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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP105(DPW-TPL,F) | - | ![]() | 6810 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP105 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | 264-TLP105(DPW-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F(GRL,F | - | ![]() | 9716 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | ACPL-M483-060E | 1.5527 | ![]() | 4219 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | ACPL-M483 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 30 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 mA | - | 6ns, 6ns | 1,5 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 30kV/μs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||
![]() | TLP734F(D4-LF4,M,F | - | ![]() | 1623 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734F(D4-LF4MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP781F(D4ADGBT7,F | - | ![]() | 4496 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4ADGBT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | LTV-355T-B | - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-355T | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | LTV-355 | DC | 1 | Darlington | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600% a 1 mA | 7500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||||
![]() | PS9009-Y-F3-AX | 2.5100 | ![]() | 2558 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori | PS9009 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 5-LSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 mA | - | 25 n, 4,6 n | 1,56 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 50 kV/μs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||
![]() | TLP781(F) | - | ![]() | 3773 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | TLP781F | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | EL3031-V | - | ![]() | 7534 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL3031 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903310008 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||
![]() | PS2565L2-1-A | - | ![]() | 7753 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | SFH615A-3XSMT/R | 0,5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH615 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 14μs | 70 V | 1,65 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | SFH617A-2XSM | 0,6200 | ![]() | 2901 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | SFH617 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,65 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
![]() | H11N2FR2VM | - | ![]() | 8744 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
![]() | VO615C-4X016 | 0,2307 | ![]() | 7994 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 6μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | FOD8001R2 | 1.0000 | ![]() | 3438 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | Logica | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 mA | 25Mbps | 6,5 n., 6,5 n | - | - | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||||||
![]() | TLP731(D4-GB-LF2,F | - | ![]() | 4902 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP731(D4-GB-LF2F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VO4254H-X007T | - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4254 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300mA | - | NO | 5 kV/μs | 2mA | - | ||||||||||||||||
![]() | 4N35-X001 | 0,7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N35 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | - | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 10μs, 10μs | - | ||||||||||||||||
![]() | MCT6-X009 | 0,4904 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | MCT6 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 30mA | - | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | EL1110-G | - | ![]() | 9292 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori | EL1110 | DC | 1 | Transistor con base | 5-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 4μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | PS2701-1-VMA | - | ![]() | 6152 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | ELD206(TB)-V | - | ![]() | 1912 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ELD206 | DC | 2 | Transistor | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 5μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | PS2701-1-F3-MA | - | ![]() | 6138 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | LTV-827S-B | 0,7100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-8x7 | Tubo | Attivo | -30°C~110°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | LTV-827 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Q10310881 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| EL3H7(H)(EA)-G | - | ![]() | 6021 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
![]() | H11A5SM | - | ![]() | 6548 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 7500Vpk | 30% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | EL3010M | - | ![]() | 1173 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL3010 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903100001 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,18 V | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 250 µA (suggerimento) | NO | 100 V/μs (tip.) | 15 mA | - | |||||||||||||||
![]() | EL1010(TB)-V | - | ![]() | 7209 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL1010 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,45 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 4μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | PS9513L3-V-AX | 4.3700 | ![]() | 4358 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | PS9513 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V~20 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-PS9513L3-V-AX | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 750ns, 500ns | ||||||||||||||
![]() | TCET1201 | 0,1746 | ![]() | 6927 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TCET1201 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV |

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