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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ACPL-560KL-200 | 523.6525 |  | 3085 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | ACPL-560 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 3,6 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 20ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 1/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | HCPL-817-W0BE | 0,1452 | | 6729 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | HCPL-817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
 | EL4502S(TB)-V | - | | 7366 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | EL4502 | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C170000120 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 350ns, 300ns | - | |||||||||||||||
 | H11G1S | - | | 1360 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11G | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 100 V | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 1000% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs | 1 V | ||||||||||||||||
 | EL817(S1)(A)(TB)-V | - | | 5957 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | EL816(X)-V | - | | 2177 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-3760 | 11.6800 | | 5277 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-3760 | CA, CC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 30mA | 14μs, 0,4μs | 20 V | - | 3750 Vrm | - | - | 4,5 µs, 8 µs | - | ||||||||||||||||
 | MOC217R2M | 0,8800 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC217 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,07 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||
| FOD2712R2 | - | | 1646 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FOD271 | DC | 1 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||
| HCPL-2503#500 | - | | 3982 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 7V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 15% a 8 mA | - | 1μs, 1,5μs | - | ||||||||||||||||
| PS2562-1-VA | 1.7100 | | 77 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | PS2562 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1385 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 200mA | 100 µs, 100 µs | 40 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 200% a 1 mA | - | - | 1 V | ||||||||||||||
 | PC3SF11YTZBH | - | | 2938 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | PC3SF11 | BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 60 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 3,5mA | NO | 1kV/μs | 7mA | 100μs (massimo) | ||||||||||||||||
| TLP781F(D4GR7PSE,F | - | | 6924 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4GR7PSEFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| PC827CD | - | | 8971 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1485-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| OPIA803DTU | - | | 1294 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 365-1465 | EAR99 | 8541.49.8000 | 48 | 8 mA | - | 15 V | 1,7 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | - | 300ns, 400ns | - | ||||||||||||||||
 | CNX39U | - | | 6681 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNX39 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNX39U-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 60% a 10 mA | 100% a 10 mA | 20μs, 20μs | 400mV | |||||||||||||||
| MOC212R2VM | - | | 3532 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC212 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 50% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TPC817MBC9G | - | | 7125 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | TPC817 | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | ACNT-H50L-000E | 5.2600 | | 8680 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,535", larghezza 13,60 mm) | ACNT-H50 | DC | 1 | Transistor | 8-SO allungato | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 516-3297 | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 8 mA | - | 24 V | 1,45 V | 20 mA | 7500 Vrm | 31% a 12 mA | 80% a 12 mA | 800ns, 1μs | - | ||||||||||||||
| 6N139-X009 | 1.8800 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N139 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 25 mA | 5300 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | 600ns, 1,5μs | - | ||||||||||||||||
| H11AA1-V | - | | 6599 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11AA | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171208 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 10μs, 10μs (massimo) | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 10 mA | - | 10μs, 10μs (massimo) | 400mV | |||||||||||||||
| PC81411NSZ | - | | 6626 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1445-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 5000 Vrm | 100% a 500μA | 300% a 500μA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | H11AA3M | - | | 2226 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11AA | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 10μs, 10μs (massimo) | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 10 mA | - | 10μs, 10μs (massimo) | 400mV | ||||||||||||||||
| EL3033-V | - | | 7388 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL3033 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903330108 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | FOD4116V | 3.6500 | | 9325 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | FOD4116 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V | 30 mA | 5000 Vrm | 600 V | 500μA | SÌ | 10 kV/μs | 1,3 mA | 60 µs | ||||||||||||||||
| 4N28W | - | | 7054 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | 4N28 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N28W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 10% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 500mV | |||||||||||||||
 | FODM121A | 0,7300 | | 2602 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
| 5962-8978501PA | 129.3300 | | 7560 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 5962-8978501 | DC | 2 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 8μs | 110mV | |||||||||||||||
 | HCPL-817-50LE | 0,1452 | | 5817 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 100% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
 | TLP781F(YH-LF7,F) | - | | 4883 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(YH-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV |
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