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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT42L64M32D1TK-18IT:C | - |  | 3494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-WFBGA | MT42L64M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 134-FBGA (10x11,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 533 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | - | |||||
 | 71016S15YGI | 2.4100 | | 6565 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71016S | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SOJ | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 91 | Volatile | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 15ns | |||||||
| 40060385 | - | | 8833 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | CY62168DV30LL-55BVXIT | - | | 2118 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62168 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (8x9,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 16Mbit | 55 ns | SRAM | 2Mx8 | Parallelo | 55ns | ||||
 | GV576AT-C | 17.5000 | | 6238 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-GV576AT-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| CY15B108QI-20LPXIT | 24.6848 | | 2292 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Excelon™-LP,F-RAM™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UQFN | FRAM (RAM ferroelettrica) | 1,8 V ~ 3,6 V | 8-GQFN (3,23x3,28) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 2.500 | 20 MHz | Non volatile | 8Mbit | 20 ns | FRAM | 1M x 8 | SPI | - | ||||||
 | STK14C88-5K45M | 2.0000 | | 7 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 32-CDIP (0,300", 7,62 mm) | STK14C88 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-CDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Non volatile | 256Kbit | 45 ns | NVSRAM | 32K×8 | Parallelo | 45ns | Non verificato | |||
 | S25HL512TDPBHM010 | 15.1500 | | 186 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | HL-T | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | S25HL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24 BGA (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | W631GG8NB-09TR | 3.1427 | | 2833 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-VFBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W631GG8NB-09TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 1.066GHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | SSTL_15 | 15ns | ||
| S26HS01GTFPBHI033 | 19.3725 | | 7658 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Sempre™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | FLASH-NORE (SLC) | 1,7 V~2 V | 24-FBGA (8x8) | scaricamento | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 166 MHz | Non volatile | 1Gbit | 5,45 ns | FLASH | 128Mx8 | IperBus | 1,7 ms | ||||||
 | CAT24WC02L | - | | 4288 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | CAT24WC02 | EEPROM | 2,5 V ~ 6 V | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 chilocicli | Non volatile | 2Kbit | 3,5 µs | EEPROM | 256×8 | I²C | 10 ms | |||
 | MT58L32L32PT-10 | 6.5300 | | 28 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L32L32 | SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 1Mbit | 5 nn | SRAM | 32K x 32 | Parallelo | - | |||
| MT62F2G64D8EK-023 PESO:B | 90.4650 | | 6037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT:B | 1 | 4.266GHz | Volatile | 128 Gbit | DRAM | 2G×64 | Parallelo | - | |||||||||
 | 71V256SA12YI | - | | 7530 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-BSOJ (0,300", larghezza 7,62 mm) | 71V256 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 28-SOJ | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 12ns | ||||
 | 70V05L20PFG8 | - | | 3541 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | 70V05L | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-70V05L20PFG8TR | OBSOLETO | 750 | Volatile | 64Kbit | 20 ns | SRAM | 8K×8 | Parallelo | 20ns | |||||||
 | A9845650-C | 29,5000 | | 1225 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A9845650-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | NV24C128MUW3VTBG | 0,6970 | | 7654 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | NV24C128 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-UDFN (2x3) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 megahertz | Non volatile | 128Kbit | 400 n | EEPROM | 16K×8 | I²C | 5 ms | |||
 | FM27C512Q120 | - | | 7758 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | Finestra da 28 CDIP (0,600", 15,24 mm). | FM27C512 | EPROM-UV | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | scaricamento | RoHS non conforme | EAR99 | 8542.32.0061 | 12 | Non volatile | 512Kbit | 120 n | EPROM | 64K×8 | Parallelo | - | ||||||
 | MT29F4T08GMLBEJ4:B TR | - | | 9942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F4T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F4T08GMLBEJ4:BTR | OBSOLETO | 2.000 | Non volatile | 4Tbit | FLASH | 512G x 8 | Parallelo | - | ||||||
| D4EC-2400-16G-C | 195.0000 | | 6614 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-D4EC-2400-16G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| S29AS008J70BFI030 | 1.5800 | | 6 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | AS-J | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | S29AS008 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 48-FBGA (8,15x6,15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 338 | Non volatile | 8Mbit | 70 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | S34ML04G100BHI000 | - | | 8882 | 0.00000000 | Espansione | ML-1 | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | S34ML04 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-BGA (11x9) | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | 25ns | |||||||||
| CY15V104QSN-108BFXI | 19.2125 | | 2108 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | * | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 448-CY15V104QSN-108BFXI | 4.900 | |||||||||||||||||||
 | FM25L04B-DG | - | | 8658 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM™ | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FM25L04 | FRAM (RAM ferroelettrica) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN (4x4,5) | scaricamento | 1 | 20 MHz | Non volatile | 4Kbit | FRAM | 512×8 | SPI | - | Non verificato | ||||||||
 | A6994476-C | 187.5000 | | 9009 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A6994476-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| 7006S20PFG | - | | 8239 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | 7006S20 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-7006S20PFG | OBSOLETO | 1 | Volatile | 128Kbit | 20 ns | SRAM | 16K×8 | Parallelo | 20ns | |||||||
 | IDT71V65803S150PFI | - | | 8588 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V65803 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V65803S150PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,8 n | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | ||
 | S29GL256N90TFIR10 | - | | 7468 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-N | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | S29GL256 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 256Mbit | 90 ns | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 90ns | ||||
 | FM25V02-PG | 13.8600 | | 962 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CAT24C128WI-G | 0,4000 | | 9815 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | CAT24C128 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 megahertz | Non volatile | 128Kbit | 400 n | EEPROM | 16K×8 | I²C | 5 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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