I	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	1.000		Non volatile	1Gbit		FLASH	128Mx8	Parallelo	-
W632GG8NB-15TR	4.0953	Richiesta di offerta	3662	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	W632GG8	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-VFBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W632GG8NB-15TR	EAR99	8542.32.0036	2.000	667 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	SSTL_15	15ns
709269L15PFG	-	Richiesta di offerta	6094	Renesas Electronics America Inc	-	Vassoio	Acquisto per l'ultima volta	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP		SRAM: doppia porta, standard	4,5 V ~ 5,5 V	100-TQFP (14x14)	-				800-709269L15PFG			1	40 MHz	Volatile	256Kbit	30 ns	SRAM	16K×16	Parallelo	-
CY62157G30-45BVXIT	11.7040	Richiesta di offerta	3183	Tecnologie Infineon	MoBL®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-VFBGA	CY62157	SRAM-Asincrono	2,2 V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	2.000		Volatile	8Mbit	45 ns	SRAM	512K x 16	Parallelo	45ns
CY7C1041BV33-20ZC	4.3800	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	-	Borsa	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	CY7C1041	SRAM-Asincrono	3 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatile	4Mbit	20 ns	SRAM	256K×16	Parallelo	20ns
S29GL512S11DHB020	7.6207	Richiesta di offerta	2	Cypress Semiconductor Corp	GL-S	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	64-LBGA	S29GL512	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	64-FBGA (9x9)	scaricamento	RoHS non conforme		Venditore non definito				1		Non volatile	512Mbit	110 n	FLASH	32Mx16	Parallelo	60ns	Non verificato
S26HS512TGABHM013	18.2175	Richiesta di offerta	6285	Tecnologie Infineon	Sempre™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	24-VBGA		FLASH-NORE (SLC)	1,7 V~2 V	24-FBGA (6x8)	scaricamento		3 (168 ore)			3A991B1A	8542.32.0071	2.500	200 MHz	Non volatile	512Mbit	5,45 ns	FLASH	64Mx8	IperBus	1,7 ms
CY7C1423BV18-250BZC	56.1600	Richiesta di offerta	220	Cypress Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1423	SRAM: sincronismo, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (15x17)	scaricamento	RoHS non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatile	36Mbit		SRAM	2Mx18	Parallelo	-	Non verificato
STK15C88-SF25ITR	-	Richiesta di offerta	3527	Cypress Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	28-SOIC (0,342", larghezza 8,69 mm)	STK15C88	NVSRAM (SRAM non volatile)	4,5 V ~ 5,5 V	28-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3			2832-STK15C88-SF25ITR	EAR99	8542.32.0041	9		Non volatile	256Kbit	25 ns	NVSRAM	32K×8	Parallelo	25ns
CY27H010-30PC	6.5900	Richiesta di offerta	801	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Foro passante	32 DIP (0,600", 15,24 mm)	CY27H010	EPROM-UV	4,5 V ~ 5,5 V	32-PDIP	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8542.32.0071	1		Non volatile	1Mbit	30 ns	EPROM	128K×8	Parallelo	-
28223004A	-	Richiesta di offerta	1567	Tecnologie Infineon	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta								-							1
7007S25GB	-	Richiesta di offerta	1504	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto								-			REACH Inalterato	800-7007S25GB	OBSOLETO		1
R1RW0416DSB-0PI#S0	24.1800	Richiesta di offerta	291	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo								scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991	8542.32.0041	1.000