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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | OPI110C | 3.1200 |  | 3491 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | Assiale, Can - 4 derivazioni | OPI110 | DC | 1 | Transistor | Assiale | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | - | 30 V | 1,6 V (massimo) | 40 mA | 15000 V CC | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2805-1-A | - | | 4088 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Striscia | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-VSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | PS28051A | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 80% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | LTV-725V | - | | 3381 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-725V | Tubo | Attivo | -25°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | LTV-725 | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150mA | 100 µs, 20 µs | 300 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | 15000% a 1 mA | - | 1,2 V | ||||||||||||||||
 | ACNT-H511-500E | 2.2896 | | 2343 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,535", larghezza 13,60 mm) | ACNT-H511 | DC | 1 | Transistor | 8-SO allungato | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 12 mA | - | 24 V | 1,45 V | 20 mA | 7500 Vrm | 31% a 12 mA | 80% a 12 mA | 150 n., 400 n | - | ||||||||||||||||
 | FODM121AR2 | 0,7000 | | 50 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD4118SD | 4.4100 | | 974 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | FOD4118 | CSA, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V | 30 mA | 5000 Vrm | 800 V | 500μA | SÌ | 10 kV/μs | 1,3 mA | 60 µs | ||||||||||||||||
| 5962-0822703KUA | 656.4033 | | 1562 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, giunto di testa | 5962-0822703 | DC | 4 | Darlington | Giunto di testa 16-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 6μs | - | |||||||||||||||
| TLP121(GB-TPL,F) | - | | 2862 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(GB-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | ASSR-V622-302E | 4.6200 | | 1 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ASSR-V622 | DC | 2 | Fotovoltaico | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 20μA | - | 7V | 1,3 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 280 µs, 30 µs | - | |||||||||||||||
 | FOD250L | - | | 8105 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | FOD250 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 7V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 15% a 16 mA | 50% a 16 mA | 1μs, 1μs (massimo) | - | ||||||||||||||||
 | PS2501L-1-F3-LA | - | | 7030 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro tagliato (CT) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | SFH608-3X001 | 0,4754 | | 9078 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH608 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 5μs, 7μs | 55 V | 1,1 V | 50 mA | 5300 Vrm | 100% a 1 mA | 200% a 1 mA | 8μs, 7,5μs | 400mV | |||||||||||||||
| HCPL-2531-560E | 1.4268 | | 7287 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-2531 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
| PS2861B-1Y-F3-MA | - | | 1615 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50mA | 4μs, 5μs | 70 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | PS2565-1 | - | | 8870 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP785(GR-TP6,F | 0,1515 | | 7283 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | TLP785 | DC | 1 | Transistor | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(GR-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | H11AG2300 | - | | 2528 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AG2300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 50% a 1 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | |||||||||||||||
 | IL755-1 | 1.9400 | | 6553 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL755 | CA, CC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 50 µs, 50 µs | 60 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 750% a 2 mA | - | - | 1 V | ||||||||||||||||
| TLP785F(D4GHF7,F | - | | 7137 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(D4GHF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | 4N28S1(TB)-V | - | | 8773 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907172811 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 10% a 10 mA | - | 3μs, 3μs | 500mV | ||||||||||||||||
 | CNY66 | 3.4500 | | 4 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 85°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY66 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 2,4 µs, 2,7 µs | 32V | 1,25 V | 75 mA | 13900 VCC | 50% a 10 mA | 300% a 10 mA | 5μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| ACPL-570KL-200 | 644.4000 | | 2991 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | ACPL-570 | DC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 6μs | - | |||||||||||||||
 | PS2501AL-1-PA | - | | 4047 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | H11AA1SR2VM | 1.0600 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11AA | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 4170Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||
 | IL300-X016 | 4.9600 | | 5472 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | IL300 | DC | 1 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 70μA (suggerimento) | 1μs, 1μs | 500mV | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | - | - | - | - | ||||||||||||||||
| SFH601-3X027T | - | | 3794 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | SFH601 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 14μs | 100 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||
| 5962-8981002KYC | 628.3714 | | 8581 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | Giunto di testa 8-SMD | 5962-8981002 | DC | 1 | Darlington | Giunto di testa a 8 DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 8μs | 110mV | |||||||||||||||
| IL250-X001 | - | | 8118 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL250 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | 6N137TSR2VM | 2.3500 | | 8 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N137 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 700 | 50 mA | 10Mbps | 30ns, 10ns | 1,45 V | 50mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs (tip.) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| EL3022S1(TA)-V | - | | 9300 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3022 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903220014 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 V | 60 mA | 5000 Vrm | 400 V | 100 mA | 250 µA (sugger.) | NO | 100 V/μs (punta) | 10mA | - |
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