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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT42L16M32D1AC-25FAAT:A | - |  | 1618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-VFBGA | MT42L16M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | |||||
 | S28HS01GTFPBHI030 | 19.7225 | | 4946 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Sempre™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | FLASH-NORE (SLC) | 1,7 V~2 V | 24-FBGA (8x8) | scaricamento | 2.600 | 166 MHz | Non volatile | 1Gbit | 5,45 ns | FLASH | 128Mx8 | SPI - I/O ottale | 1,7 ms | |||||||||
 | CY7C1370DV25-200BZC | 32.1200 | | 373 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NoBL™ | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1370 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3 nn | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | Non verificato | ||||
 | 71V65703S85BQI | 29.1800 | | 377 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71V65703 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 9Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||||||
 | 24C04AE/P | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 24C04A | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-PDIP | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 chilocicli | Non volatile | 4Kbit | 3,5 µs | EEPROM | 512×8 | I²C | 1ms | |||
 | CAT28C64BGI-12T | - | | 1631 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | CAT28C64 | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11,43x13,97) | scaricamento | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 500 | Non volatile | 64Kbit | 120 n | EEPROM | 8K×8 | Parallelo | 5 ms | |||||
 | FM24C03ULZMT8 | 0,3600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | FM24C03 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 chilocicli | Non volatile | 2Kbit | 3,5 µs | EEPROM | 256×8 | I²C | 15 ms | |||
| IS42SM32200KWS | - | | 4366 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 600-IS42SM32200KWS | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 500664-B21-C | 70.0000 | | 4627 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-500664-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS43TR81280CL-107MBL | 3.5686 | | 3402 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43TR81280CL-107MBL | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | CY7C1399B-15ZXCT | 0,6600 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | CY7C1399 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 28-TSOP I | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Volatile | 256Kbit | 15 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 15ns | ||||
| CG6643AAT | - | | 5550 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 1 | ||||||||||||||||||||
 | IDT71V67602S150PF | - | | 5687 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V67602 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V67602S150PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,8 n | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
 | S80KS2563GABHI020 | 12.6100 | | 318 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | S80KS2563 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V~2 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 338 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 35 ns | PSRAM | 32Mx8 | SPI - I/O ottale | 35ns | |||
 | AT24HC04BN-SP25-T | - | | 3949 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AT24HC04 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | - | 150-AT24HC04BN-SP25-TTR | OBSOLETO | 1.000 | 400 chilocicli | Non volatile | 4Kbit | 900 n | EEPROM | 512×8 | I²C | 5 ms | ||||||
| 7005SJ8 | - | | 7846 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | - | Montaggio superficiale | 68-LCC (conduttore J) | SRAM: doppia porta, asincrona | - | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-7005SJ8TR | 1 | Volatile | 64Kbit | SRAM | 8K×8 | Parallelo | - | ||||||||||
 | CY7C128A-25SC | 1.7300 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | CY7C128A | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 25 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 25ns | |||||||
| 5962-8866516ZA | - | | 3812 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 68-BPGA | 5962-8866516 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PGA (29,46x29,46) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-8866516ZA | OBSOLETO | 3 | Volatile | 32Kbit | 35 ns | SRAM | 2K×16 | Parallelo | 35ns | ||||
 | S29GL512S10TFI010 | 12.6700 | | 27 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-S | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | S29GL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | Venditore non definito | 1 | Non volatile | 512Mbit | 100 n | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 60ns | Verificato | ||||||
 | CY7C144AV-25JC | 15.4000 | | 173 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 68-LCC (conduttore J) | CY7C144 | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 68-PLC (24,23x24,23) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 64Kbit | 25 ns | SRAM | 8K×8 | Parallelo | 25ns | ||||
 | CY7C1020CV33-12ZCT | - | | 8579 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY7C1020 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 512Kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 16 | Parallelo | 12ns | ||||
 | 24FC04-E/ST | 0,3600 | | 90 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | 24FC04 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 megahertz | Non volatile | 4Kbit | 450 n | EEPROM | 256×8×2 | I²C | 5 ms | |||
 | CY7C1021DV33-10VXIT | 3.4300 | | 1 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY7C1021 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 10ns | ||||
 | MEM-DR316L-HL04-ER16-C | 48.5000 | | 9262 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-MEM-DR316L-HL04-ER16-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MEM-DR416L-HL01-ER21-C | 132.5000 | | 2464 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-MEM-DR416L-HL01-ER21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CAT25320VE-GC | 0,5200 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | CAT25320 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 MHz | Non volatile | 32Kbit | EEPROM | 4K×8 | SPI | 5 ms | ||||
 | 70914S15PFG | - | | 8727 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 80-LQFP | 70914S | SRAM: doppia porta, standard | 4,5 V ~ 5,5 V | 80-TQFP (14x14) | - | 800-70914S15PFG | OBSOLETO | 1 | 50 MHz | Volatile | 36Kbit | 15 ns | SRAM | 4K×9 | Parallelo | 15ns | ||||||
| NSEC53K008-ITJ | 22.0054 | | 3102 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | FLASH-NAND (pSLC) | 3,3 V | 153-FBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NSEC53K008-ITJ | 152 | 200 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | eMMC_5 | - | |||||||
| MT40A256M16LY-075:F | 8.3250 | | 4286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | scaricamento | 557-MT40A256M16LY-075:F | 1 | 1.333GHz | Volatile | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 256Mx16 | POD | 15ns | ||||||||
 | CY62127DV30LL-55BVI | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MoBL® | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62127 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 55ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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