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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29F400BT90N6T TR | - |  | 5976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F400 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 4Mbit | 90 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 90ns | |||
 | 70V27S25PFG | - | | 3462 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 70V27S | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70V27S25PFG | OBSOLETO | 1 | Volatile | 512Kbit | 25 ns | SRAM | 32K×16 | LVTTL | 25ns | ||||||
| S29CD016J1JDGH017 | - | | 9976 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CDJ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 145°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | S29CD016 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 2,75 V | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 49 | 40 MHz | Non volatile | 16Mbit | 54 ns | FLASH | 512K x 32 | Parallelo | 60ns | ||
 | CY62167DV18LL-70BVI | - | | 3091 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MoBL® | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62167 | SRAM-Asincrono | 1,65 V ~ 2,25 V | 48-VFBGA (8x9,5) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Mbit | 70 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | SST26WF080B-104I/MF | 1.3650 | | 9314 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | SST26SQI® | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | SST26WF080 | FLASH | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WDFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 1,5 ms | |||
| S29JL064J55BHI000 | - | | 8925 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Massa | Attivo | - | 2156-S29JL064J55BHI000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | CY62256VNLL-70ZXA | - | | 2771 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | CY62256 | SRAM-Asincrono | 2,7 V ~ 3,6 V | 28-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Volatile | 256Kbit | 70 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 70ns | |||
 | W25R128JWPIQ | 3.1100 | | 569 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25R128 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25R128JWPIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | - | ||
| CG6078AA | - | | 7719 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 1 | |||||||||||||||||||
 | S25FL512SAGBHM210 | 12.9500 | | 2989 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, FL-S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | S25FL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24 BGA (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | |||
 | W25Q512JVEIM TR | 4.8300 | | 3224 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25Q512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | scaricamento | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | W25Q512JVEIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | |||
| MT29F2T08EMLEEJ4-R:E TR | 42.9300 | | 4484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 132-VBGA | FLASH-NAND (TLC) | 2,6 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R:ETR | 2.000 | Non volatile | 2 bit | FLASH | 256G x 8 | Parallelo | - | |||||||||
 | CY7C199-55PC | - | | 7283 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 28 DIP (0,300", 7,62 mm) | CY7C199 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | - | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 256Kbit | 55 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 55ns | |||
 | CY7C1321KV18-250BZCT | 29.5750 | | 4033 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1321 | SRAM: sincro, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | |||
| AK6480BH | - | | 6818 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdispositivi/AKM | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-LSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) | AK6480 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-MSOP | scaricamento | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 1 megahertz | Non volatile | 8Kbit | EEPROM | 512×16 | SPI | - | |||||
 | M58BW16FB5ZA3F TR | - | | 1840 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 80-LBGA | M58BW16 | FLASH-NOR | 2,5 V ~ 3,3 V | 80-LBGA (10x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 16Mbit | 55 ns | FLASH | 512K x 32 | Parallelo | 55ns | |||
 | SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-E32 | 132.5300 | | 9707 | 0.00000000 | Swissbit | EM-26 | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | SFEM064 | FLASH-NAND (pSLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-BGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | eMMC | - | |||
 | MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR | - | | 5260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28FW512 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 512Mbit | 105 n | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| CG8233AAT | - | | 4330 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
 | W972GG6JB-3I | - | | 8266 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | W972GG6 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-WBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | W972GG6JB3I | EAR99 | 8542.32.0032 | 144 | 333 MHz | Volatile | 2Gbit | 450 CV | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | 70V24L35PF | - | | 4427 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 70V24L | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volatile | 64Kbit | 35 ns | SRAM | 4K×16 | Parallelo | 35ns | |||
 | CY62167GN18-55BVXIT | 16.5025 | | 9004 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62167 | SRAM-Asincrono | 1,65 V~2,2 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 16Mbit | 55 ns | SRAM | 2Mx8, 1Mx16 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS61VF102418A-6.5B3I | - | | 2722 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VF102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 6,5 n | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
| M29F800DB55N1 | - | | 3913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F800 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8Mbit | 55 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 55ns | |||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR | - | | 3683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||
| IS61WV10248EEBLL-10TLI | 7.2875 | | 9846 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS61WV10248EEBLL-10TLI | 135 | Volatile | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallelo | 10ns | ||||||
 | N25Q256A13ESF40F TR | - | | 7788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q256A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| AT28LV256E-20SU | 6.7500 | | 1 | 0.00000000 | Atmel | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| S71VS256RD0AHKC00 | - | | 8912 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | VS-R | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-VFBGA | S71VS256 | FLASH, PSRAM | 1,7 V ~ 1,95 V | 56-VFRBGA (7,7x6,2) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 1 | 108 MHz | Non volatile, volatile | 256 Mbit (FLASH), 128 Mbit (RAM) | FLASH, RAM | - | Parallelo | - | |||||
 | MEM-2900-512D-C | 72.5000 | | 8519 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-MEM-2900-512D-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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