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Optoisolatori(15749)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HCPL-5230#100 Broadcom Limited HCPL-5230#100 128.9071
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 ECAD 7020 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale Giunto di testa 8-CSMD HCPL-5230 DC 2 Push-pull, totem 4,5 V~20 V Giunto di testa 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 5 MBd 45ns, 10ns 1,3 V 8 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 350ns, 350ns
HCPL-0631-500E Broadcom Limited HCPL-0631-500E 5.4900
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 ECAD 2 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL-0631 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO alto scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 50 mA 10 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 15 mA 3750 Vrm 2/0 10 kV/μs 100ns, 100ns
PS2841-4A-F3-AX CEL PS2841-4A-F3-AX -
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 ECAD 7589 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 12-BSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 4 Transistor 12-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 20 mA 20 µs, 110 µs 70 V 1,1 V 20 mA 1500 Vrm 100% a 1 mA 400% a 1 mA - 300mV
4N27FVM onsemi 4N27FVM -
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 ECAD 7031 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N27 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 4N27FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
MCT5211SR2M onsemi MCT5211SR2M 1.7400
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 ECAD 4885 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT5211 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,25 V 50 mA 4170Vrm 150% a 1,6 mA - 14μs, 2,5μs 400mV
HCNW135-500E Broadcom Limited HCNW135-500E 1.0127
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 ECAD 5537 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCNW135 DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 750 8 mA - 20 V 1,68 V 25 mA 5000 Vrm 5% a 16 mA - 2μs, 2μs (massimo) -
PC9D10 Sharp Microelectronics PC9D10 -
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 ECAD 7171 0.00000000 Microelettronica Sharp OPIC™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) 425-1548-5 EAR99 8541.49.8000 50 16 mA - 30ns, 30ns 1,6 V 15 mA 2500 Vrm 2/0 100 V/μs 75ns, 75ns
PS2502-1-A Renesas Electronics America Inc PS2502-1-A 1.0600
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 ECAD 11 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Design non per nuovi -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) PS2502 DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1009 EAR99 8541.49.8000 100 200mA 100 µs, 100 µs 40 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 200% a 1 mA - - 1 V
IL252 Vishay Semiconductor Opto Division IL252 1.7500
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 ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) IL252 CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 - - 30 V 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
5962-9685201KXA Broadcom Limited 5962-9685201KXA 665.2550
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 ECAD 9381 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 5962-9685201 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 30 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 15 mA - - 1,5 V 25 mA 1500 V CC 1/0 10 kV/μs (tip.) 750ns, 500ns
SFH601-3X019 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-3X019 -
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 ECAD 5413 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano SFH601 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 100 V 1,25 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
TLP124(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(BV,F) -
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 ECAD 8492 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP124 DC 1 Transistor 6-MFSOP, 4 derivazioni - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP124(BVF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8μs, 8μs 80 V 1,15 V 50 mA 3750 Vrm 200% a 1 mA 1200% a 1 mA 10μs, 8μs 400mV
EL4502S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL4502S1(TA)-V 0,7503
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 ECAD 5266 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano EL4502 DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C170000070 EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 350ns, 300ns -
IL420-X008T Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X008T -
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 ECAD 7635 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD IL420 CQC, CSA, cUR, UR 1 Triac scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,16 V 60 mA 5300 Vrm 600 V 300mA 500μA NO 10 kV/μs 2mA 35 µs
MOC3022SM onsemi MOC3022SM 0,9800
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC302 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
TLP127(TEE-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TEE-TPLS,F) -
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 ECAD 6416 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivazioni - 1 (illimitato) 264-TLP127(TEE-TPLSF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 1000% a 1 mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
HCPL-0454-500E Broadcom Limited HCPL-0454-500E 2.6000
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 ECAD 2 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL-0454 DC 1 Transistor 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 8 mA - 20 V 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 21% a 16 mA - 200ns, 300ns -
PS2502-1-L-A CEL PS2502-1-LA -
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 ECAD 2228 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 200mA 100 µs, 100 µs 40 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 700% a 1 mA 3400% a 5 mA - 1 V
HCPL-263L-060E Broadcom Limited HCPL-263L-060E 2.6212
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 ECAD 5509 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-263 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 15 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 15 mA 3750 Vrm 2/0 10 kV/μs 75ns, 75ns
HCPL0701 onsemi HCPL0701 2.8200
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 ECAD 9850 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL07 DC 1 Darlington con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-HCPL0701 EAR99 8541.49.8000 50 60mA - 18 V 1,25 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 300ns, 1,6μs -
TLP2098(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098(F) -
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 ECAD 4586 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori TLP2098 CA, CC 1 Push-pull, totem 3V~20V 6-MFSOP, 5 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP2098F EAR99 8541.49.8000 150 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 15 kV/μs 250ns, 250ns
TLP632(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(GR-LF2,F) -
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 ECAD 5520 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP632 - 1 (illimitato) 264-TLP632(GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
H11L2FM onsemi H11L2FM -
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 ECAD 1429 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11L2FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
PC3H7AJ0000F SHARP/Socle Technology PC3H7AJ0000F -
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 ECAD 5398 0.00000000 Tecnologia SHARP/Socle - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 2500 Vrm 35% a 1 mA 70% a 1 mA - 200mV
FODM3010R4 onsemi FODM3010R4 -
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 ECAD 8199 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 250 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 15 mA -
6N139#560 Broadcom Limited 6N139#560 -
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 ECAD 8864 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N139 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,4 V 20 mA 3750 Vrm 500% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 200ns, 2μs -
HCPL-553K#200 Broadcom Limited HCPL-553K#200 658.8671
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 ECAD 3871 0.00000000 Broadcom limitata - Massa Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-553 DC 2 Transistor con base 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 3A001A2C 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,55 V 20 mA 1500 V CC 9% a 16 mA - 400ns, 1μs -
FOD8163R2V onsemi FOD8163R2V 3.0400
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) FOD8163 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 5,5 V 6-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 20ns, 10ns 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 90ns, 80ns
EL817(S)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817(S)(TB)-V -
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 ECAD 3018 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
MOC3022TM onsemi MOC3022TM -
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 ECAD 1113 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC302 UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3022TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 400 V 100μA (suggerimento) NO - 10mA -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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