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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VO617C-4X001 | 0,2330 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 751-VO617C-4X001TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 5 mA | 320% a 5 mA | 6μs, 4μs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | ISP817DSM | 0,6400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | ISP817 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||
![]() | TLP188(GB,E | 0,8300 | ![]() | 4747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP188 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | 5962-0824202HPC | 107.7423 | ![]() | 9892 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 5962-0824202 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 3,6 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 20ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||
| H11B3S(TB) | - | ![]() | 1865 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11B3 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150133 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | |||||||||||||||
![]() | TLP785(Y-LF6,F | - | ![]() | 6945 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(Y-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | ILD206T | 1.3700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ILD206 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 4000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 6μs, 5μs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP624-2(LF5,F) | - | ![]() | 2717 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP624-2(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP731(GB-LF1,F) | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(GB-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PS2833-4-VA | 10.3900 | ![]() | 1330 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Striscia | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2833 | DC | 4 | Darlington | 16-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 10 | 60mA | 20 µs, 5 µs | 350 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 400% a 1 mA | 4500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||
![]() | FOD4218 | - | ![]() | 1869 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | FOD421 | cUL, FIMKO, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,28 V | 30 mA | 5000 Vrm | 800 V | 500 µA | NO | 10 kV/μs | 1,3 mA | 60 µs | ||||||||||||||||||
![]() | TLP781(DLT-HR,F) | - | ![]() | 9568 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(DLT-HRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | TLP2370(E | 1.7900 | ![]() | 5671 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2370 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2370(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20Mbps | 3ns, 2ns | 1,5 V | 8mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
![]() | 6N134TXVB | 143.2812 | ![]() | 1917 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6N134 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 35ns, 35ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||
![]() | TLP731(D4-BL-TP1,F | - | ![]() | 7743 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(D4-BL-TP1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RV1S2752QKCSP-1000N#SC0 | 3.5300 | ![]() | 880 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Striscia | Attivo | RV1S2752 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HCPL0530 | 1.7900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||
![]() | H11AA4SD | - | ![]() | 8537 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | ORPC-815S-TP-CG | 0,7800 | ![]() | 2775 | 0.00000000 | Shenzhen Oriente Components Co., Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD617CS | - | ![]() | 3068 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
![]() | 6N136S1(TB) | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3901360006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 350ns, 300ns | - | |||||||||||||||
| JAN4N23A | - | ![]() | 1305 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 125°C | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | DC | 1 | Transistor con base | TO-78-6 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 365-1954 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 20μs, 20μs (massimo) | 40 V | 1,5 V (massimo) | 40 mA | 1000 V CC | 60% a 10 mA | - | - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | EL816(S1)(C)(TU)-V | - | ![]() | 9209 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| TLP2366(TPL,E | 1.4000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2366 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 20 MBd | 15ns, 15ns | 1,61 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 40ns, 40ns | ||||||||||||||||
![]() | TLP188(GB-TPL,E | 0,8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP188 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP290(GB,SE | 0,5100 | ![]() | 2539 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 4μs, 7μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | 7μs, 7μs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP160J(V4T7TLUC,F | - | ![]() | 6563 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160J(V4T7TLUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACPL-K73A-000E | 3.2056 | ![]() | 9270 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,268", larghezza 6,81 mm) | ACPL-K73 | CA, CC | 2 | Darlington con base | 8-SO allungato | scaricamento | REACH Inalterato | 516-ACPL-K73A-000E | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 20 mA | 5000 Vrm | 800% a 40μA | 25000% a 40μA | - | - | |||||||||||||||
| EL3H7(J)(TB)-G | - | ![]() | 4453 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 5.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
![]() | OR-MOC3083(L) | 0,7400 | ![]() | 2151 | 0.00000000 | Shenzhen Oriente Components Co., Ltd | - | Tubo | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 5007-OR-MOC3083(L) | 3.300 |

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