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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EL3H4(EB)-VG | - |  | 2623 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H4 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | CNY17-4X017 | 0,2509 | | 3544 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | CNY17F-3S1(TA) | 0,3354 | | 3582 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171744 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||||
 | PC3Q710NIP0F | - | | 3976 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 4 | Transistor | 16-Miniappartamenti | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 2500 Vrm | 100% a 500μA | 600% a 500μA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
 | HCPL-260L-320E | 1.3829 | | 3595 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-260 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 15 MBd | 24ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | H11C2S | - | | 8160 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11C | UR | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11C2S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 200 V | 300mA | - | NO | 500 V/μs | 20 mA | - | |||||||||||||||
 | HCPL0531R1 | - | | 9874 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL05 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450 n., 300 n | - | ||||||||||||||||
| PS2801-1-F4-A | 0,3317 | | 1811 | 0.00000000 | CEL | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2801 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 80% a 5 mA | 600% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | |||||||||||||||
| SFH6326-X007T | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6326 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 25 V | 1,33 V | 25 mA | 5300 Vrm | 19% a 16 mA | - | 200ns, 500ns | - | |||||||||||||||
| TLP620-4(GB-LF5,F) | - | | 6109 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | 264-TLP620-4(GB-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | 6N135SD | - | | 9507 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N135 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 6N135SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||
| ACPL-5701L-200 | 107.2814 | | 6802 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | ACPL-5701 | DC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 6μs | - | |||||||||||||||
| HCPL-J454-400E | 1.2966 | | 2861 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-J454 | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,59 V | 25 mA | 3750 Vrm | 19% a 16 mA | 60% a 16 mA | 500ns, 800ns | - | |||||||||||||||
| CNY117-2X017T | 0,3322 | | 1907 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY117 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP188(TPL,E | 0,8300 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP188 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | 4N45-300E | 1.3128 | | 3860 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N45 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 7V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 200% a 10 mA | 1000% a 10 mA | 5 µs, 150 µs | - | |||||||||||||||
 | HCPL-4534-020E | 2.9448 | | 1774 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-4534 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 15% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
 | HMHA2801BR2 | 1.0300 | | 6863 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | H11D2SR2VM | - | | 6551 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11D | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 300 V | 1,15 V | 80 mA | 7500Vpk | 20% a 10 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||||
| H11A2FR2M | - | | 1957 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 7500Vpk | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | ||||||||||||||||
| HS51438 | - | | 5481 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | HS514 | - | 751-HS51438 | OBSOLETO | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H11L1SMT/R | 1.1400 | | 5 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11L1 | DC | 1 | Collettore aperto | 3V~15V | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 1 megahertz | 100 n., 50 n | - | 50mA | 5000 Vrm | 1/0 | - | 6μs, 3μs | |||||||||||||||
| EL816(S)(X)(TA)-V | - | | 4946 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | FOD852S | 1.2200 | | 5174 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FOD852 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 96 | 150mA | 100 µs, 20 µs | 300 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | 15000% a 1 mA | - | 1,2 V | |||||||||||||||
 | HMA2701R1 | - | | 1577 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | VO610A-3X007T | 0,4700 | | 780 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VO610 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-0738-500E | - | | 5039 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 2 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SO alto | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2 mA | 15 MBd | 20ns, 25ns | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 2/0 | 10 kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
 | CNY64AYST | 3.0900 | | 252 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CNY64 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mA | 2,4 µs, 2,7 µs | 32V | 1,32 V | 75 mA | 8200 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 5μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | MOC8103W | - | | 9662 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8103W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 108% a 10 mA | 173% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| MOC3022SR2M | 0,9400 | | 5 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC302 | UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 60 mA | 4170Vrm | 400 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 10mA | - |
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