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Optoisolatori(15749)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HCPL-2430-300E Broadcom Limited HCPL-2430-300E 13.6100
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 ECAD 1286 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-2430 DC 2 Push-pull, totem 4,75 V ~ 5,25 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 40MBd 20ns, 10ns 1,3 V 10mA 3750 Vrm 2/0 1kV/μs 55ns, 55ns
H11A5M-V Everlight Electronics Co Ltd H11A5M-V -
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 ECAD 5097 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11A5 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907171155 EAR99 8541.49.8000 65 - - 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 30% a 10 mA - 3μs, 3μs 400mV
LDA110S IXYS Integrated Circuits Division LDA110S -
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 ECAD 8279 0.00000000 Divisione Circuiti Integrati IXYS - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano LDA110 CA, CC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 30 V 1,2 V 100 mA 3750 Vrm 300% a 1 mA 30000% a 1 mA 8μs, 345μs 1 V
HCPL-5200#300 Broadcom Limited HCPL-5200#300 96.0933
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 ECAD 7212 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-CSMD, Ala di gabbiano HCPL-5200 DC 1 Tri-Stato 4,5 V~20 V Ala di gabbiano 8-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 5 MBd 45ns, 10ns 1,3 V 8 mA 1500 V CC 1/0 1kV/μs 350ns, 350ns
H11AV1FVM onsemi H11AV1FVM -
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 ECAD 5570 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AV1FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 70 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 15μs, 15μs (massimo) 400mV
4N39300W onsemi 4N39300W -
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 ECAD 7194 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N39 UR, VDE 1 SCR 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N39300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 200 V 300 mA 1mA NO 500 V/μs 30mA 50 µs (massimo)
MOC8102S onsemi MOC8102S -
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 ECAD 4608 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8102S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
74OL6001300 onsemi 74OL6001300 -
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 ECAD 1914 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
PS2561AL-1-N-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL-1-NA -
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 ECAD 1878 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2561 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1278 EAR99 8541.49.8000 100 30mA 3μs, 5μs 70 V 1,2 V 30 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
IL4117-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL4117-X001 -
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 ECAD 6560 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) IL4117 BSI, CSA, cUR, FIMKO, UR, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 700 V 300 mA 200μA SÌ 10 kV/μs 1,3 mA 35 µs
HMHA2801R1 onsemi HMHA2801R1 -
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 ECAD 3343 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
HCPL-0701 Broadcom Limited HCPL-0701 3.3200
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 ECAD 400 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL-0701 DC 1 Darlington con base 8-SO scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 516-1010-5 EAR99 8541.49.8000 100 60mA - 18 V 1,4 V 20 mA 3750 Vrm 500% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 200ns, 2μs -
HCNW138-300E Broadcom Limited HCNW138-300E 0,9329
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 ECAD 2685 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCNW138 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 42 60mA - 7V 1,45 V 20 mA 5000 Vrm 300% a 1,6 mA - 11μs, 70μs -
H11F13SD onsemi H11F13SD -
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 ECAD 1189 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11F DC 1 MOSFET 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11F13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm - - 25 µs, 25 µs (massimo) -
PC844IJ1 Sharp Microelectronics PC844IJ1 -
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 ECAD 7662 0.00000000 Microelettronica Sharp - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 16-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 4 Transistor 16-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) 425-1493-5 EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
PC815XYJ000F Sharp Microelectronics PC815XYJ000F -
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 ECAD 1244 0.00000000 Microelettronica Sharp - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
HCPL-0601#060 Broadcom Limited HCPL-0601#060 -
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 ECAD 6536 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO alto scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50 mA 10 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 100ns, 100ns
4N25S Lite-On Inc. 4N25S 0,4700
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 ECAD 3 0.00000000 Lite-On Inc. 4N2X Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 65 100mA 3μs, 3μs 30 V 1,2 V 80 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - - 500mV
HCPL-261A-000E Broadcom Limited HCPL-261A-000E 3.3000
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 ECAD 517 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-261 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10 MBd 42ns, 12ns 1,3 V 10mA 3750 Vrm 1/0 1kV/μs 100ns, 100ns
8430000000 Weidmüller 8430000000 -
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 ECAD 2722 0.00000000 Weidmüller - Massa Obsoleto -25°C~60°C GuidaDIN Modulo DC 1 Transistor - scaricamento Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 50mA - 24 V - - - - - -
TLP293-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(LA,E 1.6000
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 ECAD 5468 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) TLP293 DC 4 Transistor 16-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 500μA 600% a 500μA 3μs, 3μs 300mV
HCPL-260L-320E Broadcom Limited HCPL-260L-320E 1.3829
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 ECAD 3595 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-260 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 15 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
MOC8101-X017T Vishay Semiconductor Opto Division MOC8101-X017T 1.4400
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 ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC8101 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2μs, 2μs 30 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA 80% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
TLP9121A(HNEGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(HNEGBTL,F -
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 ECAD 3405 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Massa Obsoleto - 264-TLP9121A(HNEGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
VO205AT Vishay Semiconductor Opto Division VO205AT 0,6900
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 ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) VO205 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 2μs 70 V 1,3 V 60 mA 4000 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 3μs, 3μs 400mV
ILD615-4X001 Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-4X001 0,6582
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 ECAD 6321 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ILD615 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 160% a 320 mA 320% a 10 mA 3μs, 2,3μs -
H11B13SD onsemi H11B13SD -
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 ECAD 2940 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 500% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
PS9821-1-A CEL PS9821-1-A -
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 ECAD 2186 0.00000000 CEL NEPOC Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Collettore aperto 2,7 V ~ 3,6 V 8-SSOP scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PS9821-1 EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 15Mbps 20ns, 5ns 1,65 V 20 mA 2500 Vrm 1/0 15 kV/μs 75ns, 75ns
HCNW138-500E Broadcom Limited HCNW138-500E 2.4800
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 ECAD 8936 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCNW138 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 750 60mA - 7V 1,45 V 20 mA 5000 Vrm 300% a 1,6 mA - 11μs, 70μs -
CNY17-4S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17-4S1(TA)-V -
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 ECAD 3359 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17-4 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907171770 EAR99 8541.49.8000 1.000 - 6μs, 8μs 80 V 1,65 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 10μs, 9μs 300mV
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    2000+

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    30.000.000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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