SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
ILD250 Vishay Semiconductor Opto Division ILD250 -
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ECAD 7339 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ILD250 CA, CC 2 Transistor scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 - - 30 V 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
H11L2S(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11L2S(da confermare) -
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ECAD 7810 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L2 DC 1 Collettore aperto 3V~16V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,15 V 60mA 5000 Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
TLP597J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP597J(F) -
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ECAD 7997 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto - - - TLP597 - - - - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - - - - -
CNY171SD onsemi CNY171SD -
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ECAD 7789 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY171 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY171SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
FOD4208SD onsemi FOD4208SD 4.6100
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ECAD 13 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4208 cUL, FIMKO, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA NO 10 kV/μs 2mA 60 µs
HCPL-4506-020E Broadcom Limited HCPL-4506-020E 1.1708
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ECAD 8507 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-4506 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 15 mA - - 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 15 kV/μs 550ns, 400ns
HCPL-J456#300 Broadcom Limited HCPL-J456#300 -
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ECAD 1961 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Interrotto alla SIC -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 30 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 15 mA - - 1,6 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 15 kV/μs 550ns, 480ns
TLP550(TOJS-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(TOJS-O,F) -
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ECAD 3724 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (illimitato) 264-TLP550(TOJS-OF) EAR99 8541.49.8000 50
LTV-852S-TA Lite-On Inc. LTV-852S-TA 0,2464
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ECAD 8337 0.00000000 Lite-On Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano LTV-852 DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 1000% a 1 mA 15000% a 1 mA - 1,2 V
FOD816SD onsemi FOD816SD -
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ECAD 6644 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD816 CA, CC 1 Darlington 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
VOL617A-8X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOL617A-8X001T 0,5300
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano VOL617 DC 1 Transistor 4-LSOP (2,54 mm) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3,5 µs, 5 µs 80 V 1,16 V 60 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA 6μs, 5,5μs 400mV
HCNW2601#300 Broadcom Limited HCNW2601#300 2.5241
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ECAD 1457 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCNW2601 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 42 50 mA 10 MBd 24ns, 10ns 1,64 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 10 kV/μs 100ns, 100ns
ILD620GB-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILD620GB-X009T 2.7600
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ECAD 916 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano ILD620 CA, CC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 20μs, 2μs 70 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 2,3μs 400mV
4N25S Lite-On Inc. 4N25S 0,4700
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ECAD 3 0.00000000 Lite-On Inc. 4N2X Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 65 100mA 3μs, 3μs 30 V 1,2 V 80 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - - 500mV
H11N13SD onsemi H11N13SD -
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ECAD 4743 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz - 1,4 V 3,2 mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
HMA121BR1 onsemi HMA121BR1 -
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ECAD 7261 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
H11AA3SR2M onsemi H11AA3SR2M -
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ECAD 2734 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 7500Vpk 50% a 10 mA - - 400mV
HCPL-3760 Broadcom Limited HCPL-3760 11.6800
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ECAD 5277 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-3760 CA, CC 1 Darlington 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 30mA 14μs, 0,4μs 20 V - 3750 Vrm - - 4,5 µs, 8 µs -
PS9821-2-F4-AX CEL PS9821-2-F4-AX -
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ECAD 4746 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Collettore aperto 2,7 V ~ 3,6 V 8-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato Q3960691 EAR99 8541.49.8000 1.500 25 mA 15Mbps 20ns, 5ns 1,65 V 15 mA 2500 Vrm 2/0 15 kV/μs 75ns, 75ns
HCPL-2533-000E Broadcom Limited HCPL-2533-000E 4.7000
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ECAD 1 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-2533 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 7V 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 15% a 8 mA - 800ns, 1μs -
140817140310 Würth Elektronik 140817140310 0,2900
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ECAD 24 0.00000000 Würth Elettronica WL-OCPT Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 4μs 35 V 1,24 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
MOC5008SVM onsemi MOC5008SVM -
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ECAD 4595 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Borsa Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 4mA 7500Vpk 1/0 - -
HCPL-3700-360E Broadcom Limited HCPL-3700-360E 2.3625
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ECAD 2788 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-3700 CA, CC 1 Darlington Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 30mA 20 µs, 0,3 µs 20 V - 3750 Vrm - - 4μs, 10μs -
PC355NTJ000F Sharp Microelectronics PC355NTJ000F -
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ECAD 9588 0.00000000 Microelettronica Sharp - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington 4-Mini-Appartamenti - 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 750 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 600% a 1 mA - - 1 V
PS2581AL1-W-A Renesas Electronics America Inc PS2581AL1-WA 0,6700
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ECAD 49 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) PS2581 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1399 EAR99 8541.49.8000 100 30mA 3μs, 5μs 70 V 1,2 V 30 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
MOC3020VM onsemi MOC3020VM 0,3291
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ECAD 2354 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 30mA -
4N32-X009T Vishay Semiconductor Opto Division 4N32-X009T -
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ECAD 3242 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N32 DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V (suggerimento)
4N33S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd 4N33S1(TA) -
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ECAD 4784 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907150070 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
HCPL-817-50LE Broadcom Limited HCPL-817-50LE 0,1452
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ECAD 5817 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HCPL-817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 100% a 5 mA - 200mV
CNY64B Vishay Semiconductor Opto Division CNY64B 2.5700
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ECAD 13 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 85°C Foro passante 4 DIP (0,200", 5,08 mm) CNY64 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 40 50mA 2,4 µs, 2,7 µs 32V 1,25 V 75 mA 8200 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 5μs, 3μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock