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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3C91C | 17.1500 |  | 187 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo | DC | 1 | Transistor | TO-72-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 365-1893 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | - | 50 V | 1,2 V (massimo) | 50 mA | 1000 V CC | 30% a 10 mA | 200% a 10 mA | 9μs, 6μs (massimo) | 400mV | |||||||||||||||
 | 5962-9085501KYC | 502.5563 | | 2864 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | Giunto di testa 8-SMD | 5962-9085501 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | Giunto di testa a 8 DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 35ns, 35ns | 1,5 V | 20 mA | 1500 V CC | 1/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| OR-2631 | 2.4400 | | 1985 | 0.00000000 | Shenzhen Oriente Components Co., Ltd | - | Tubo | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 5007-OR-2631 | 2.250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS2381-1Y-VM-AX | - | | 3374 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 115°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-LSOP (2,54 mm) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | PS23811YVMAX | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 50mA | 4μs, 5μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | CNY17-2-560E | 0,2269 | | 2089 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 5μs, 5μs | 70 V | 1,4 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | VOL617A-4T | 0,5000 | | 50 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOL617 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3,5 µs, 5 µs | 80 V | 1,16 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 5 mA | 320% a 5 mA | 6μs, 5,5μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP627MF(E | 0,9000 | | 89 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP627MF(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
 | HCPL-0454#560 | - | | 3581 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 21% a 16 mA | - | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||
 | FOD2743CS | 0,3600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,07 V | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 100% a 1 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||
 | IS281-4 | 1.6400 | | 18 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | IS281 | DC | 4 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
| TLP127(T-TPR,F) | - | | 8429 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(TEE-TPRF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
| LTV-814-A | 0,1695 | | 7539 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-8x4 | Tubo | Attivo | -50°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | LTV-814 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 160-LTV-814-A | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| FOD2743CSD | 0,3700 | | 985 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,07 V | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 100% a 1 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||
| 6N137SD | 0,9500 | | 17 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1,4 V | 50mA | 2500 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs (tip.) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
 | MOCD208R2VM | 0,4800 | | 7354 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | - | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 2500 Vrm | 40% a 10 mA | 125% a 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | 4N55#300 | 101.9762 | | 2160 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | 4N55 | DC | 2 | Transistor con base | 16-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 18 V | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 9% a 16 mA | - | 400ns, 1μs | - | |||||||||||||||
| TLP512(HITACHI,F) | - | | 4572 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP512(HITACHIF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HCPL-260L-020 | - | | 1182 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 15 MBd | 24ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| TLP785(LF6,F | - | | 7433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP781F(GRH,F) | - | | 8682 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | 4N28X | 0,5700 | | 3664 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mA | 2μs, 2μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 10% a 10 mA | - | - | 500mV | ||||||||||||||||
| TLP734F(D4-GRL,M,F | - | | 4173 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734F(D4-GRLMF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EL211(TB)-V | - | | 8399 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | EL211 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C110000593 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80 V | 1,3 V | 60 mA | 3750 Vrm | 20% a 10 mA | - | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | H11B255S(TA)-V | - | | 2217 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11B2 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C130000010 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | |||||||||||||||
| ISP844SM | 0,7222 | | 3507 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | ISP844 | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 58-ISP844SM | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 7,5 Vpm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| H11A1TVM | - | | 2645 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 50% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| VOT8125AG | 0,3990 | | 3735 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Foro passante | 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori | VOT8125 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 751-VOT8125AG | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
| TLP719(D4FA-TPS,F) | - | | 7188 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-SDIP Ala di gabbiano | - | 264-TLP719(D4FA-TPSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | 800ns, 800ns (massimo) | - | ||||||||||||||||||
| HCPL-2730-020E | 1.6123 | | 5631 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-2730 | DC | 2 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 7V | 1,4 V | 12 mA | 5000 Vrm | 300% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 5μs, 10μs | 100mV | |||||||||||||||
| TLP188(GB,E | 0,8300 | | 4747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP188 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
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