SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
PS2501-1-D-A CEL PS2501-1-DA -
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ECAD 9538 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) PS2501 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
EL852S(TA)(D)-V Everlight Electronics Co Ltd EL852S(TA)(D)-V -
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ECAD 2562 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 300 µs, 100 µs (massimo) 350 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 1000% a 1 mA 15000% a 1 mA - 1,2 V
SFH6136-X017 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6136-X017 0,5740
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ECAD 8706 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano SFH6136 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 8mA - 25 V 1,6 V 25 mA 5300 Vrm 19% a 16 mA - 200ns, 200ns -
CNY17-3S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17-3S(TA)-V 0,7200
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ECAD 1 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17-3 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 - 6μs, 8μs 80 V 1,65 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 10μs, 9μs 300mV
SFH615A-2X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2X009T 0,3245
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ECAD 1247 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano SFH615 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,35 V 60 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
4N30S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd 4N30S1(TA) 0,3666
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ECAD 2515 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907150022 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
SL5501300W onsemi SL5501300W -
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ECAD 3673 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SL5501 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SL5501300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,23 V 100 mA 5300 Vrm 25% a 10 mA 400% a 10 mA 20 µs, 50 µs (massimo) 400mV
CNY17F4TVM onsemi CNY17F4TVM 0,9100
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ECAD 600 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17F4 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
HCPL0701R2 onsemi HCPL0701R2 2.9600
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ECAD 229 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL0701 DC 1 Darlington con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 60mA - 18 V 1,25 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 300 ns, 1,6 µs -
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPL,F) -
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ECAD 1975 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP124 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP124(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 8μs, 8μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
4N47TX TT Electronics/Optek Technology 4N47TX -
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ECAD 6247 0.00000000 Tecnologia TT Electronics/Optek - Massa Obsoleto -55°C ~ 125°C Foro passante TO-78-6 Lattina di metallo DC 1 Transistor con base TO-78-6 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 50mA 20μs, 20μs 40 V 1,5 V (massimo) 40 mA 1000 V CC 50% a 1 mA - - 300mV
H11AA4S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11AA4S1(TB) -
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ECAD 2076 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11AA CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907171255 EAR99 8541.49.8000 1.000 - 10μs, 10μs (massimo) 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA - 10μs, 10μs (massimo) 400mV
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(PSD-TL,F) -
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ECAD 2942 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Massa Obsoleto - 264-TLP9148J(PSD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
5962-8767905KEA Broadcom Limited 5962-8767905KEA 633.3057
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ECAD 8393 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) 5962-8767905 DC 2 Transistor con base 16-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20 V 1,55 V 20 mA 1500 V CC 9% a 16 mA - 400ns, 1μs -
PS9587L3-E3-AX CEL PS9587L3-E3-AX -
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ECAD 5518 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 25 mA 10Mbps 20ns, 10ns 1,65 V 30mA 5000 Vrm 1/0 15 kV/μs 75ns, 75ns
FOD4108TV Fairchild Semiconductor FOD4108TV -
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ECAD 3098 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD4108 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA 10 kV/μs 2mA 60 µs
TLP3033(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3033(S,C,F) -
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ECAD 3200 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto - Foro passante 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori TLP3033 SEMKO, UR 1 Triac 6-DIP (taglio), 5 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP3033(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000 Vrm 250 V 100 mA - - 5mA -
HCPL-2219#360 Broadcom Limited HCPL-2219#360 -
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ECAD 2476 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Tri-Stato 4,5 V~20 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 2,5 MBd 55ns, 15ns 1,5 V 10mA 3750 Vrm 1/0 2,5 kV/μs 300ns, 300ns
PS2561AL2-1-F3-A CEL PS2561AL2-1-F3-A -
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ECAD 3525 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 30mA 3μs, 5μs 70 V 1,2 V 30 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
6N137M-V Everlight Electronics Co Ltd 6N137M-V -
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ECAD 4734 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Collettore aperto 7V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C180000015 EAR99 8541.49.8000 45 50 mA 10Mbps 40ns, 10ns 1,4 V 50mA 5000 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
HCNW138-000E Broadcom Limited HCNW138-000E 0,9018
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ECAD 9769 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCNW138 DC 1 Darlington con base 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 42 60mA - 7V 1,45 V 20 mA 5000 Vrm 300% a 1,6 mA - 11μs, 70μs -
CNY174SR2M onsemi CNY174SR2M 0,7300
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ECAD 980 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY174 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
EL3021M-V Everlight Electronics Co Ltd EL3021M-V -
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ECAD 2778 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) EL3021 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903210009 EAR99 8541.49.8000 65 1,18 V 60 mA 5000 Vrm 400 V 100 mA 250 µA (sugger.) NO 100 V/μs (punta) 15 mA -
PS2561AL2-1-V-F3-H-A CEL PS2561AL2-1-V-F3-HA -
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ECAD 5797 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 30mA 3μs, 5μs 70 V 1,2 V 30 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
SFH6206-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6206-2 0,9400
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ECAD 5 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano SFH6206 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2266-SFH6206-2 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 200% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
FODM121AR2V onsemi FODM121AR2V 0,6300
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
H11B1SR2VM onsemi H11B1SR2VM 0,9300
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B1 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 4170Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
MCT2201S Fairchild Semiconductor MCT2201S 0,1500
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ECAD 6717 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.480 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
H11N3SR2M onsemi H11N3SR2M -
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ECAD 3462 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
MOC216R2VM onsemi MOC216R2VM 0,2817
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ECAD 4280 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC216 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 1 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock