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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HMHA2801CR2V onsemi HMHA2801CR2V -
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ECAD 7111 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
TLP754(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(D4,F) -
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ECAD 8939 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento 264-TLP754(D4F) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
PC814X1CSZ9F SHARP/Socle Technology PC814X1CSZ9F 0,0940
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ECAD 5960 0.00000000 Tecnologia SHARP/Socle PC814X Tubo Attivo -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 100 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
PS2811-1-H-A Renesas Electronics America Inc PS2811-1-HA -
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ECAD 7894 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) PS2811 DC 1 Transistor 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1518 EAR99 8541.49.8000 100 40mA 4μs, 5μs 40 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 100% a 1 mA 400% a 1 mA - 300mV
ACPL-M43T-500E Broadcom Limited ACPL-M43T-500E 3.8900
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ECAD 8 0.00000000 Broadcom limitata Automotive, AEC-Q100, R²Coupler™ Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori ACPL-M43 DC 1 Transistor 5-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 8mA - 20 V 1,55 V 20 mA 4000 Vrm 32% a 10 mA 100% a 10 mA 150 n., 500 n -
EL3033S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3033S(TA)-V -
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ECAD 1953 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano EL3033 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903330112 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 250 V 100 mA 280 µA (sugger.) 1kV/μs 5mA -
HMA2701AR4V onsemi HMA2701AR4V -
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ECAD 6312 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA270 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
ACNT-H511C-000E Broadcom Limited ACNT-H511C-000E 7.0100
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ECAD 1 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,535", larghezza 13,60 mm) ACNT-H511 DC 1 Transistor con base 8-SO allungato - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 516-ACNT-H511C-000E EAR99 8541.49.8000 80 12 mA - 24 V 1,45 V 20 mA 7500 Vrm 31% a 12 mA 80% a 12 mA - -
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(LF4,E 1.8500
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ECAD 6302 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5702 DC 1 Push-pull, totem 10 V~30 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,65 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 50 kV/μs 200ns, 200ns
CNY64S(A)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY64S(A)(TA)-V 1.4091
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ECAD 8178 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano CNY64S DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C110000658 EAR99 8541.49.8000 500 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,6 V 75 mA 8200 Vrm 63% a 5 mA 125% a 5 mA 6μs, 7μs 300mV
4N55/883B#100 Broadcom Limited 4N55/883B#100 123.8656
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ECAD 2038 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N55 DC 2 Transistor con base 16-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 18 V 1,55 V 20 mA 1500 V CC 9% a 16 mA - 400ns, 1μs -
140816144300 Würth Elektronik 140816144300 0,3800
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ECAD 2 0.00000000 Würth Elettronica WL-OCPT Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-DIP-SLM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 3μs, 4μs 80 V 1,24 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA -
CNY17F3 Fairchild Semiconductor CNY17F3 0,0900
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ECAD 3759 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 667 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
HCPL-4504-360E Broadcom Limited HCPL-4504-360E -
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ECAD 9223 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-4504 DC 1 Transistor Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20 V 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 25% a 16 mA 60% a 16 mA 200ns, 300ns -
ELD205(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd ELD205(TB)-V -
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ECAD 9653 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ELD205 DC 2 Transistor 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 - 1,6 µs, 2,2 µs 80 V 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 5μs, 4μs 400mV
PS2533-1-A CEL PS2533-1-A -
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ECAD 8056 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PS25331A EAR99 8541.49.8000 100 150mA 100 µs, 100 µs 350 V 1,15 V 80 mA 5000 Vrm 1500% a 1 mA 6500% a 1 mA - 1 V
ACPL-072L-560E Broadcom Limited ACPL-072L-560E 4.9100
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ECAD 1 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ACPL-072 Logica 1 Push-pull, totem 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO alto scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 25 MBd 9ns, 8ns - - 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 40ns, 40ns
H11L3FR2M onsemi H11L3FR2M -
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ECAD 3831 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
HCPL-2533#500 Broadcom Limited HCPL-2533#500 -
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ECAD 7511 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 2 Transistor Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8mA - 7V 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 15% a 8 mA - 800ns, 1μs -
6N140A/883B#100 Broadcom Limited 6N140A/883B#100 100.9482
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ECAD 4221 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SMD, giunto di testa 6N140 DC 4 Darlington Giunto di testa a 16 DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 40mA - 20 V 1,4 V 10 mA 1500 V CC 200% a 5 mA - 2μs, 8μs 110mV
EL816(S)(X)(TU) Everlight Electronics Co Ltd EL816(S)(X)(TU) -
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ECAD 2781 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL816 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 200mV
MOC8107300 onsemi MOC8107300 -
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ECAD 9330 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8107300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
MCT271W onsemi MCT271W -
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ECAD 5555 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MCT271 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT271W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 45% a 10 mA 90% a 10 mA 1μs, 48μs 400mV
TLP5705H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(LF4,E 1.9900
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ECAD 5551 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) DC 1 Push-pull, totem 15 V~30 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 50 kV/μs 200ns, 200ns
CNY17F-2S Lite-On Inc. CNY17F-2S 0,5100
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ECAD 5 0.00000000 Lite-On Inc. CNY17F Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 65 150mA 5μs, 5μs 70 V 1,45 V 60 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 300mV
HCPL-3760#300 Broadcom Limited HCPL-3760#300 6.7768
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ECAD 4538 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-3760 CA, CC 1 Darlington Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 30mA 14μs, 0,4μs 20 V - 3750 Vrm - - 4,5 µs, 8 µs -
VOT8123AG-V Vishay Semiconductor Opto Division VOT8123AG-V 1.1600
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) VOT8123 CQC, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 800 V 100 mA 400μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
PS2513-1-A CEL PS2513-1-A -
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ECAD 5636 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PS25131A EAR99 8541.49.8000 100 30mA 5 µs, 25 µs 120 V 1,1 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 200% a 5 mA - 300mV
HCPL-M453-500E Broadcom Limited HCPL-M453-500E 3.2400
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ECAD 3182 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori HCPL-M453 DC 1 Transistor 5-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 8mA - 20 V 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 20% a 16 mA 50% a 16 mA 200ns, 600ns -
PC123YS Sharp Microelectronics PC123YS -
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ECAD 4304 0.00000000 Microelettronica Sharp - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) 425-1320-5 EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 200mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock