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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1G32D2DS-026 PESO:B TR | 22.8450 |  | 1853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT:BTR | 2.000 | 3,2GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | |||||||||
| S29GL032N11FFIS10 | - | | 5756 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Massa | Attivo | - | 2156-S29GL032N11FFIS10 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR | - | | 2728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-TBGA | MT29F256G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT62F3G32D8DV-026 PESO ES:B TR | 122.7600 | | 5981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C~85°C | - | - | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WTES:BTR | 2.000 | 3,2GHz | Volatile | 96Gbit | DRAM | 3G×32 | Parallelo | - | |||||||||
| IS43LR32320C-5BLI-TR | 8.3524 | | 2827 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LR32320C-5BLI-TR | 2.500 | 208 MHz | Volatile | 1Gbit | 5 nn | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | 14,4ns | ||||||
| S25FL164K0XMFA000 | - | | 3041 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Massa | Attivo | - | 2156-S25FL164K0XMFA000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 5962-9150810MYA | - | | 8842 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Confezione piatta da 68 | 5962-9150810 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 4,5 V ~ 5,5 V | CONFEZIONE DA 68 F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-9150810MYA | OBSOLETO | 9 | Volatile | 128Kbit | 25 ns | SRAM | 16K×8 | Parallelo | 25ns | ||||
 | CY7C1163KV18-400BZI | 37.1400 | | 559 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1163 | SRAM-Sincrono, QDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | 9 | 400 MHz | Volatile | 18Mbit | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | ||||||||
 | MX25U12832FM2I02 | 2.4800 | | 8 | 0.00000000 | Macronix | MXSMIO™ | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | MX25U12832 | FLASH-NOR | 1,65 V~2 V | 8-SOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1092-MX25U12832FM2I02 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 92 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 40 µs, 3 ms | |||
| 28C64A-35B/XA | 16.0000 | | 7144 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | - | - | - | 28C64A | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | - | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Non volatile | 64Kbit | EEPROM | 8K×8 | Parallelo | 1ms | |||||
 | RM25C256C-LTAI-B | - | | 6633 | 0.00000000 | Tecnologie Adesto | Mavriq™ | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | RM25C256 | CBRAM | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | Non volatile | 256Kbit | CBRAM® | Dimensione pagina 64 byte | SPI | 100 µs, 5 ms | ||||
| CG8554AAT | - | | 5582 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | REACH Inalterato | OBSOLETO | 1.000 | |||||||||||||||||||||
| S80KS2563GABHM023 | 13.6850 | | 8568 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | HYPERRAM™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V~2 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 35 ns | PSRAM | 32Mx8 | SPI - I/O ottale | 35ns | ||||||
 | CAT24C04WI-GT3 | 0,1300 | | 8 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | * | Massa | Attivo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-CAT24C04WI-GT3-736 | 2.340 | ||||||||||||||||||||
| IS25LX128-JHLA3-TR | 3.5489 | | 6927 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS25LX128 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LX128-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O ottale | - | |||
 | CY7C1415BV18-167BZC | 44.8600 | | 433 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1415 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | RoHS non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 167 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
| K6X0808C1D-GF70T00 | 3.7500 | | 2 | 0.00000000 | Samsung Semiconduttori, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOP | - | 3277-K6X0808C1D-GF70T00TR | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volatile | 256Kbit | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 70ns | Non verificato | ||||||||
| S27KL0643DPBHA023 | 4.7775 | | 9879 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | HyperRAM™KL | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 64 Mbit | 36 ns | PSRAM | 8Mx8 | SPI - I/O ottale | 36ns | ||||||
 | CY7C1325B-100BC | 4.3100 | | 277 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | CY7C1325 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,15 V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||
| MX29GL640ELTI-70G | 3.5750 | | 9686 | 0.00000000 | Macronix | MX29GL | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | - | 3 (168 ore) | 1092-MX29GL640ELTI-70G | 96 | Non volatile | 64 Mbit | 70 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | CFI | 70ns | ||||||||
 | HM1-65162B-9 | - | | 9058 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Non verificato | |||||||||||||||||
| MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 | 16.7100 | | 5444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | W9812G6KH-5ITR | 1.7328 | | 6869 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | W9812G6 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W9812G6KH-5ITR | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 128Mbit | 4,5 ns | DRAM | 8Mx16 | LVTTL | - | ||
| DS2501P+ | - | | 4414 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Massa | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 175-DS2501P+ | OBSOLETO | 1 | ||||||||||||||||||||
 | CY15B108QI-20LPXI | 33.9700 | | 168 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Excelon™-LP,F-RAM™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UQFN | CY15B108 | FRAM (RAM ferroelettrica) | 1,8 V ~ 3,6 V | 8-GQFN (3,23x3,28) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 20 MHz | Non volatile | 8Mbit | FRAM | 1M x 8 | SPI | - | ||||
 | T9V39AT-C | 130.0000 | | 4947 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-T9V39AT-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | PAL16R6BJ/883 | 15.3400 | | 93 | 0.00000000 | Semiconduttore nazionale | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A001A2C | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY7C1470V33-167BZXI | - | | 2820 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | NoBL™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1470 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volatile | 72Mbit | 3,4 ns | SRAM | 2Mx36 | Parallelo | - | |||
 | S26KS128SDABHI030 | 5.3800 | | 112 | 0.00000000 | Espansione | HyperFlash™KS | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | S26KS128 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100 MHz | Non volatile | 128Mbit | 96 ns | FLASH | 16Mx8 | Parallelo | - | ||||||
 | FM25C040ULEN | 0,4400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | FM25C040 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 megahertz | Non volatile | 4Kbit | EEPROM | 512×8 | SPI | 15 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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