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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP265J(V4-TPL,E | 0,8400 |  | 2042 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 10mA | 20 µs | ||||||||||||||||
 | HCPL-2630-500E | 4.4600 | | 7619 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-2630 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10 MBd | 24ns, 10ns | 1,5 V | 15 mA | 3750 Vrm | 2/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | TLP9114B(HNE-TL,F) | - | | 9858 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS2561L1-1-VHA | - | | 4468 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1376 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | NTE3095 | 14.0000 | | 156 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Borsa | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2368-NTE3095 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 15 V | 1,66 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | - | 300ns, 200ns | - | |||||||||||||||||
 | K817P1 | - | | 2162 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | K817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | MOC119M | - | | 7923 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 300% a 10 mA | - | 3,5 µs, 95 µs | 1 V | ||||||||||||||||||
| SFH617A-4X001 | 1.0300 | | 9292 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD815SD | 0,1800 | | 7058 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -30°C~105°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 27 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600% a 1 mA | 7500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||||||
 | PC81712NIP0X | - | | 1917 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 5000 Vrm | 160% a 500μA | 400% a 500μA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
 | PS9122-V-AX | 5.8100 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Striscia | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | PS9122 | DC | 1 | Collettore aperto | 7V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 20 mA | 1Mbps | 60ns, 70ns | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 700ns, 500ns | |||||||||||||||
 | EL3082M | - | | 8084 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL3082 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903820001 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 600 V/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
| PS8302L-AX | - | | 9081 | 0.00000000 | Renesas | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-SDIP | - | 2156-PS8302L-AX | 1 | 8mA | - | 35 V | 1,6 V | 25 mA | 5000 Vrm | 15% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||
 | SFH6156-2 | 0,8100 | | 11 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH6156 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | LTV-217-G | 0,5800 | | 29 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-2X7 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | LTV-217 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | VOM617A-X001T | 0,5700 | | 4 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOM617 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 6μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP372(HO,F) | - | | 7776 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP372 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP372(HOF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS2701-1-VMA | - | | 6307 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Striscia | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1426 | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | 6N135SDM | 1.8700 | | 6223 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N135 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 230ns, 450ns | - | |||||||||||||||
 | ILQ620GB-X009 | 4.2800 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | ILQ620 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 20μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC3033M | 0,4600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC303 | UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 659 | 1,25 V | 60 mA | 4170Vrm | 250 V | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||||||
| 5962-9085401KYC | 548.9343 | | 7513 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | Giunto di testa 8-SMD | 5962-9085401 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20 V | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 9% a 16 mA | - | 400ns, 1μs | - | |||||||||||||||
 | TLP525G(TP1,F) | - | | 3696 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | CSA, cUL, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 264-TLP525G(TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 400 V | 100 mA | 600μA | NO | 200 V/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||||
| H11C5S | - | | 3615 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11C | UR | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11C5S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300 mA | - | NO | 500 V/μs | 20 mA | - | |||||||||||||||
| SFH1690BT-X001 | 0,3086 | | 1613 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH1690 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 70 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 5μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2701A-1-F3-A | - | | 4642 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 30mA | 5μs, 7μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | MOC3073SM | 1.7800 | | 496 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC307 | UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 800 V | 540 µA (sugger.) | NO | 1kV/μs | 6mA | - | ||||||||||||||||
 | ACPL-K44T-500E | 5.8200 | | 2 | 0.00000000 | Broadcom limitata | Automotive, AEC-Q100, R²Coupler™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,268", larghezza 6,81 mm) | ACPL-K44 | DC | 2 | Transistor | 8-SO allungato | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8mA | - | 20 V | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 32% a 10 mA | 100% a 10 mA | 150 n., 500 n | - | |||||||||||||||
| TIL117FM | - | | 8574 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | TIL117 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | TIL117FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 2μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | 10μs, 10μs (massimo) | 400mV | |||||||||||||||
 | FODM3052R1 | - | | 5074 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 10mA | - |
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