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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PS9303L-V-AX | - |  | 2328 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Striscia | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | 1Mbps | 120ns, 90ns | 1,6 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 500ns, 550ns | ||||||||||||||||
 | CNY64B | 2.5700 | | 13 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 85°C | Foro passante | 4 DIP (0,200", 5,08 mm) | CNY64 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 40 | 50mA | 2,4 µs, 2,7 µs | 32V | 1,25 V | 75 mA | 8200 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 5μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | PS2501AL-1-F3-LA | - | | 2665 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1226-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | CNY172VM | 0,8600 | | 114 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY172 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | CNY172VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||
 | EL816(M)(B)-V | - | | 2088 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | ACPL-824-300E | 0,4272 | | 3905 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ACPL-824 | CA, CC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
 | EL817(S1)(TA)-VG | - | | 2039 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | TLP292-4(LGB,E | 1.7900 | | 6005 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | MOC3022S-TA | - | | 2057 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | MOC302x | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC302 | CQC, CSA, TUV, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | MOC3022STA | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 400 V | 250 µA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | PS8802-1-F3-AX | - | | 6870 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 mA | - | 35 V | 1,7 V | 25 mA | 2500 Vrm | 15% a 16 mA | 45% a 16 mA | 300ns, 600ns | - | ||||||||||||||||
 | 4N24ATX | - | | 1461 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | DC | 1 | Transistor con base | TO-78-6 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 20μs, 20μs | 35 V | 1,3 V (massimo) | 40 mA | 1000 V CC | 100% a 10 mA | - | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | PS2565L-1-KA | - | | 5137 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2565 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1392 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | HMHA2801R3 | - | | 1641 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | TLP184(GB, SE | 0,5100 | | 2065 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP184 | CA, CC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
| MOC3020VM | 0,3291 | | 2354 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 60 mA | 4170Vrm | 400 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 30mA | - | ||||||||||||||||
 | CNY17F-1M-V | - | | 5302 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171773 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||||
 | 5962-9085501HPC | 89.1472 | | 8085 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 5962-9085501 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 35ns, 35ns | 1,5 V | 20 mA | 1500 V CC | 1/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | FOD817A3SD | - | | 9199 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||||
 | TLP361J(F) | - | | 8284 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP361 | UR | 1 | Triac | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 600μA (suggerimento) | SÌ | 200 V/μs | 10mA | 30 µs | ||||||||||||||||
 | EL1017(TB) | - | | 6499 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL1017 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,45 V | 60 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | 4μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
| ILD620GB | 2.6100 | | 645 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ILD620 | CA, CC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 20μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| EL817(S)(C)(TU)-V | - | | 3653 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| TLP121(BL,F) | - | | 8069 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2701-1-F3-PA | - | | 8821 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1415-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
| ACPL-847-W0GE | 0,6638 | | 1979 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,400", 10,16 mm) | ACPL-847 | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
 | MOC3021XSM | 0,9000 | | 10 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC302 | UR, VDE | 1 | Triac | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.300 | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 400 V | 100μA | NO | 10 V/μs (punta) | 15 mA | - | ||||||||||||||||
| ACPL-560KL-200 | 523.6525 | | 3085 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | ACPL-560 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 3,6 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 20ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 1/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | HCPL-817-W0BE | 0,1452 | | 6729 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | HCPL-817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| EL4502S(TB)-V | - | | 7366 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | EL4502 | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C170000120 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 350ns, 300ns | - | |||||||||||||||
| EL817(S1)(A)(TB)-V | - | | 5957 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV |
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