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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H11B2553S | - |  | 4033 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11B | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11B2553S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | |||||||
 | TLP5702(D4-TP,E | - | | 9095 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5702(D4-TPETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 mA | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 200ns, 200ns | ||||||||
 | PC3HU72YIP1B | - | | 3964 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PC3HU72 | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | - | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||
 | IL250-X009 | - | | 6777 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | IL250 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||
 | FOD2743AT | - | | 9645 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-MDIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,07 V | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 100% a 1 mA | - | 400mV | |||||||||
| HCPL-5401 | 143.8589 | | 9857 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-5401 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,75 V ~ 5,25 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 40Mbps | 15ns, 10ns | 1,35 V | 10mA | 1500 V CC | 1/0 | 500 V/μs | 60ns, 60ns | |||||||
| IL300-E-X001 | - | | 4947 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL300 | DC | 1 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 70μA (suggerimento) | 1μs, 1μs | 500mV | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | - | - | - | - | ||||||||
 | H11A5300 | - | | 1880 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11A5300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 30% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||
 | TLP385(D4-BL,E | 0,5500 | | 8372 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(D4-BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||
 | HCPL-4701-520E | 1.8376 | | 3070 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-4701 | DC | 1 | Darlington con base | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,25 V | 10 mA | 5000 Vrm | 600% a 500μA | 8000% a 500μA | 3μs, 34μs | - | |||||||
| PS2845-4A-F3-AX | 3.2965 | | 9426 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 12-SOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2845 | CA, CC | 4 | Transistor | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1535-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 20 mA | 20 µs, 110 µs | 70 V | 1,1 V | 20 mA | 1500 Vrm | 100% a 1 mA | 400% a 1 mA | - | 300mV | |||||||
 | CNY17F-4S(TB) | - | | 6606 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171731 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | |||||||
 | EL3H7(EA)-VG | 0,2025 | | 1502 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C110001540 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||
 | ISP817AXSMT/R | 0,5000 | | 996 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | ISP817 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | |||||||
| TLP550(LF1,F) | - | | 1425 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP550(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
| EL3H7(B)(TB)-G | 0,1940 | | 6323 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903H70009 | EAR99 | 8541.49.8000 | 5.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | |||||||
 | SFH617A-3X016 | 1.1200 | | 958 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | SFH617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||
 | TLP2301(E | 0,6100 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP2301 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | - | 40 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 1 mA | 600% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||
 | TLP590B(C,F) | 3.1500 | | 23 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | TLP590 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-DIP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | Q3885930 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 12 µA | - | 7V | 1,4 V | 50 mA | 2500 Vrm | - | - | 200 µs, 1 ms | - | |||||||
 | H11G23S | - | | 1464 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11G | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11G23S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 80 V | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 1000% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs | 1 V | |||||||
 | LDA102S | - | | 4782 | 0.00000000 | Divisione Circuiti Integrati IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | LDA102 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 30 V | 1,2 V | 1 mA | 3750 Vrm | 50% a 1 mA | - | 7μs, 20μs | 500mV | |||||||
| HCPL-2601-000E | 2.8100 | | 8 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-2601 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 10 MBd | 24ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||
 | PS9587L2-AX | - | | 3390 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1,65 V | 30mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||
| EL2530 | 1.9855 | | 8699 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C190000029 | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 350ns, 300ns | - | ||||||||
| H11L1SR2VM | 1.2500 | | 133 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11L1 | DC | 1 | Collettore aperto | 3V~15V | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 1 megahertz | 100ns, 100ns | 1,2 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 4μs, 4μs | |||||||
 | VO615A-3X008T | 0,4700 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,43 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||
 | FOD2741CSV | - | | 3500 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||
 | HCPL-814-300E | 0,6600 | | 17 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-814 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | |||||||
| PC957L0NSZ | - | | 9499 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | OPIC™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1546-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,7 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 400ns | - | ||||||||
 | 4N38 | 0,6300 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N38 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 20 mA | - | 10μs, 10μs | - |
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