SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
TLP105(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(DPW-TPL,F) -
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ECAD 6810 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori TLP105 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 6-MFSOP, 5 derivazioni scaricamento 264-TLP105(DPW-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 250ns, 250ns
TLP785F(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRL,F -
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ECAD 9716 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(GRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
ACPL-M483-060E Broadcom Limited ACPL-M483-060E 1.5527
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ECAD 4219 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori ACPL-M483 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 30 V 5-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50 mA - 6ns, 6ns 1,5 V 10mA 3750 Vrm 1/0 30kV/μs 120ns, 120ns
TLP734F(D4-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-LF4,M,F -
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ECAD 1623 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (illimitato) 264-TLP734F(D4-LF4MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4ADGBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4ADGBT7,F -
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ECAD 4496 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4ADGBT7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
LTV-355T-B Lite-On Inc. LTV-355T-B -
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ECAD 6750 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-355T Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano LTV-355 DC 1 Darlington 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
PS9009-Y-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9009-Y-F3-AX 2.5100
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ECAD 2558 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori PS9009 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~20 V 5-LSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 25 mA - 25 n, 4,6 n 1,56 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 50 kV/μs 200ns, 200ns
TLP781(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F) -
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ECAD 3773 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) TLP781F 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
EL3031-V Everlight Electronics Co Ltd EL3031-V -
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ECAD 7534 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) EL3031 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903310008 EAR99 8541.49.8000 65 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 250 V 100 mA 280 µA (sugger.) 1kV/μs 15 mA -
PS2565L2-1-A CEL PS2565L2-1-A -
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ECAD 7753 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
SFH615A-3XSMT/R Isocom Components 2004 LTD SFH615A-3XSMT/R 0,5100
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ECAD 3 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano SFH615 DC 1 Transistor - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 14μs 70 V 1,65 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 4,2 µs, 23 µs 400mV
SFH617A-2XSM Isocom Components 2004 LTD SFH617A-2XSM 0,6200
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ECAD 2901 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Tubo Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano SFH617 DC 1 Transistor - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,65 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 400mV
H11N2FR2VM onsemi H11N2FR2VM -
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ECAD 8744 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
VO615C-4X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO615C-4X016 0,2307
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ECAD 7994 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) VO615 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,35 V 60 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 6μs, 4μs 400mV
FOD8001R2 Fairchild Semiconductor FOD8001R2 1.0000
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ECAD 3438 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) Logica 1 Push-pull, totem 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 25Mbps 6,5 n., 6,5 n - - 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
TLP731(D4-GB-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-LF2,F -
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ECAD 4902 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (illimitato) 264-TLP731(D4-GB-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
VO4254H-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4254H-X007T -
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ECAD 6761 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano VO4254 cUR, FIMKO, UR 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 400 V 300mA - NO 5 kV/μs 2mA -
4N35-X001 Vishay Semiconductor Opto Division 4N35-X001 0,7300
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N35 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 30 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA - 10μs, 10μs -
MCT6-X009 Vishay Semiconductor Opto Division MCT6-X009 0,4904
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ECAD 6900 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano MCT6 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 30mA - 30 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 3μs, 3μs 400mV
EL1110-G Everlight Electronics Co Ltd EL1110-G -
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ECAD 9292 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori EL1110 DC 1 Transistor con base 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 4μs, 3μs 400mV
PS2701-1-V-M-A CEL PS2701-1-VMA -
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ECAD 6152 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 80 mA 3μs, 5μs 40 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 300mV
ELD206(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd ELD206(TB)-V -
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ECAD 1912 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ELD206 DC 2 Transistor 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 - 1,6 µs, 2,2 µs 80 V 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 5μs, 4μs 400mV
PS2701-1-F3-M-A CEL PS2701-1-F3-MA -
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ECAD 6138 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.500 80 mA 3μs, 5μs 40 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 300mV
LTV-827S-B Lite-On Inc. LTV-827S-B 0,7100
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ECAD 9 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8x7 Tubo Attivo -30°C~110°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano LTV-827 DC 2 Transistor 8-SMD - Conformità ROHS3 1 (illimitato) Q10310881 EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
EL3H7(H)(EA)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7(H)(EA)-G -
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ECAD 6021 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) EL3H7 DC 1 Transistor 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA - 200mV
H11A5SM onsemi H11A5SM -
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ECAD 6548 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 30% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
EL3010M Everlight Electronics Co Ltd EL3010M -
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ECAD 1173 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) EL3010 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903100001 EAR99 8541.49.8000 65 1,18 V 60 mA 5000 Vrm 250 V 100 mA 250 µA (suggerimento) NO 100 V/μs (tip.) 15 mA -
EL1010(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL1010(TB)-V -
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ECAD 7209 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL1010 DC 1 Transistor 4-SOP (2,54 mm) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,45 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 4μs, 3μs 300mV
PS9513L3-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9513L3-V-AX 4.3700
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ECAD 4358 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano PS9513 DC 1 Collettore aperto 4,5 V~20 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-PS9513L3-V-AX EAR99 8541.49.8000 50 15 mA 1Mbps - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 15 kV/μs 750ns, 500ns
TCET1201 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1201 0,1746
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ECAD 6927 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TCET1201 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 3μs, 4,7μs 70 V 1,25 V 60 mA 5000 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 6μs, 5μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock