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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VO615C-3X016 | 0,2307 |  | 4850 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 6μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | PS2381-1Y-VW-AX | - | | 4362 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 115°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-LSOP (2,54 mm) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | PS23811YVWAX | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 50mA | 4μs, 5μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | EL3043S1(TB) | - | | 7034 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3043 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903430007 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 400 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | HMA2701BV | - | | 7274 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | PS2506L-2-A | - | | 4035 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 2 | Darlington | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 160 mA | 100 µs, 100 µs | 40 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 200% a 1 mA | - | - | 1 V | |||||||||||||||||
 | H11A817BW | 0,0600 | | 16 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
 | OP760B | - | | 9120 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| PS2811-1-VLA | - | | 7723 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2811 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1522 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 150% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | PS2703-1-VA | 0,9305 | | 5118 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Striscia | Design non per nuovi | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2703 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 30mA | 10μs, 10μs | 120 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | 6N136M | 1.0000 | | 9793 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6N136 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 350ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||
| QCPL-070H-500E | - | | 1385 | 0.00000000 | Broadcom limitata | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | QCPL-070H | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2581L1-LA | - | | 8418 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP160J(V4T7TRUC,F | - | | 5602 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP160J | - | 1 (illimitato) | 264-TLP160J(V4T7TRUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-0824203HUC | 102.6384 | | 3062 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, giunto di testa | 5962-0824203 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 3,6 V | Giunto di testa 16-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 20ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | MCT271M | - | | 5644 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MCT271 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 7500Vpk | 45% a 10 mA | 90% a 10 mA | 1μs, 48μs | 400mV | ||||||||||||||||
| PC364MJ0000F | - | | 1419 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-Miniflat | CA, CC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 3750 Vrm | 50% a 500μA | 400% a 500μA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
 | FOD8163S | 0,1800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.700 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 1,2 V | 50mA | 5000 Vrm | |||||||||||||||||||||||
 | VO617A-4X016 | 0,4000 | | 5 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | VO617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | VO617A4X016 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 80 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 5 mA | 320% a 5 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
| VO2631-X007T | 3.4100 | | 865 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | VO2631 | DC | 2 | Aprire lo scarico | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10 MBd | 23ns, 7ns | 1,42 V | 15 mA | 5300 Vrm | 2/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | EL3061M-V | - | | 2937 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL3061 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903610009 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||
 | H11L2FR2VM | - | | 3547 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11L | DC | 1 | Collettore aperto | 3V~15V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11L2FR2VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 1 megahertz | 100ns, 100ns | 1,2 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 4μs, 4μs | |||||||||||||||
 | MOC217M_F132 | - | | 9072 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC217 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,07 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| FOD0710 | 4.9700 | | 205 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FOD071 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 10 mA | 12,5Mbps | 5ns, 4,5ns | - | - | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
 | 4N38-X007T | 0,2534 | | 1642 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N38 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 20 mA | - | 10μs, 10μs | - | ||||||||||||||||
 | HMA2701AR1 | - | | 9466 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | TLP130(GB-TPR,F) | - | | 9661 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP130 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-MFSOP, 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| H11D1SVM | - | | 5607 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11D | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 300 V | 1,15 V | 80 mA | 4170Vrm | 20% a 10 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||||
| 5962-0824203KUC | 569.7643 | | 8148 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, giunto di testa | 5962-0824203 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 3,6 V | Giunto di testa 16-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 20ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | EL3H7(H)(EB)-G | - | | 6249 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| 4N36 | 0,3426 | | 4776 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 10μs, 9μs | 300mV |
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