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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT24HC04BN-SP25-T | - |  | 3949 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AT24HC04 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | - | 150-AT24HC04BN-SP25-TTR | OBSOLETO | 1.000 | 400 chilocicli | Non volatile | 4Kbit | 900 n | EEPROM | 512×8 | I²C | 5 ms | |||||
 | A1669625-C | 17.5000 | | 3391 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A1669625-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 7005SJ8 | - | | 7846 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | - | Montaggio superficiale | 68-LCC (conduttore J) | SRAM: doppia porta, asincrona | - | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-7005SJ8TR | 1 | Volatile | 64Kbit | SRAM | 8K×8 | Parallelo | - | |||||||||
 | R1RP0416DSB-2LR#D0 | 24.1800 | | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1 | |||||||||||||||||||
 | AT25PE80-MHN-T | 1.9700 | | 8601 | 0.00000000 | Tecnologie Adesto | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | AT25PE80 | FLASH | 1,7 V ~ 3,6 V | 8-UDFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 6.000 | 85 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 256 byte x 4096 pagine | SPI | 8μs, 4ms | |||
 | CAT25320VE-GC | 0,5200 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | CAT25320 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 MHz | Non volatile | 32Kbit | EEPROM | 4K×8 | SPI | 5 ms | |||
 | MEM-DR316L-HL04-ER16-C | 48.5000 | | 9262 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-MEM-DR316L-HL04-ER16-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MEM-DR416L-HL01-ER21-C | 132.5000 | | 2464 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-MEM-DR416L-HL01-ER21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY62127DV30LL-55BVI | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MoBL® | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62127 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
| CY7C1020CV33-12ZCT | - | | 8579 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY7C1020 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 512Kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 16 | Parallelo | 12ns | |||
 | 24FC04-E/ST | 0,3600 | | 90 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | 24FC04 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 megahertz | Non volatile | 4Kbit | 450 n | EEPROM | 256×8×2 | I²C | 5 ms | ||
 | 70914S15PFG | - | | 8727 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 80-LQFP | 70914S | SRAM: doppia porta, standard | 4,5 V ~ 5,5 V | 80-TQFP (14x14) | - | 800-70914S15PFG | OBSOLETO | 1 | 50 MHz | Volatile | 36Kbit | 15 ns | SRAM | 4K×9 | Parallelo | 15ns | |||||
 | CY7C1011CV33-15AXI | 2.1100 | | 472 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-LQFP | CY7C1011 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TQFP (10x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 2Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallelo | 15ns | |||
 | CY7C1380D-167AXCKJ | 21.4600 | | 716 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | CY7C1380 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,4 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | 8403607JA | 69.5600 | | 55 | 0.00000000 | Harris Corporation | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 24 CDIP (0,600", 15,24 mm) | 840360 | SRAM: sincronizzato | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-CERDIP | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 120 n | SRAM | 2K×8 | Parallelo | - | |||
 | CY7C128A-25SC | 1.7300 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | CY7C128A | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 25 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 25ns | ||||||
 | S80KS2563GABHI020 | 12.6100 | | 318 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | S80KS2563 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V~2 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 338 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 35 ns | PSRAM | 32Mx8 | SPI - I/O ottale | 35ns | ||
 | FM25V02-PG | 13.8600 | | 962 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
| NAND256W3A0BN6FTR | - | | 6763 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | NAND256 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 256Mbit | 50 n | FLASH | 32Mx8 | Parallelo | 50ns | |||
| AS4C256M16D3LB-10BINTR | - | | 7801 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (13,5x9) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1450-AS4C256M16D3LB-10BINTR | OBSOLETO | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| 71016S20PHG | - | | 4405 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71016S | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 20ns | ||||||
 | S29GL256N90TFIR10 | - | | 7468 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-N | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | S29GL256 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 256Mbit | 90 ns | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 90ns | |||
 | W25Q01JVTBIQ | 11.7800 | | 9 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | W25Q01 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25Q01JVTBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 1Gbit | 7,5 ns | FLASH | 128Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 3,5 ms | |
| MT41K512M16TNA-125IT:E | - | | 3011 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | ||
| MT53E1G64D4SQ-046 PESO:A | - | | 8793 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E1G64D4SQ-046WT:A | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | ||||||
 | CY7C1021DV33-10VXIT | 3.4300 | | 1 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY7C1021 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 10ns | |||
| IS42SM32200KWS | - | | 4366 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 600-IS42SM32200KWS | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 500664-B21-C | 70.0000 | | 4627 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-500664-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| N24C08UVTG | - | | 7168 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | Venditore non definito | REACH Inalterato | 2156-N24C08UVTG-488 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY62138CV33LL-70BAI | 1.0800 | | 344 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MoBL® | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-TFBGA | CY62138 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 36-FBGA (7x7) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 256K×8 | Parallelo | 70ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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