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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
VO617C-4X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-4X001 0,2330
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ECAD 3300 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 751-VO617C-4X001TR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 160% a 5 mA 320% a 5 mA 6μs, 4μs 400mV
ISP817DSM Isocom Components 2004 LTD ISP817DSM 0,6400
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ECAD 500 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Tubo Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano ISP817 DC 1 Transistor - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(GB,E 0,8300
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ECAD 4747 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP188 DC 1 Transistor 6-SOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 350 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
5962-0824202HPC Broadcom Limited 5962-0824202HPC 107.7423
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ECAD 9892 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) 5962-0824202 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 3,6 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 20ns, 8ns 1,55 V 20 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 100ns, 100ns
H11B3S(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11B3S(TB) -
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ECAD 1865 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B3 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907150133 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
TLP785(Y-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(Y-LF6,F -
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ECAD 6945 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(Y-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
ILD206T Vishay Semiconductor Opto Division ILD206T 1.3700
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ECAD 11 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ILD206 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 - 3μs, 4,7μs 70 V 1,2 V 30 mA 4000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 6μs, 5μs 400mV
TLP624-2(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2(LF5,F) -
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ECAD 2717 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP624 - 1 (illimitato) 264-TLP624-2(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP731(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(GB-LF1,F) -
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ECAD 7795 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (illimitato) 264-TLP731(GB-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
PS2833-4-V-A Renesas Electronics America Inc PS2833-4-VA 10.3900
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ECAD 1330 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Striscia Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) PS2833 DC 4 Darlington 16-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 10 60mA 20 µs, 5 µs 350 V 1,2 V 50 mA 2500 Vrm 400% a 1 mA 4500% a 1 mA - 1 V
FOD4218 Fairchild Semiconductor FOD4218 -
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ECAD 1869 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD421 cUL, FIMKO, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500 µA NO 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(DLT-HR,F) -
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ECAD 9568 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781(DLT-HRF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2370(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(E 1.7900
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ECAD 5671 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2370 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP2370(E EAR99 8541.49.8000 125 10 mA 20Mbps 3ns, 2ns 1,5 V 8mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
6N134TXVB Broadcom Limited 6N134TXVB 143.2812
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ECAD 1917 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) 6N134 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 16-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 35ns, 35ns 1,55 V 20 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 100ns, 100ns
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-BL-TP1,F -
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ECAD 7743 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (illimitato) 264-TLP731(D4-BL-TP1F EAR99 8541.49.8000 1.500
RV1S2752QKCSP-1000N#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S2752QKCSP-1000N#SC0 3.5300
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ECAD 880 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Striscia Attivo RV1S2752 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 20
HCPL0530 Fairchild Semiconductor HCPL0530 1.7900
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ECAD 6 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 3.000 8mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
H11AA4SD Fairchild Semiconductor H11AA4SD -
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ECAD 8537 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
ORPC-815S-TP-C-G Shenzhen Orient Components Co., Ltd ORPC-815S-TP-CG 0,7800
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ECAD 2775 0.00000000 Shenzhen Oriente Components Co., Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2.000
FOD617CS onsemi FOD617CS -
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ECAD 3068 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD617 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
6N136S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd 6N136S1(TB) -
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ECAD 9984 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3901360006 EAR99 8541.49.8000 1.000 8mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 350ns, 300ns -
JAN4N23A TT Electronics/Optek Technology JAN4N23A -
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ECAD 1305 0.00000000 Tecnologia TT Electronics/Optek - Massa Obsoleto -55°C ~ 125°C Foro passante TO-78-6 Lattina di metallo DC 1 Transistor con base TO-78-6 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 365-1954 EAR99 8541.49.8000 1 50mA 20μs, 20μs (massimo) 40 V 1,5 V (massimo) 40 mA 1000 V CC 60% a 10 mA - - 300mV
EL816(S1)(C)(TU)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816(S1)(C)(TU)-V -
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ECAD 9209 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL816 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
TLP2366(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(TPL,E 1.4000
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ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2366 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 mA 20 MBd 15ns, 15ns 1,61 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
TLP188(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(GB-TPL,E 0,8300
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ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP188 DC 1 Transistor 6-SOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 350 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP290(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GB,SE 0,5100
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ECAD 2539 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Design non per nuovi -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP290 CA, CC 1 Transistor 4-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 175 50mA 4μs, 7μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 400% a 5 mA 7μs, 7μs 300mV
TLP160J(V4T7TLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4T7TLUC,F -
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ECAD 6563 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP160 - 1 (illimitato) 264-TLP160J(V4T7TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
ACPL-K73A-000E Broadcom Limited ACPL-K73A-000E 3.2056
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ECAD 9270 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,268", larghezza 6,81 mm) ACPL-K73 CA, CC 2 Darlington con base 8-SO allungato scaricamento REACH Inalterato 516-ACPL-K73A-000E EAR99 8541.49.8000 80 60mA - 18 V 1,4 V 20 mA 5000 Vrm 800% a 40μA 25000% a 40μA - -
EL3H7(J)(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7(J)(TB)-G -
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ECAD 4453 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) EL3H7 DC 1 Transistor 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 5.000 50mA 5μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 200mV
OR-MOC3083(L) Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-MOC3083(L) 0,7400
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ECAD 2151 0.00000000 Shenzhen Oriente Components Co., Ltd - Tubo Attivo - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 5007-OR-MOC3083(L) 3.300
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock