SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
ILQ615-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ615-2X007 3.5200
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 16-SMD, Ala di gabbiano ILQ615 DC 4 Transistor 16-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 25 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 3μs, 2,3μs -
4N25S Lite-On Inc. 4N25S 0,4700
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ECAD 3 0.00000000 Lite-On Inc. 4N2X Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 65 100mA 3μs, 3μs 30 V 1,2 V 80 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - - 500mV
PS2705A-1-A CEL PS2705A-1-A -
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ECAD 6159 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 30mA 5μs, 7μs 70 V 1,2 V 30 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
MOC3043VM onsemi MOC3043VM 2.0400
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ECAD 800 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 5mA -
6N138WV onsemi 6N138WV -
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ECAD 2915 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) 6N138 DC 1 Darlington con base 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,3 V 20 mA 2500 Vrm 300% a 1,6 mA - 1,5 µs, 7 µs -
PS2561L-1 CEL PS2561L-1 -
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ECAD 2291 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
8430080000 Weidmüller 8430080000 -
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ECAD 8941 0.00000000 Weidmüller - Massa Obsoleto -25°C ~ 50°C GuidaDIN Modulo DC 1 Transistor - scaricamento Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 5A - 24 V - - - - - -
MOC3021TVM onsemi MOC3021TVM 0,9300
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ECAD 789 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3021TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
EL2601S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL2601S1(TA) 0,7503
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ECAD 5231 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano EL2601 DC 1 Collettore aperto 7V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C180000084 EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 40ns, 10ns 1,4 V 50mA 5000 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
H11A3S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd H11A3S(TA)-V -
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ECAD 3139 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A3 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907171132 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 10 mA - 3μs, 3μs 400mV
MOC3023FR2M onsemi MOC3023FR2M -
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ECAD 1794 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3023FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 400 V 100μA (suggerimento) NO - 5mA -
74OL6001300 onsemi 74OL6001300 -
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ECAD 1914 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
PS2561AL-1-N-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL-1-NA -
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ECAD 1878 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2561 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1278 EAR99 8541.49.8000 100 30mA 3μs, 5μs 70 V 1,2 V 30 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
PS2561DL2-1Y-W-A Renesas Electronics America Inc PS2561DL2-1Y-WA -
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ECAD 2265 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2561 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1357 EAR99 8541.49.8000 400 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,2 V 40 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
HCPL-4562-520E Broadcom Limited HCPL-4562-520E 1.6602
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ECAD 3100 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-4562 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,3 V 12 mA 5000 Vrm - - - -
EL3083M Everlight Electronics Co Ltd EL3083M 0,9270
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ECAD 3053 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) EL3083 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903830001 EAR99 8541.49.8000 65 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 800 V 100 mA 280 µA (sugger.) 600 V/μs 5mA -
CNY1743S onsemi CNY1743S -
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ECAD 3366 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY174 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY1743S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
SFH617A-2XSM Isocom Components 2004 LTD SFH617A-2XSM 0,6200
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ECAD 2901 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Tubo Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano SFH617 DC 1 Transistor - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,65 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 400mV
Q3053 QT Brightek (QTB) Q3053 0,7168
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ECAD 4060 0.00000000 QT Brightek (QTB) Q305X Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) Q30 UR, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1516-1014 EAR99 8541.49.8000 60 1,18 V 60 mA 5000 Vrm 600 V 250 µA (sugger.) NO 1kV/μs 5mA -
HCPL-4503-560E Broadcom Limited HCPL-4503-560E 1.0762
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ECAD 4083 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-4503 DC 1 Transistor Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 200ns, 600ns -
74OL60003S onsemi 74OL60003S -
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ECAD 7934 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
CNX35U300 onsemi CNX35U300 -
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ECAD 4996 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNX35 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX35U300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 160% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
MCT61W onsemi MCT61W -
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ECAD 1125 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) MCT61 DC 2 Transistor 8-MDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT61W-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 30mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400mV
EL3023S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3023S(TA)-V 1.0400
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ECAD 16 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano EL3023 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 5000 Vrm 400 V 100 mA 250 µA (sugger.) NO 100 V/μs (punta) 5mA -
PS2561D-1Y-W-A Renesas Electronics America Inc PS2561D-1Y-WA 0,5100
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ECAD 6484 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1136 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,2 V 40 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
LTV-852S-TA Lite-On Inc. LTV-852S-TA 0,2464
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ECAD 8337 0.00000000 Lite-On Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano LTV-852 DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 1000% a 1 mA 15000% a 1 mA - 1,2 V
MOC8102S onsemi MOC8102S -
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ECAD 4608 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC810 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8102S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 73% a 10 mA 117% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
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ECAD 9727 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP624 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 8μs, 8μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
FOD4116SV onsemi FOD4116SV 2.4126
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ECAD 7128 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4116 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 600 V 500μA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
CNY17F33SD onsemi CNY17F33SD -
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ECAD 1999 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock