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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SST26VF080AT-104I/SN | 1.5000 |  | 9359 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | SST26SQI® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | SST26VF080 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.300 | 104 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 1,5 ms | ||||
 | IS43LR16160H-6BL | 4.8239 | | 2579 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LR16160H-6BL | 300 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||||||
 | CY7C1046BV33-12VC | 7.0000 | | 63 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY7C1046 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-SOJ | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 1M x 4 | Parallelo | 12ns | ||||
 | W25Q80EWZPAG | - | | 6798 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25Q80 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x5) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25Q80EWZPAG | OBSOLETO | 1 | 104 MHz | Non volatile | 8Mbit | 6 ns | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 30 µs, 800 µs | ||||
 | A5816816-C | 37.0000 | | 8845 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A5816816-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | STK14D88-NF35 | - | | 7934 | 0.00000000 | Simtek | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | STK14D88 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Non volatile | 256Kbit | 35 ns | NVSRAM | 32K×8 | Parallelo | 35ns | ||||
 | S26KS512SDGBHB030 | 12.5200 | | 954 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Settore automobilistico, AEC-Q100, HyperFlash™ KS | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | S26KS512 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | 24 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | 96 ns | FLASH | 64Mx8 | Parallelo | - | Non verificato | |||||||
| 819800-001-C | 73,5000 | | 4189 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-819800-001-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| 8905503276 | - | | 9425 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 1.600 | ||||||||||||||||||||
| P38454-B21-C | 370.0000 | | 7779 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-P38454-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C197-15PC | 3.6000 | | 542 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 24 DIP (0,300", 7,62 mm) | CY7C197 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 256Kbit | 15 ns | SRAM | 64K×4 | Parallelo | 15ns | ||||
| C-2400D4QR4LRN/32G | 225.0000 | | 6225 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-C-2400D4QR4LRN/32G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | R1EX24002ASAS0I#S0 | 0,6858 | | 5158 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | R1EX24002 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 chilocicli | Non volatile | 2Kbit | 900 n | EEPROM | 256×8 | I²C | 5 ms | |||
| MT62F1G64D4EK-023 AIT:B TR | 58.0650 | | 1705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C | Montaggio superficiale | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AIT:BTR | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | Parallelo | - | |||||||||
| MPC2605ZP83 | 46.6900 | | 3 | 0.00000000 | Motorola | - | Massa | Attivo | 20°C ~ 110°C (TJ) | Montaggio superficiale | 241-BGA | MPC2605 | RAM | 3.135 V ~ 3.465 V | 241-PBGA (25x25) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 0000.00.0000 | 1 | 83 MHz | Volatile | 256Kbit | RAM | - | Parallelo | - | |||||
| S25FS128SAGBHV200 | 2.8200 | | 185 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Massa | Attivo | - | 2156-S25FS128SAGBHV200 | 107 | ||||||||||||||||||||||
 | CY7C1418JV18-300BZXC | 58.4000 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1418 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
| CY7C1318KV18-333BZC | 30.6800 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1318 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 333 MHz | Volatile | 18Mbit | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
 | FM28V020-SGTR | 11.9900 | | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM™ | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FM28V020 | FRAM (RAM ferroelettrica) | 2 V ~ 3,6 V | 28-SOIC | scaricamento | 1 | Non volatile | 256Kbit | 140 n | FRAM | 32K×8 | Parallelo | 140ns | Non verificato | ||||||||
| SM671PBB-AFST | - | | 9308 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-UFS™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | SM671 | FLASH-NAND (TLC) | - | 153-BGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1984-SM671PBB-AFST | 1 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | UFS2.1 | - | ||||||
 | IDT71V35761S200PF8 | - | | 5041 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V35761 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V35761S200PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
 | SST25PF040CT-40E/MF18GVAO | - | | 9847 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Automobilistico, AEC-Q100, SST25 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | SST25PF040 | FLASH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-WDFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 40 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI | 5 ms | ||||
 | M5M5V108DKV-70H#BT | 6.3000 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MR10Q010MBR | 7.0944 | | 8048 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-LBGA | MR10Q010 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 24 BGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR10Q010MBRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | 40 MHz | Non volatile | 1Mbit | 7 ns | RAM | 128K×8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||
 | IDT71V424S12PH8 | - | | 4767 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IDT71V424 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V424S12PH8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volatile | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 12ns | |||
| CY7C1168KV18-400BZC | 33.7600 | | 887 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1168 | SRAM: sincronizzato, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 400 MHz | Volatile | 18Mbit | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
| 7006S12PFI | - | | 3252 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-7006S12PFI | 1 | Volatile | 128Kbit | 12 ns | SRAM | 16K×8 | Parallelo | 12ns | |||||||||
 | CY7C0851V-167AC | 41.9300 | | 753 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 176-LQFP | CY7C0851 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 3.135 V ~ 3.465 V | 176-TQFP (24x24) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volatile | 2Mbit | SRAM | 64K x 36 | Parallelo | - | ||||
 | FM93C46TLMT8 | - | | 2883 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | 93C46 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 250 chilocicli | Non volatile | 1Kbit | EEPROM | 64×16 | Microfilo | 15 ms | ||||
 | SST26VF016BT-80E/SM70SVAO | - | | 9756 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Automotive, AEC-Q100, SST26 SQI® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | SST26VF016 | FLASH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIJ | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 150-SST26VF016BT-80E/SM70SVAO | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.100 | 80 MHz | Non volatile | 16Mbit | FLASH | 2Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 1,5 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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