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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (massimo) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
EL816S2(A)(TU)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816S2(A)(TU)-V 0,1520
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ECAD 4270 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL816 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD - 1080-EL816S2(A)(TU)-VTR EAR99 8541.41.0000 2.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 200mV
ILD207T-LB Vishay Semiconductor Opto Division ILD207T-LB -
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ECAD 4878 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor ILD207T Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Transistor 8-SOIC - 751-ILD207T-LB EAR99 8541.49.8000 1.000 - 3μs, 4,7μs 70 V 1,2 V 30 mA 4000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 6μs, 5μs 400mV
CNX39US onsemi CNX39US -
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ECAD 3038 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX39 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX39US-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 60% a 10 mA 100% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
PS2705-1-V-F3-L-A Renesas Electronics America Inc PS2705-1-V-F3-LA -
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ECAD 4368 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2705 CA, CC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1456-2 EAR99 8541.49.8000 3.500 80 mA 3μs, 5μs 40 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
4N28FR2M onsemi 4N28FR2M -
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ECAD 4859 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N28 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N28FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
CNY17F-2S-TA Lite-On Inc. CNY17F-2S-TA -
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ECAD 8053 0.00000000 Lite-On Inc. CNY17F Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) CNY17F2STA EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 5μs, 5μs 70 V 1,45 V 60 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 300mV
MOCD207D2M onsemi MOCD207D2M 1.6300
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD207 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
H11B255S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11B255S1(TB)-V -
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ECAD 2196 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B2 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C130000012 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
HCPL-4506#300 Broadcom Limited HCPL-4506#300 2.1896
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ECAD 9949 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-4506 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 30 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 15 mA - - 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 15 kV/μs 550ns, 400ns
CNY17F-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-2X017T 0,8900
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,39 V 60 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
HCPL-260L-320E Broadcom Limited HCPL-260L-320E 1.3829
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ECAD 3595 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-260 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 15 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
MOC8020-M onsemi MOC8020-M -
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ECAD 6491 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC802 DC 1 Darlington 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8020-MQT EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 50 V - 60 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - - 2V
VO615A-3X008T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-3X008T 0,4700
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ECAD 2 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano VO615 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 4,7μs 70 V 1,43 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 6μs, 5μs 300mV
HCPL-5530#200 Broadcom Limited HCPL-5530#200 93.0916
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ECAD 8446 0.00000000 Broadcom limitata - Massa Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-5530 DC 2 Transistor con base 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 3A001A2C 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,55 V 20 mA 1500 V CC 9% a 16 mA - 400ns, 1μs -
PC4H520NIP Sharp Microelectronics PC4H520NIP -
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ECAD 4215 0.00000000 Microelettronica Sharp - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Darlington 4-Mini-Appartamenti scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 120 mA 100 µs, 20 µs 350 V 1,2 V 50 mA 2500 Vrm 1000% a 1 mA - - 1,4 V
4N36VM onsemi 4N36VM -
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ECAD 3370 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N36 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N36VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
HCPL0530R2 onsemi HCPL0530R2 -
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ECAD 5137 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL05 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
FOD4116SV onsemi FOD4116SV 2.4126
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ECAD 7128 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4116 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
TCLT1011 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1011 0,2596
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ECAD 7968 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo - - - TCLT1011 - - - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 - - - - - - - - -
OCP-PCT114/C Lumex Opto/Components Inc. OCP-PCT114/C -
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ECAD 6192 0.00000000 Lumex Opto/Componenti Inc. - Tubo Attivo -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) OCP-PCT114 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5μs, 4μs 60 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 60% a 2 mA 600% a 2 mA - 300mV
PS2705A-1-A CEL PS2705A-1-A -
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ECAD 6159 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 30mA 5μs, 7μs 70 V 1,2 V 30 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
4N35TVM onsemi 4N35TVM 0,6300
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N35 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA - 2μs, 2μs 300mV
HCPL-2730-300E Broadcom Limited HCPL-2730-300E 1.6123
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ECAD 7708 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-2730 DC 2 Darlington Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 60mA - 7V 1,4 V 12 mA 3750 Vrm 300% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 5μs, 10μs 100mV
PC123FY5J00F Sharp Microelectronics PC123FY5J00F -
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ECAD 7059 0.00000000 Microelettronica Sharp - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
HCPL-5530#100 Broadcom Limited HCPL-5530#100 90.4062
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ECAD 5156 0.00000000 Broadcom limitata - Massa Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale Giunto di testa 8-SMD HCPL-5530 DC 2 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,55 V 20 mA 1500 V CC 9% a 16 mA - 400ns, 1μs -
QT1010T1-W QT Brightek (QTB) QT1010T1-W 0,9200
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ECAD 13 0.00000000 QT Brightek (QTB) Accoppiatore ottico Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano QT1010 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2,8 µs, 4 µs 80 V 1,42 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 4,8 µs, 4,2 µs 400mV
SFH6326-X017 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6326-X017 0,9440
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ECAD 4441 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano SFH6326 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 8 mA - 25 V 1,33 V 25 mA 5300 Vrm 19% a 16 mA - 200ns, 500ns -
LTV-817S Lite-On Inc. LTV-817S 0,4200
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ECAD 54 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8x7 Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano LTV-817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
MOC208R1M onsemi MOC208R1M -
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ECAD 9467 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOC208 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC208R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 125% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
MCT62SD onsemi MCT62SD 1.3100
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ECAD 12 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano MCT62 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock