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Optoisolatori(15749)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (massimo) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
EL817(S)(B)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817(S)(B)(TD)-V -
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 ECAD 2542 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
HCPL-2400-360E Broadcom Limited HCPL-2400-360E 3.3854
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 ECAD 1841 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-2400 DC 1 Tri-Stato 4,75 V ~ 5,25 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 40MBd 20ns, 10ns 1,3 V 10mA 3750 Vrm 1/0 1kV/μs 55ns, 55ns
EL816(S1)(Y)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816(S1)(Y)(TB)-V -
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 ECAD 7956 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 200mV
FOD2200V onsemi FOD2200V -
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 ECAD 7984 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) FOD2200 DC 1 Tri-Stato 4,5 V~20 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 25 mA 2,5 MBd 80ns, 25ns 1,4 V 10mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 300ns, 300ns
PS2525L-1-A CEL PS2525L-1-A -
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 ECAD 1845 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,3 V 150 mA 5000 Vrm 20% a 100 mA 80% a 100 mA - 300mV
FODM3022R4_NF098 onsemi FODM3022R4_NF098 -
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 ECAD 3214 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
H11AV1AVM onsemi H11AV1AVM 0,9800
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 ECAD 901 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11AV DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 70 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA 300% a 10 mA 15μs, 15μs (massimo) 400mV
MOC3052FR2VM onsemi MOC3052FR2VM -
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 ECAD 2942 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC305 UR, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3052FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 7500Vpk 600 V 280 µA (sugger.) NO 1kV/μs 10mA -
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902(TPR,U,F) 1.0712
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 ECAD 9472 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP3902 DC 1 Fotovoltaico 6-MFSOP, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 5A991 8541.49.8000 3.000 5μA - 7V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm - - 600 µs, 2 ms -
H11AV2M onsemi H11AV2M -
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 ECAD 1790 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11AV2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 70 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - 15μs, 15μs 400mV
CNW82SD onsemi CNW82SD -
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 ECAD 5350 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNW82 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 50 V - 100 mA 5900 Vrm 0,4% a 10 mA - - 400mV
PS2806-1-F3 CEL PS2806-1-F3 -
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 ECAD 5356 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) CA, CC 1 Darlington 4-SOP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 3.500 90 mA 200 µs, 200 µs 40 V 1,1 V 50 mA 2500 Vrm 200% a 1 mA - - 1 V
TLP5772(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(D4-TP,E 0,9772
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 ECAD 4079 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5772 DC 1 Push-pull, totem 10 V~30 V 6-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP5772(D4-TPE EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15ns, 8ns 1,65 V 8 mA 5000 Vrm 1/0 35 kV/μs 150ns, 150ns
H11B3S onsemi H11B3S -
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 ECAD 4692 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11B DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11B3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 25 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
PS2501L-1-F3-D-A Renesas Electronics America Inc PS2501L-1-F3-DA -
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 ECAD 1056 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2501 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1233-2 EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
VO615A-5X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-5X006 0,1190
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 ECAD 1919 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) VO615 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 3μs, 4,7μs 70 V 1,43 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 6μs, 5μs 300mV
EL815(S1)(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL815(S1)(TB) -
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 ECAD 1978 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
OPIA414BTUA TT Electronics/Optek Technology OPIA414BTUA -
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 ECAD 5476 0.00000000 TT Electronics/Optek Technology - Tubo Obsoleto -30°C ~ 115°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SOP (2,54 mm) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 10 mA 3750 Vrm 100% a 1 mA 600% a 1 mA - 200mV
PC733J00000F Sharp Microelectronics PC733J00000F 0,7472
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 ECAD 4 0.00000000 Microelettronica Sharp * Tubo Obsoleto scaricamento Non applicabile 425-2165-5 EAR99 8541.49.8000 50
HCPL-6531 Broadcom Limited HCPL-6531 108.7900
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 ECAD 18 0.00000000 Broadcom limitata - Massa Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 20-CLCC HCPL-6531 DC 2 Transistor con base 20-LCCC (8,89x8,89) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,55 V 20 mA 1500 V CC 9% a 16 mA - 400ns, 1μs -
PVI5033RS Infineon Technologies PVI5033RS -
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 ECAD 7644 0.00000000 Tecnologie Infineon PVI Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano PVI5033 DC 2 Fotovoltaico 8-SMD scaricamento RoHS non conforme 4 (72 ore) REACH Inalterato *PVI5033RS EAR99 8541.49.8000 50 5μA - 10 V - 40 mA 3750 Vrm - - 2,5 ms, 500 µs (massimo) -
ACPL-M61L-500E Broadcom Limited ACPL-M61L-500E 3.4800
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 ECAD 4506 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori ACPL-M61 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 5-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 10 mA 10 MBd 12ns, 12ns 1,3 V 8 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
HCPL-4562#500 Broadcom Limited HCPL-4562#500 -
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 ECAD 6516 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,3 V 12 mA 3750 Vrm - - - -
HCPL-2400-000E Broadcom Limited HCPL-2400-000E 7.6600
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 ECAD 2 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-2400 DC 1 Tri-Stato 4,75 V ~ 5,25 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 40MBd 20ns, 10ns 1,3 V 10mA 3750 Vrm 1/0 1kV/μs 55ns, 55ns
HCPL-7720 Broadcom Limited HCPL-7720 4.6282
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 ECAD 7467 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-7720 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 516-1112-5 EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 25 MBd 9ns, 8ns - - 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 40ns, 40ns
HCNR200#500 Broadcom Limited HCNR200#500 3.1150
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 ECAD 7856 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCNR200 DC 1 Fotovoltaico, Linearizzato 8-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 750 - - - 1,6 V 25 mA 5000 Vrm 0,25% a 10 mA 0,75% a 10 mA - -
PS2561-4-A CEL PS2561-4-A -
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 ECAD 2893 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 4 Transistor 16-DIP scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 20 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
EL1010(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL1010(TB) -
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 ECAD 3162 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL1010 DC 1 Transistor 4-SOP (2,54 mm) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,45 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 4μs, 3μs 300mV
PS9821-2-AX Renesas PS9821-2-AX -
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 ECAD 1470 0.00000000 Renesas - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Collettore aperto 2,7 V ~ 3,6 V 8-SSOP - 2156-PS9821-2-AX 1 25 mA 15Mbps 20ns, 5ns 1,65 V 15 mA 2500 Vrm 2/0 15 kV/μs 75ns, 75ns
PS2861B-1Y-V-F3-M-A CEL PS2861B-1Y-V-F3-MA -
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 ECAD 8069 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.500 50mA 4μs, 5μs 70 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 300mV
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    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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