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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SFH601-3X007T | 1.6600 |  | 3398 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | SFH601 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 100 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | FODM3082R1 | - | | 4708 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | cUL, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 3750 Vrm | 800 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | CNY17F-3 | 0,4552 | | 7591 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||
| VOT8125AB | 0,4069 | | 3415 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VOT8125 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 751-VOT8125AB | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | ACSL-6400-50TE | 8.9900 | | 4 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ACSL-6400 | DC | 4 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 5,5 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 15 MBd | 30ns, 12ns | 1,52 V | 15 mA | 2500 Vrm | 4/0 | 10 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| ACSL-6420-00TE | 9.2900 | | 5 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ACSL-6420 | DC | 4 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 5,5 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 15 MBd | 30ns, 12ns | 1,52 V | 15 mA | 2500 Vrm | 2/2 | 10 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| TLP3052A(F | - | | 2712 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Scatola | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori | TLP3052 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 264-TLP3052A(F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 600 µA | NO | 2 kV/μs (tip.) | 10mA | - | |||||||||||||||||
| BRT12F-X007 | - | | 7641 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | BRT12 | CQC, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,1 V | 20 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300mA | 500μA | NO | 10 kV/μs | 1,2 mA | - | |||||||||||||||
 | PS2805C-1-F3-A | - | | 3322 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2805 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 30mA | 5μs, 7μs | 80 V | 1,2 V | 30 mA | 2500 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 10μs, 7μs | 300mV | |||||||||||||||
 | PS9317L2-AX | - | | 9991 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1,56 V | 30mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| TLP127(PSION-TPR,F | - | | 1151 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP127 | DC | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | 1 (illimitato) | 264-TLP127(PSION-TPRFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
| PC4SD11YXPBF | - | | 7439 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD | PC4SD11 | CSA, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 3,5mA | NO | 50 V/μs | 7mA | 100μs (massimo) | ||||||||||||||||
 | PS2701A-1-V-F3-MA | - | | 3535 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 30mA | 5μs, 7μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | 4N33W | - | | 5995 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | 4N33 | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N33W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 5300 Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V | |||||||||||||||
| EL814S1(A)(TA) | - | | 2389 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 7μs, 11μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 150% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | HCPL-4504-060E | 1.0762 | | 5976 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-4504 | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 25% a 16 mA | 60% a 16 mA | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||
 | TLP559(F) | - | | 8414 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP559 | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 20% a 16 mA | - | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||
 | H11A617C300W | - | | 1764 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11N1300 | - | | 5334 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 5 MHz | - | 1,4 V | 3,2 mA | 7500 Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||
| HCPL-523K | 761.1700 | | 3016 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-523 | DC | 2 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 5 MBd | 45ns, 10ns | 1,3 V | 8 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
| PS2861-1-F3-NA | - | | 4131 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||
 | MOC3032FR2M | - | | 9740 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC303 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3032FR2M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 60 mA | 7500Vpk | 250 V | 400μA (suggerimento) | SÌ | - | 10mA | - | ||||||||||||||||
| PS2711-1-VA | 2.1000 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2711 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 1 mA | 400% a 1 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | 4N36S(TB) | - | | 9476 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907173603 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 10μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||
| OLH7000.0013 | - | | 2678 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | - | Massa | Obsoleto | OLH7000 | - | 863-OLH7000.0013 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS9115-F4-A | - | | 4273 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 13 mA | 10Mbps | - | 1,65 V | 30mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 65ns, 65ns | |||||||||||||||||
 | 6N138S(TA) | 0,5373 | | 6059 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C170000012 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 7V | 1,3 V | 20 mA | 5000 Vrm | 300% a 1,6 mA | - | 1,4 µs, 8 µs | - | ||||||||||||||||
 | H11AA814300 | - | | 4989 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AA814300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| H11B2553SD | - | | 8599 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11B | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11B2553SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | |||||||||||||||
| EL816S2(A)(TU)-V | 0,1520 | | 4270 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | EL816 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | - | 1080-EL816S2(A)(TU)-VTR | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV |
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