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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HCNW4503-500E | 3.3200 |  | 7118 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCNW4503 | DC | 1 | Transistor | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 8 mA | - | 20 V | 1,68 V | 25 mA | 5000 Vrm | 15% a 16 mA | - | 1μs, 1μs (massimo) | - | |||||||||||||||
 | EL817(S)(TD) | - | | 5454 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | IL4218-X017 | - | | 5207 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD | IL4218 | BSI, CSA, cUR, FIMKO, UR, VDE | 1 | Triac | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 800 V | 300mA | 200μA | NO | 10 kV/μs | 700μA (suggerimento) | - | |||||||||||||||||
 | CNY17F1 | 0,2000 | | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||
 | 4N32-V | - | | 4460 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150056 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V | ||||||||||||||||
 | FOD817 | 0,5100 | | 458 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | FOD817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2156-FOD817-488 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||
 | HCPL-070L-000E | 1.0762 | | 2119 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-070 | DC | 1 | Darlington | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60mA | - | 7V | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 300% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 25 µs, 50 µs | - | |||||||||||||||
| PC81718NIP0X | - | | 1067 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 5000 Vrm | 120% a 500μA | 500% a 500μA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
| FOD817300W | 0,1300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.251 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||||
| FOD2742B | - | | 9402 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 185 | 50mA | - | 70 V | 1,2 V | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||||||
| H11G2TVM | 1.0000 | | 6026 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 80 V | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 1000% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs | 1 V | |||||||||||||||||||
 | APC-1018 | 0,4700 | | 2 | 0.00000000 | Società americana di optoelettronica brillante | APC-101X | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | APC-101 | DC | 1 | Transistor | 4-LSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,45 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-6231 | 213.4889 | | 6061 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 20-CLCC | HCPL-6231 | DC | 2 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 20-LCCC (8,89x8,89) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 5 MBd | 45ns, 10ns | 1,3 V | 8 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
| TLP759(MBJ-IGM,J,F | - | | 5035 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP759(MBJ-IGMJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 20 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | CPC1301GR | 2.3400 | | 4 | 0.00000000 | Divisione Circuiti Integrati IXYS | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CPC1301 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | 40 µs, 2,6 µs | 350 V | 1,2 V | 1 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | 8000% a 1 mA | 1μs, 80μs | 1,2 V | |||||||||||||||
| OPIA6010ATRA | - | | 6535 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 4μs | 60 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 60% a 1 mA | 600% a 1 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||
 | OPIA817ATRE | - | | 4553 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 60 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | FOD2741CSDV | - | | 9605 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 452 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||
 | PS8101-F3-KA | - | | 1898 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Transistor | 5-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 8 mA | - | 35 V | 1,7 V | 25 mA | 3750 Vrm | 20% a 16 mA | 35% a 16 mA | 500ns, 600ns | - | |||||||||||||||||
| 2030907-1 | 241.0200 | | 4228 | 0.00000000 | Connettori AMP di TE Connectivity | * | Massa | Attivo | 2030907 | - | Non applicabile | EAR99 | 8207.30.6062 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS9303L-V E3-AX | - | | 3311 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | PS9303 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1600-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 25 mA | 1Mbps | 120ns, 90ns | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 500ns, 550ns | ||||||||||||||
 | PS2565L-1Y-F3-A | 1.6000 | | 1114 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2565 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
| TLP785F(GRL-F7,F | - | | 9435 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GRL-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| HCPL-4506#500 | 2.0991 | | 4187 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-4506 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 30 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 15 mA | - | - | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||
 | OPIA1210ATUE | - | | 3611 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP127(PSE-TPL,U,F | - | | 1770 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(PSE-TPLUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
| TLP531(Y,F) | - | | 2336 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL817(S)(C)(TU)-VG | - | | 4334 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| EL816(S1)(X)(TU) | - | | 4728 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | TLP385(Y,E | 0,5500 | | 2132 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(SI | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV |
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