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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PS2501L-1-E4-LA | - |  | 9186 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | MCT5200300W | - | | 3305 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MCT5 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT5200300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 1,3 µs, 16 µs | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 5300 Vrm | 75% a 10 mA | - | 1,6 µs, 18 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | HCPL-2630#320 | - | | 4584 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 10 MBd | 24ns, 10ns | 1,5 V | 15 mA | 5000 Vrm | 2/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | 4N30-V | - | | 1710 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150024 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 5 µs, 40 µs (massimo) | 1 V | ||||||||||||||||
| BRT22M | - | | 6721 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | BRT22 | cUL, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - | 751-BRT22M | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,16 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300mA | 500μA | SÌ | 10 kV/μs | 3mA | 35 µs | |||||||||||||||||
| MOC8100TVM | - | | 6257 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8100TVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 2μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 7500Vpk | 30% a 1 mA | - | 20μs, 20μs (massimo) | 500mV | |||||||||||||||
 | ACPL-K64L-500E | 6.5800 | | 3 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,268", larghezza 6,81 mm) | ACPL-K64 | DC | 2 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO allungato | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 mA | 10 MBd | 12ns, 12ns | 1,3 V | 8 mA | 5000 Vrm | 2/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
 | SFH1617A-3 | 1.0300 | | 3 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH1617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2501A-1-HA | - | | 9958 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1220 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | MOC3020FM | - | | 2833 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC302 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3020FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 60 mA | 7500Vpk | 400 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 30mA | - | ||||||||||||||||
 | PS9117-A | - | | 3055 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1,65 V | 30mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
 | MOC207R1M | - | | 2902 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC207 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | PC814XP1 | - | | 8264 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 150% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | PS8502L1-AX | 3.7200 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | PS8502 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 35 V | 1,7 V | 25 mA | 5000 Vrm | 15% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||
 | CNY17F-4S-TA1 | 0,1260 | | 8538 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | CNY17F | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | CNY17F4STA1 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 5μs, 5μs | 70 V | 1,45 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
| EL817(B)-VG | 0,1991 | | 7457 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | MCT2202300 | - | | 9311 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MCT2 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT2202300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 100 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||
| CNY117-1 | 0,2178 | | 9541 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY117 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | HCPL-570K#200 | 628.3714 | | 8281 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-570 | DC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 8μs | 110mV | |||||||||||||||
| HCPL-4701-560 | - | | 4093 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington con base | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,25 V | 10 mA | 3750 Vrm | 600% a 500μA | 8000% a 500μA | 3μs, 34μs | - | ||||||||||||||||
 | PVI5080NPBF | 14.3700 | | 1 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | PVI | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8-DIP (0,300", 7,62 mm), 4 conduttori | PVI5080 | DC | 1 | Fotovoltaico | Modificato a 8 DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 µA | - | 5 V | - | 4000 Vrm | - | - | 300 µs, 220 µs (massimo) | - | ||||||||||||||||
 | CNY17F23SD | 0,1000 | | 8150 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | - | Conformità ROHS3 | 2156-CNY17F23SD-FSTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||
 | EL817(S)(B)(TD)-G | - | | 7529 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| HCPL-270L-500E | 0,8031 | | 6300 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-270 | DC | 1 | Darlington | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 7V | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 300% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 25 µs, 50 µs | - | |||||||||||||||
| 5962-0822701HPC | 105.8651 | | 4708 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 5962-0822701 | DC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 6μs | - | |||||||||||||||
 | ACSL-6410-56TE | 4.6703 | | 9749 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ACSL-6410 | DC | 4 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 5,5 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 15 MBd | 30ns, 12ns | 1,52 V | 15 mA | 2500 Vrm | 3/1 | 10 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | HCC242TX | 28.7871 | | 2060 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, senza piombo | HCC242 | DC | 1 | Transistor | 4-CLCC (5,59x3,81) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 30 | 50mA | 20μs, 20μs | 30 V | 1,5 V (massimo) | 40 mA | 1000 V CC | 100% a 10 mA | - | - | 300mV | |||||||||||||||
 | PS8352AL2-V-AX | 19.6700 | | 530 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro tagliato (CT) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | PS8352 | DC | 1 | Convertitore da analogico a digitale | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | - | 3,1 µs, 3,1 µs | - | - | 5000 Vrm | - | - | - | - | ||||||||||||||||
| CNX35U | - | | 3817 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNX35 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNX35U-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 160% a 10 mA | 20μs, 20μs | 400mV | |||||||||||||||
 | 4N38 | 0,6300 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N38 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 20 mA | - | 10μs, 10μs | - |
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