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Optoisolatori(15749)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HCPL-270L-500E Broadcom Limited HCPL-270L-500E 0,8031
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 ECAD 6300 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-270 DC 1 Darlington Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 7V 1,5 V 20 mA 3750 Vrm 300% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 25 µs, 50 µs -
H11L1 QT Brightek (QTB) H11L1 -
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 ECAD 6268 0.00000000 QT Brightek (QTB) Accoppiatore ottico Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3V~15V 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1516-1333 EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz 100ns, 100ns 1,2 V 60mA 5000 Vrm 1/0 - -
PS8352AL2-V-AX Renesas Electronics America Inc PS8352AL2-V-AX 19.6700
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 ECAD 530 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro tagliato (CT) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) PS8352 DC 1 Convertitore da analogico a digitale 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 20 - 3,1 µs, 3,1 µs - - 5000 Vrm - - - -
4N38 Vishay Semiconductor Opto Division 4N38 0,6300
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 ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) 4N38 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 50mA - 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 20 mA - 10μs, 10μs -
MCT2ES(TA) Everlight Electronics Co Ltd MCT2ES(TA) -
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 ECAD 9210 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 390717T220 EAR99 8541.49.8000 65 - 3μs, 3μs 80 V 1,23 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 10 mA - 3μs, 3μs 400mV
HCPL-070A#500 Broadcom Limited HCPL-070A#500 2.9905
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 ECAD 9375 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HCPL-070 DC 1 Darlington con base 8-SO scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 60mA - 18 V 1,25 V 5 mA 3750 Vrm 600% a 500μA 8000% a 500μA 3μs, 34μs -
ACPL-M21L-060E Broadcom Limited ACPL-M21L-060E 3.2400
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 ECAD 2320 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori ACPL-M21 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 5-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 5 MBd 11ns, 11ns 1,5 V 8 mA 3750 Vrm 1/0 25 kV/μs 250ns, 250ns
HCPL-4506#520 Broadcom Limited HCPL-4506#520 2.1335
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 ECAD 1322 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-4506 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 30 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 15 mA - - 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 15 kV/μs 550ns, 400ns
PC3H7A Sharp Microelectronics PC3H7A -
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 ECAD 8676 0.00000000 Microelettronica Sharp - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 2500 Vrm 35% a 1 mA 70% a 1 mA - 200mV
FODM3022R4_NF098 onsemi FODM3022R4_NF098 -
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 ECAD 3214 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
H11A3SR2M onsemi H11A3SR2M -
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 ECAD 7028 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
TLP2168(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168(F) -
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 ECAD 7498 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) TLP2168 DC 2 Collettore aperto 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 20 MBd 30ns, 30ns 1,57 V 25 mA 2500 Vrm 2/0 15 kV/μs 60ns, 60ns
PC6N139X Sharp Microelectronics PC6N139X -
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 ECAD 8569 0.00000000 Microelettronica Sharp - Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Darlington con base 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) 425-1801-5 EAR99 8541.49.8000 50 60mA - 18 V 1,5 V 20 mA 2500 Vrm 400% a 500μA - 300ns, 1,5μs -
H11F3S onsemi H11F3S -
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 ECAD 7646 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11F DC 1 MOSFET 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11F3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 15 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm - - 25 µs, 25 µs (massimo) -
SFH6156 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156 -
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 ECAD 4487 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Massa Obsoleto - REACH Inalterato 751-SFH6156 EAR99 8541.49.8000 1.000
TLP185(Y,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(Y,SE -
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 ECAD 5524 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP185 DC 1 Transistor con base 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP185(YSE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
MOC5009FM onsemi MOC5009FM -
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 ECAD 8742 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Borsa Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 10mA 7500Vpk 1/0 - -
4N30-V Everlight Electronics Co Ltd 4N30-V -
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 ECAD 1710 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907150024 EAR99 8541.49.8000 65 - - 55 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1 V
BRT22M Vishay Semiconductor Opto Division BRT22M -
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 ECAD 6721 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) BRT22 cUL, UR, VDE 1 Triac 6-DIP - 751-BRT22M EAR99 8541.49.8000 1.000 1,16 V 60 mA 5300 Vrm 600 V 300mA 500μA SÌ 10 kV/μs 3mA 35 µs
ACPL-K64L-500E Broadcom Limited ACPL-K64L-500E 6.5800
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 ECAD 3 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,268", larghezza 6,81 mm) ACPL-K64 DC 2 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO allungato scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 10 mA 10 MBd 12ns, 12ns 1,3 V 8 mA 5000 Vrm 2/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TPC817S1A RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1A STRACCIO -
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 ECAD 8455 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan TPC817 Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 200mV
EL817(S1)(TU)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817(S1)(TU)-VG -
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 ECAD 4306 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 6μs, 8μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
PC847X7JJ00F Sharp Microelectronics PC847X7JJ00F -
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 ECAD 5298 0.00000000 Microelettronica Sharp - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 4 Transistor 16-DIP - 1 (illimitato) 425-2713 EAR99 8541.49.8000 500 50mA 4μs, 3μs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
HCPL2531V onsemi HCPL2531V 1.9300
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 ECAD 387 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL2531 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 450 n., 300 n -
PVI1050 Infineon Technologies PVI1050 -
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 ECAD 9186 0.00000000 Tecnologie Infineon PVI-NPbF Tubo Obsoleto - Foro passante 8-DIP (0,300", 7,62 mm), 6 conduttori PVI1050 DC 1 Fotovoltaico 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 5 V, 10 V - 2500 Vrm - - - -
FOD4208T onsemi FOD4208T -
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 ECAD 6377 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) FOD4208 cUL, FIMKO, UL 1 Triac 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,28 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA NO 10 kV/μs 2mA 60 µs
MOC8104 onsemi MOC8104 -
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 ECAD 8919 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC810 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC8104-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 256% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
IS829 Isocom Components 2004 LTD IS829 1.0800
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 ECAD 283 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) IS829 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 - - 35 V 1,4 V (massimo) 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 400% a 5 mA 3 µs, 2,5 µs 200mV
VOT8125AD Vishay Semiconductor Opto Division VOT8125AD 1.1800
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 ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C Foro passante 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori VOT8125 CQC, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 751-VOT8125AD EAR99 8541.49.8000 2.000 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 800 V 100 mA 400μA (suggerimento) NO 1kV/μs 5mA -
EL817(S)(B)(TD)-G Everlight Electronics Co Ltd EL817(S)(B)(TD)-G -
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 ECAD 7529 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL817 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 6μs, 8μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
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    30.000.000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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