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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP292(BL-TPL,E | 0,5600 |  | 307 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | IL300-E-X001 | - | | 4947 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL300 | DC | 1 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 70μA (suggerimento) | 1μs, 1μs | 500mV | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | PS9821-2-F4-AX | - | | 4746 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 2 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | Q3960691 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 mA | 15Mbps | 20ns, 5ns | 1,65 V | 15 mA | 2500 Vrm | 2/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
 | HCPL-M701-000E | 3.2400 | | 2 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | HCPL-M701 | DC | 1 | Darlington | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 500% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 500ns, 1μs | - | ||||||||||||||
| HCPL-2533-000E | 4.7000 | | 1 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-2533 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 7V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 15% a 8 mA | - | 800ns, 1μs | - | ||||||||||||||
 | HMA121BR1 | - | | 7261 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP161J(T5TR,U,C,F | - | | 6551 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (illimitato) | 264-TLP161J(T5TRUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H11AA3SR2M | - | | 2734 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||
 | PC355NTJ000F | - | | 9588 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington | 4-Mini-Appartamenti | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600% a 1 mA | - | - | 1 V | |||||||||||||||||
 | H11F1M | 5.7000 | | 21 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11F1 | DC | 1 | MOSFET | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 30 V | 1,3 V | 60 mA | 7500Vpk | - | - | 45μs, 45μs (massimo) | - | ||||||||||||||
| MCT5200SD | - | | 6538 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MCT5 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT5200SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 1,3 µs, 16 µs | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 5300 Vrm | 75% a 10 mA | - | 1,6 µs, 18 µs | 400mV | ||||||||||||||
 | CNY17F4TVM | 0,2800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.161 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
| HCPL-5731 | 128.9100 | | 17 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-5731 | DC | 2 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 8μs | 110mV | ||||||||||||||
| TCET1200G | - | | 7318 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TCET12 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||
 | HCNW4562-300E | 1.9081 | | 5518 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCNW4562 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 8 mA | - | 20 V | 1,6 V | 25 mA | 5000 Vrm | - | - | - | 1,25 V | ||||||||||||||
| FOD2743AT | - | | 9645 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-MDIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,07 V | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 100% a 1 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
| 4N32-X009T | - | | 3242 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N32 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V (suggerimento) | ||||||||||||||
| ELW2611 | 3.9035 | | 7112 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 7V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C180000042 | EAR99 | 8541.49.8000 | 40 | 50 mA | 10Mbps | 40ns, 10ns | 1,4 V | 50mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | 4N33S1(TA) | - | | 4784 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150070 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V | |||||||||||||||
 | FODM1008R2 | 0,1800 | | 4 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.656 | 50mA | 5,7 µs, 8,5 µs | 70 V | 1,4 V | 50 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||||
| PS2581AL1-WA | 0,6700 | | 49 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | PS2581 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1399 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||
 | PS9303L-V-AX | - | | 2328 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Striscia | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | 1Mbps | 120ns, 90ns | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 500ns, 550ns | |||||||||||||||
 | CNY64B | 2.5700 | | 13 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 85°C | Foro passante | 4 DIP (0,200", 5,08 mm) | CNY64 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 40 | 50mA | 2,4 µs, 2,7 µs | 32V | 1,25 V | 75 mA | 8200 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 5μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||
 | PS2501AL-1-F3-LA | - | | 2665 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1226-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||
| CNY172VM | 0,8600 | | 114 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY172 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | CNY172VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||
 | EL816(M)(B)-V | - | | 2088 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| ACPL-824-300E | 0,4272 | | 3905 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ACPL-824 | CA, CC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | ||||||||||||||
 | EL817(S1)(TA)-VG | - | | 2039 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | TLP292-4(LGB,E | 1.7900 | | 6005 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | MOC3022S-TA | - | | 2057 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | MOC302x | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC302 | CQC, CSA, TUV, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | MOC3022STA | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 400 V | 250 µA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 10mA | - |
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