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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CG8952AMT | - |  | 4812 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Interrotto alla SIC | - | REACH Inalterato | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 51-20633Z01-A | - | | 6341 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Interrotto alla SIC | - | REACH Inalterato | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | A3138306-C | 51.2500 | | 7203 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A3138306-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | A8711890-C | 837.5000 | | 9965 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A8711890-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W25M02GWTCIT | - | | 8599 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | W25M02 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25M02GWTCIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | Non volatile | 2Gbit | 8 ns | FLASH | 256Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 700 µs | ||
| AS4C256M16D3LB-10BINTR | - | | 7801 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (13,5x9) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1450-AS4C256M16D3LB-10BINTR | OBSOLETO | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | W66BM6NBUAFJ TR | 5.7600 | | 7715 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | W66BM6 | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-WFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W66BM6NBUAFJTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 1,6GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx16 | LVSTL_11 | 18ns | ||
 | CY7C1021D-10ZSXIT | 4.9800 | | 1340 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY7C1021 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 10ns | ||||
 | 27C128-15 | - | | 8234 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | 27C128 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | Non volatile | 128Kbit | 150 n | EPROM | 16K×8 | Parallelo | - | |||||||
| IS43LQ32640A-062TBLI-TR | 9.2036 | | 2418 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LQ32640A-062TBLI-TR | 2.500 | 1,6GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 64Mx32 | LVSTL | 18ns | ||||||
 | S29GL128N11FFI010 | 5.8587 | | 179 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-N | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 2832-S29GL128N11FFI010 | 179 | Non volatile | 128Mbit | 110 n | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 110ns | Non verificato | |||||
 | CY7C1482BV33-200BZI | - | | 1616 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1482 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | 200 MHz | Volatile | 72Mbit | 3 nn | SRAM | 4Mx18 | Parallelo | - | |||
| N24C08UVTG | - | | 7168 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | Venditore non definito | REACH Inalterato | 2156-N24C08UVTG-488 | 1 | ||||||||||||||||||||
| 5962-8976405MXA | - | | 6804 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 48 DIP (0,600", 15,24 mm) | 5962-8976405 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 4,5 V ~ 5,5 V | SALDATURA A 48 LATI | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-8976405MXA | OBSOLETO | 8 | Volatile | 32Kbit | 45 ns | SRAM | 4K×8 | Parallelo | 45ns | ||||
| W25Q64FWSSBQ | - | | 2457 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | W25Q64 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25Q64FWSSBQ | OBSOLETO | 1 | 104 MHz | Non volatile | 64 Mbit | 6 ns | FLASH | 8Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60μs, 5ms | ||||
 | IDT71V65602S133PF | - | | 9149 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V65602 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V65602S133PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volatile | 9Mbit | 4,2 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
 | FM24C04B-G | - | | 1209 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM™ | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FM24C04 | FRAM (RAM ferroelettrica) | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | Non applicabile | Venditore non definito | 281 | 1 megahertz | Non volatile | 4Kbit | 550 n | FRAM | 512×8 | I²C | - | Non verificato | ||||
| NAND256W3A0BN6FTR | - | | 6763 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | NAND256 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 256Mbit | 50 n | FLASH | 32Mx8 | Parallelo | 50ns | ||||
 | CY62138CV33LL-70BAI | 1.0800 | | 344 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MoBL® | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-TFBGA | CY62138 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 36-FBGA (7x7) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 256K×8 | Parallelo | 70ns | ||||
 | GS8321Z36AGD-333I | 74.8700 | | 18 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 100°C (TJ) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | GS8321Z | SRAM-Sincrono, ZBT | 2,3 V ~ 2,7 V, 3 V ~ 3,6 V | 165-FPBGA (13x15) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 2364-GS8321Z36AGD-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | 333 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | |||
 | C-2133D4DR4RLP/16G | 132.5000 | | 8843 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-C-2133D4DR4RLP/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| 5962-8866509ZA | - | | 8881 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 68-BPGA | 5962-8866509 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PGA (29,46x29,46) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-8866509ZA | OBSOLETO | 3 | Volatile | 32Kbit | 70 ns | SRAM | 2K×16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | 24FC02T-E/ST | 0,3400 | | 4555 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | 24FC02 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 megahertz | Non volatile | 2Kbit | 450 n | EEPROM | 256×8 | I²C | 5 ms | |||
| P00928-B21-C | 3.0000 | | 1805 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-P00928-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MR5A16ACMA35 | 80.3300 | | 5224 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (10x10) | - | Conformità ROHS3 | 6 (Tempo sull'etichetta) | REACH Inalterato | 819-MR5A16ACMA35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | Non volatile | 32Mbit | 35 ns | RAM | 2Mx16 | Parallelo | 35ns | |||
 | S29GL064S90TFI023 | - | | 2145 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, GL-S | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | S29GL064 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 64 Mbit | 90 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 60ns | ||||
| CY10E484L-7DCQ | 53.2000 | | 67 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 75°C (TA) | Foro passante | 28-CDIP (0,400", 10,16 mm) | CY10E484 | SRAM-Asincrono | 4,94 V ~ 5,46 V | 28-CDIP | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 7 ns | SRAM | 4K×4 | Parallelo | 8ns | ||||
| S29GL01GS12FHIV20 | 12.4950 | | 6224 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL01 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 2832-S29GL01GS12FHIV20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | Non volatile | 1Gbit | 120 n | FLASH | 64Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
 | MT58L512L18PS-10 | 8.0000 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L512L18 | SRAM: sincronizzato | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 8Mbit | 5 nn | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | |||
| M25P80-VMN6TP TR | - | | 6444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | M25P80 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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