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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
PS2911-1-L-A CEL PS2911-1-LA -
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ECAD 3179 0.00000000 CEL - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, conduttori piatti DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 40mA 5μs, 10μs 40 V 1,1 V 50 mA 2500 Vrm 150% a 1 mA 300% a 1 mA 40 µs, 120 µs 300mV
PS2701-1-F3-P-A CEL PS2701-1-F3-PA -
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ECAD 4585 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.500 80 mA 3μs, 5μs 40 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
SFH640-3X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH640-3X007 2.0300
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ECAD 5754 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano SFH640 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,5 µs, 5,5 µs 300 V 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 5μs, 6μs 400mV
TLP3064(TP1,SC,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3064(TP1,SC,F,T) -
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ECAD 3454 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro tagliato (CT) Obsoleto Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), Ala di gabbiano TLP3064 1 Triac 6-DIP (taglio), 5 derivazioni scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 6 mA 5000 Vrm 600 V 600 µA 3mA
PS9317L-AX Renesas Electronics America Inc PS9317L-AX 4.2368
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ECAD 9489 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Striscia Design non per nuovi -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) PS9317 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 20 25 mA 10Mbps 20ns, 5ns 1,56 V 30mA 5000 Vrm 1/0 15 kV/μs 75ns, 75ns
H11L1SR2VM onsemi H11L1SR2VM 1.2500
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ECAD 133 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11L1 DC 1 Collettore aperto 3V~15V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 4μs, 4μs
MOC3162VM onsemi MOC3162VM -
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ECAD 5976 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC316 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato MOC3162VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) 1kV/μs 10mA -
H11N1SM onsemi H11N1SM 7.0200
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ECAD 8965 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11N1 DC 1 Collettore aperto 4 V~15 V 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 5 MHz 7,5 n, 12 n 1,4 V 30mA 4170Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
FODM121BR1 onsemi FODM121BR1 -
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ECAD 5192 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA - 400mV
PC3H7 Sharp Microelectronics PC3H7 -
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ECAD 7292 0.00000000 Microelettronica Sharp - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 2500 Vrm 20% a 1 mA 400% a 1 mA - 200mV
PS2514L-1Y-F3-A CEL PS2514L-1Y-F3-A -
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ECAD 2927 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 20 mA 15μs, 15μs 40 V 1,1 V 30 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 200% a 5 mA - 350mV
HCNR200-050E Broadcom Limited HCNR200-050E 2.1855
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ECAD 7926 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCNR200 DC 1 Fotovoltaico, Linearizzato 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 42 - - - 1,6 V 25 mA 5000 Vrm 0,25% a 10 mA 0,75% a 10 mA - -
CNC7S101 Panasonic Electronic Components CNC7S101 -
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ECAD 3340 0.00000000 Componenti elettronici Panasonic - Massa Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) CA, CC 1 Transistor 4-DIL scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 20% a 1 mA 300% a 1 mA - 200mV
H11A4S onsemi H11A4S -
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ECAD 3972 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 100 mA 5300 Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
VO205AT Vishay Semiconductor Opto Division VO205AT 0,6900
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) VO205 DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 2μs 70 V 1,3 V 60 mA 4000 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 3μs, 3μs 400mV
MOCD217R1M onsemi MOCD217R1M -
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ECAD 5746 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOCD21 DC 2 Transistor 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOCD217R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,05 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 1 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
ACPL-074L-060E Broadcom Limited ACPL-074L-060E 3.2685
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ECAD 8341 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ACPL-074 DC 2 Push-pull, totem 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 8-SO alto scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 15 MBd 20ns, 25ns 1,5 V 20 mA 3750 Vrm 2/0 10 kV/μs 50ns, 50ns
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GB,F) -
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ECAD 7338 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (illimitato) 264-TLP531(GBF) EAR99 8541.49.8000 50
CNY17F-1S(TB) Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-1S(TB) -
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ECAD 2693 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17F DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907171719 EAR99 8541.49.8000 1.000 - 6μs, 8μs 80 V 1,65 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 10μs, 9μs 300mV
VO4156D Vishay Semiconductor Opto Division VO4156D -
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ECAD 3138 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) VO415 cUR, UR 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 600 V 300mA 500μA 5 kV/μs 1,6 mA -
PS2565L-1-F3-K-A Renesas Electronics America Inc PS2565L-1-F3-KA -
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ECAD 1029 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2565 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1391-2 EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
RV1S9260ACCSP-10YC#KC0 Renesas Electronics America Inc RV1S9260ACCSP-10YC#KC0 2.2000
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ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 5-SMD, Ala di gabbiano RV1S9260 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 5-LSSO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.500 10 mA 15Mbps 5ns, 5ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 50 kV/μs 60ns, 60ns
IL252-X009 Vishay Semiconductor Opto Division IL252-X009 -
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ECAD 7504 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano IL252 CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 - - 30 V 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - - 400mV
PS9587L2-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9587L2-V-AX 4.4700
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ECAD 6902 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano PS9587 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 10Mbps 20ns, 10ns 1,65 V 30mA 5000 Vrm 1/0 15 kV/μs 75ns, 75ns
H11AA1 onsemi H11AA1 -
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ECAD 9371 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11A CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
MCT271300 onsemi MCT271300 -
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ECAD 9647 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT2 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT271300-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 45% a 10 mA 90% a 10 mA 1μs, 48μs 400mV
HCPL-560K-300 Broadcom Limited HCPL-560K-300 517.4838
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ECAD 9237 0.00000000 Broadcom limitata - Massa Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-CSMD, Ala di gabbiano HCPL-560 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 35ns, 35ns 1,5 V 20 mA 1500 V CC 1/0 1kV/μs 100ns, 100ns
PS2841-4A-AX Renesas Electronics America Inc PS2841-4A-AX 12.2800
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ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Striscia Design non per nuovi -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 12-BSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) PS2841 DC 4 Transistor 12-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 20 20 mA 20 µs, 110 µs 70 V 1,1 V 20 mA 1500 Vrm 100% a 1 mA 400% a 1 mA - 300mV
PC817X7NSZ1B SHARP/Socle Technology PC817X7NSZ1B -
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ECAD 2156 0.00000000 Tecnologia SHARP/Socle - Tubo Interrotto alla SIC -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 5.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA - - - - 200mV
MCT2202 onsemi MCT2202 -
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ECAD 1678 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MCT2 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2202-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 2μs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock