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Optoisolatori(15749)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (massimo)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
EL817(S)(D)(TB)-VG	-	Richiesta di offerta	4547	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		6μs, 8μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
EL3H7(H)(TB)-VG	-	Richiesta di offerta	5351	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	EL3H7	DC		1	Transistor		4-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	5.000	50mA		5μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm							40% a 10 mA	80% a 10 mA	-	200mV
EL4502S(TB)-V	-	Richiesta di offerta	7366	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	EL4502	DC		1	Transistor		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		C170000120	EAR99	8541.49.8000	1.000	8 mA		-	20 V	1,45 V	25 mA	5000 Vrm							19% a 16 mA	50% a 16 mA	350ns, 300ns	-
CNY17F-2X017T	0,8900	Richiesta di offerta	1	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17	DC		1	Transistor		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,39 V	60 mA	5000 Vrm							63% a 10 mA	125% a 10 mA	3μs, 2,3μs	400mV
TLP785(GR,F)	0,6400	Richiesta di offerta	4	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP785	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 5 mA	300% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
PC3SF21YVZBF	-	Richiesta di offerta	6694	Microelettronica Sharp	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SF21		BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE	1	Triac		6-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	50					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA								SÌ	1kV/μs	7mA	50 µs (massimo)
PC3H7J00000F	-	Richiesta di offerta	2033	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		DC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm							20% a 1 mA	400% a 1 mA	-	200mV
E9058-LB	-	Richiesta di offerta	4073	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Massa	Obsoleto	-	-	-	E9058	-			-		-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			OBSOLETO	0000.00.0000	1.000	-		-	-	-		-							-	-	-	-
FOD270LS	-	Richiesta di offerta	9359	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	FOD270	DC		1	Darlington con base		8-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	60mA		-	7V	1,35 V	20 mA	5000 Vrm							400% a 500μA	7000% a 500μA	3μs, 50μs	-
PS2701-1-V-F3-PA	-	Richiesta di offerta	3496	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PS2701	DC		1	Transistor		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	559-1424-2	EAR99	8541.49.8000	3.500	80 mA		3μs, 5μs	40 V	1,1 V	50 mA	3750 Vrm							150% a 5 mA	300% a 5 mA	-	300mV
PC4SD21NTZCF	-	Richiesta di offerta	8263	Microelettronica Sharp	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC4SD21		CSA, UR	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		425-2151-5	EAR99	8541.49.8000	50					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	3,5mA								SÌ	500 V/μs	5mA	50 µs (massimo)
HCNW4506-000E	3.9400	Richiesta di offerta	3169	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	8 DIP (0,400", 10,16 mm)	HCNW4506	DC		1	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 30 V	8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	42	15 mA	-	-		1,6 V	25 mA	5000 Vrm				1/0	15 kV/μs	550ns, 400ns
EL817(D)	0,5300	Richiesta di offerta	100	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	EL817	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3908170904	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		4μs, 3μs	35 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
TLP290(GR-TP,E)	-	Richiesta di offerta	3608	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm)	TLP290	CA, CC		1	Transistor		4-SO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.500	50mA		4μs, 7μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm							100% a 5 mA	300% a 5 mA	7μs, 7μs	300mV
TLP550(TCCJ,F)	-	Richiesta di offerta	3899	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Obsoleto				TLP550							-		1 (illimitato)		264-TLP550(TCCJF)	EAR99	8541.49.8000	50
TLP2631TP1F	-	Richiesta di offerta	5085	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	TLP2631	DC		2	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	8-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.500	16 mA	10 MBd	30ns, 30ns		1,65 V	20 mA	2500 Vrm				2/0	1kV/μs	75ns, 75ns
H11A617C3SD	0,0600	Richiesta di offerta	7619	Semiconduttore Fairchild	-	Massa	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.49.8000	475	50mA		2,4 µs, 2,4 µs	70 V	1,35 V	50 mA	5300 Vrm							100% a 10 mA	200% a 10 mA	-	400mV
PS2933-1-AX	-	Richiesta di offerta	4143	CEL	NEPOC	Striscia	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, conduttori piatti		DC		1	Darlington		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	60mA		20 µs, 5 µs	350 V	1,1 V	50 mA	2500 Vrm							400% a 1 mA	4500% a 1 mA	-	1 V
PS8821-1-F3-A	-	Richiesta di offerta	3938	CEL	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		DC		1	Transistor		8-SSOP	scaricamento		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.49.8000	1.500	8 mA		-	7V	1,7 V	25 mA	2500 Vrm							20% a 16 mA	-	300ns, 500ns	-
H11AA2	-	Richiesta di offerta	5565	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	H11A	CA, CC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	30 V	1,2 V	100 mA	5300 Vrm							10% a 10 mA	-	-	400mV
PS9817A-2-AX	9.9800	Richiesta di offerta	1	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Massa	Design non per nuovi	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PS9817	DC		2	Collettore aperto	4,5 V ~ 5,5 V	8-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	20	25 mA	10Mbps	20ns, 5ns		1,65 V	15 mA	2500 Vrm				2/0	15 kV/μs	75ns, 75ns
4N36-X007	0,2167	Richiesta di offerta	1589	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	4N36	DC		1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		-	30 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 10 mA	-	10μs, 10μs	-
VO617A-3X016	0,4000	Richiesta di offerta	1	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	VO617	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		VO617A3X016	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		2μs, 2μs	80 V	1,35 V	60 mA	5300 Vrm							100% a 5 mA	200% a 5 mA	3μs, 2,3μs	400mV
CNY17F-4S(TA)	-	Richiesta di offerta	5370	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17F	DC		1	Transistor		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3907171730	EAR99	8541.49.8000	1.000	-		6μs, 8μs	80 V	1,65 V (massimo)	60 mA	5000 Vrm							160% a 10 mA	320% a 10 mA	10μs, 9μs	300mV
ACPL-217-56CE	0,7600	Richiesta di offerta	38	Broadcom limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	ACPL-217	DC		1	Transistor		4-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm							200% a 5 mA	400% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
MOC3063TVM	1.0400	Richiesta di offerta	24	onsemi	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)	MOC306		IEC/EN/DIN, UL	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170Vrm	600 V		500μA (suggerimento)								SÌ	600 V/μs	5mA	-
MCT9001	1.0800	Richiesta di offerta	6734	onsemi	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	MCT9	DC		2	Transistor		8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	30mA		2,4 µs, 2,4 µs	55 V	1 V	60 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
4N403S	-	Richiesta di offerta	2084	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	4N40		UR, VDE	1	SCR		6-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	4N403S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000					1,1 V	60 mA	5300 Vrm	400 V	300 mA	1mA								NO	500 V/μs	14mA	50 µs (massimo)
TLP525G(FUJT,F)	-	Richiesta di offerta	7033	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP525		CSA, cUL, UL	1	Triac		4-DIP	scaricamento				264-TLP525G(FUJTF)	EAR99	8541.49.8000	1					1,15 V	50 mA	2500 Vrm	400 V	100 mA	600μA								NO	200 V/μs	10mA	-
FOD817D300W	0,5500	Richiesta di offerta	55	onsemi	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	FOD817	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	2156-FOD817D300W-488	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV