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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC8106W onsemi MOC8106W -
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ECAD 3959 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8106W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA 150% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
4N27FVM onsemi 4N27FVM -
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ECAD 7031 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N27 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N27FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
ACPL-K453-020E Broadcom Limited ACPL-K453-020E -
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ECAD 7202 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,268", larghezza 6,81 mm) ACPL-K453 DC 1 Transistor 8-SO allungato scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 80 8 mA - 20 V 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 200ns, 600ns -
H11C63SD onsemi H11C63SD -
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ECAD 4326 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11C UR, VDE 1 SCR 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11C63SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300 mA - NO 500 V/μs 30mA -
HCPL-2430-000E Broadcom Limited HCPL-2430-000E 13.5500
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ECAD 1 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-2430 DC 2 Push-pull, totem 4,75 V ~ 5,25 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 40MBd 20ns, 10ns 1,3 V 10mA 3750 Vrm 2/0 1kV/μs 55ns, 55ns
H11AG3W onsemi H11AG3W -
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ECAD 8277 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AG3W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 20% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
FOD4218SV onsemi FOD4218SV 6.1300
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ECAD 60 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4218 cUL, FIMKO, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500 µA NO 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
TPC816A C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816A C9G 0,3900
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ECAD 117 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan TPC816 Tubo Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 200mV
MOC212VM onsemi MOC212VM -
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ECAD 6056 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC212 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
6N139SV onsemi 6N139SV -
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ECAD 6832 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N139 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA - 1,5 µs, 7 µs -
4N25 Vishay Semiconductor Opto Division 4N25 0,6100
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ECAD 10 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N25 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,3 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 10 mA - - 500mV
H11L2VM onsemi H11L2VM 1.8900
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ECAD 987 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11L2 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
H11A1S Lite-On Inc. H11A1S -
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ECAD 9742 0.00000000 Lite-On Inc. H11AX Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) 160-1325-5 EAR99 8541.49.8000 65 150mA 2,8 µs, 4,5 µs 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
EL3H7(F)(TA)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7(F)(TA)-G 0,1652
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ECAD 4556 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) EL3H7 DC 1 Transistor 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C110000637 EAR99 8541.49.8000 5.000 50mA 5μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 200mV
EL2611S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL2611S(TA)-V 0,6636
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ECAD 4450 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano EL2611 DC 1 Collettore aperto 7V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C180000057 EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 40ns, 10ns 1,4 V 50mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
MOC3072SVM onsemi MOC3072SVM 1.9500
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ECAD 3207 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC307 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,18 V 60 mA 4170Vrm 800 V 540 µA (sugger.) NO 1kV/μs 10mA -
HCPL-0738-50GE Broadcom Limited HCPL-0738-50GE -
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ECAD 8486 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL-0738 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO alto - 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.500 2 mA 15 MBd 20ns, 25ns 1,5 V 20 mA 3750 Vrm 2/0 10 kV/μs 60ns, 60ns
H11G33SD onsemi H11G33SD -
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ECAD 8765 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11G DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11G33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 200% a 1 mA - 5 µs, 100 µs 1,2 V
H11N2300W onsemi H11N2300W -
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ECAD 5861 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 5mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
FOD817D300 onsemi FOD817D300 0,6000
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
PS2565L2-1-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2565L2-1-F3-A 1.6000
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ECAD 3555 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2565 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
H11N3300 onsemi H11N3300 -
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ECAD 9013 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 10mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
8429980000 Weidmüller 8429980000 -
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ECAD 5458 0.00000000 Weidmüller - Massa Obsoleto -25°C ~ 50°C GuidaDIN Modulo DC 1 Transistor - scaricamento Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 5A - 24 V - - - - - -
H11A617C3SD onsemi H11A617C3SD -
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ECAD 5381 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,35 V 50 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(F) -
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ECAD 5111 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP551 DC 1 Transistor con base 8-DIP - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 15 V 1,65 V 25 mA 2500 Vrm 10% a 16 mA - 300ns, 1μs -
IL420-X007 Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X007 -
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ECAD 2351 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD IL420 CQC, CSA, cUR, UR 1 Triac scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 1,16 V 60 mA 5300 Vrm 600 V 300 mA 500 µA NO 10 kV/μs 2mA 35 µs
H11AV2FM onsemi H11AV2FM -
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ECAD 2222 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AV2FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 70 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - 15μs, 15μs 400mV
HCPL-0720#500 Broadcom Limited HCPL-0720#500 4.9984
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ECAD 7861 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL-0720 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO alto scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 25 MBd 9ns, 8ns - - 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 40ns, 40ns
PS2561AL-1-N-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL-1-NA -
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ECAD 1878 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2561 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1278 EAR99 8541.49.8000 100 30mA 3μs, 5μs 70 V 1,2 V 30 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock