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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCT5211S | - |  | 9634 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MCT5 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT5211S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 5300 Vrm | 150% a 1,6 mA | - | 14μs, 2,5μs | 400mV | |||||||||||||||
 | SFH615A-3XSMT/R | 0,5100 | | 3 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH615 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 14μs | 70 V | 1,65 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | SFH6186-3X002 | - | | 2256 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH6186 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3,5 µs, 5 µs | 55 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 1 mA | 200% a 1 mA | 6μs, 5,5μs | 400mV | |||||||||||||||
 | K3010PG | - | | 2118 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | K3010 | BSI, CQC, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,25 V | 80 mA | 5300 Vrm | 250 V | 100 mA | 100μA (suggerimento) | NO | 10 kV/μs (tip.) | 15 mA | - | ||||||||||||||||
 | TLP127(TOJS-TPR,F) | - | | 9653 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(TOJS-TPRF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
 | PS2802-1-F3-KA | - | | 7896 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Darlington | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 90 mA | 200 µs, 200 µs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 2000% a 1 mA | - | - | 1 V | ||||||||||||||||
 | ACPL-1770L | 93.4433 | | 6663 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 16 CDIP (0,300", 7,62 mm) | ACPL-1770 | DC | 4 | Darlington | 16-CDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 6μs | - | |||||||||||||||
 | PC3H7BJ0001B | - | | 8601 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | - | - | - | 200mV | |||||||||||||||||
| H11C43SD | - | | 4056 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11C | UR, VDE | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11C43SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300 mA | - | NO | 500 V/μs | 20 mA | - | |||||||||||||||
 | HCPL-2731-020E | 1.8153 | | 4079 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-2731 | DC | 2 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 12 mA | 5000 Vrm | 500% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 5μs, 10μs | 100mV | |||||||||||||||
| SFH640-3X007 | 2.0300 | | 5754 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | SFH640 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,5 µs, 5,5 µs | 300 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 5μs, 6μs | 400mV | |||||||||||||||
 | H11AA1 | - | | 9371 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||||
| EL1119(TB)-V | - | | 3667 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori | EL1119 | DC | 1 | Transistor con base | 5-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 4μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| HCPL-2300-000E | 7.5200 | | 40 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-2300 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,75 V ~ 5,25 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 5 MBd | 40ns, 20ns | 1,3 V | 5 mA (suggerimento) | 3750 Vrm | 1/0 | 100 V/μs | 160ns, 200ns | |||||||||||||||
 | HCPL-4503-560E | 1.0762 | | 4083 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-4503 | DC | 1 | Transistor | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
 | JANTX4N48 | 29.4910 | | 6544 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | JANTX4 | DC | 1 | Transistor con base | TO-78-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 365-1970 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 20μs, 20μs (massimo) | 40 V | 1,5 V (massimo) | 40 mA | 1000 V CC | 100% a 1 mA | 500% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | H11A817B | - | | 9575 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | 4N33SR2M | 0,7900 | | 12 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N33 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 4170Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V | |||||||||||||||
| 6N139-500E | 1.7800 | | 6 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N139 | DC | 1 | Darlington con base | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 500% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 200ns, 2μs | - | |||||||||||||||
 | CNY65ST | 2.9300 | | 216 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CNY65 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mA | 2,4 µs, 2,7 µs | 32V | 1,32 V | 75 mA | 8200 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | 5μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
| TLP120(GB,F) | - | | 5979 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP120 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP120(GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | MOC8111TM | - | | 6489 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC811 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 11μs | 70 V | 1,15 V | 90 mA | 7500Vpk | 20% a 10 mA | - | 3μs, 18μs | 400mV | ||||||||||||||||
| CNY171VM | 0,9200 | | 990 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY171 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | HCPL-0708-000E | - | | 8793 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-0708 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SO Alto | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 2 mA | 15 MBd | 20ns, 25ns | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
 | CNY17-2XSM | 0,6200 | | 152 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS9121-AX | - | | 3029 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 3,6 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | PS9121AX | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | 15Mbps | 20ns, 5ns | 1,65 V | 30mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | APS1551S | 3.2635 | | 9787 | 0.00000000 | Lavori elettrici Panasonic | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | APS1551 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 mA | 50Mbps | 4ns, 5ns | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 30ns, 30ns | |||||||||||||||||
 | 4N37M | 0,1095 | | 9885 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | 4N3X | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | 4N37 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 100mA | 3μs, 3μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 1500 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | 4N25S | 0,4700 | | 3 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | 4N2X | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N25 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 100mA | 3μs, 3μs | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | ||||||||||||||||
 | 4N37 | 0,4600 | | 4 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | 4N3X | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N37 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 160-1306-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 100mA | 3μs, 3μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 1500 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 300mV |
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