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Optoisolatori(15749)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Tempo di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
PS2381-1Y-V-F3-L-AX	-	Richiesta di offerta	2548	CEL	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 115°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-LSOP (2,54 mm)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 5μs	80 V	1,1 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 5 mA	300% a 5 mA	-	300mV
ACPL-P481-000E	1.5365	Richiesta di offerta	6517	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	ACPL-P481	DC		1	Push-pull, totem	4,5 V~20 V	6-SO allungato	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	25 mA	-	16ns, 20ns		1,5 V	10mA	3750 Vrm				1/0	20kV/μs	350ns, 350ns
PS9821-1-F3-AX	3.2400	Richiesta di offerta	2337	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		DC		1	Collettore aperto	2,7 V ~ 3,6 V	8-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.500	25 mA	15Mbps	20ns, 5ns		1,65 V	20 mA	2500 Vrm				1/0	15 kV/μs	75ns, 75ns
TLP550-TP1,F)	-	Richiesta di offerta	8236	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				TLP550							-		1 (illimitato)		264-TLP550-TP1F)TR	EAR99	8541.49.8000	1.500
4N30S1(TA)	0,3666	Richiesta di offerta	2515	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Darlington con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3907150022	EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	55 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 10 mA	-	5 µs, 40 µs (massimo)	1 V
HCPL-063L-500E	6.0000	Richiesta di offerta	7	Broadcom limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HCPL-063	DC		2	Collettore aperto, morsetto Schottky	2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V	8-SO Alto	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.500	50 mA	15 MBd	24ns, 10ns		1,5 V	15 mA	3750 Vrm				2/0	10 kV/μs	75ns, 75ns
TCMT4100	2.1800	Richiesta di offerta	9	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	TCMT4100	DC		4	Transistor		16-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		3μs, 4,7μs	70 V	1,25 V	60 mA	3750 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	6μs, 5μs	300mV
PS2535-1-A	-	Richiesta di offerta	2414	CEL	NEPOC	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Darlington		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	PS25351A	EAR99	8541.49.8000	100	120 mA		18μs, 5μs	350 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							400% a 1 mA	5500% a 1 mA	-	1 V
FODM3052	-	Richiesta di offerta	4266	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	FODM30		BSI, CSA, UL	1	Triac		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000					1,2 V	60 mA	3750 Vrm	600 V	70 mA	300μA (suggerimento)								NO	1kV/μs	10mA	-
LH1262CB	3.9900	Richiesta di offerta	5367	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	LH1262	DC		2	Fotovoltaico		8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	1μA		-	15 V	1,26 V	50 mA	5300 Vrm							-	-	35 µs, 90 µs	-
5962-8767905KEA	633.3057	Richiesta di offerta	8393	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 125°C	Foro passante	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	5962-8767905	DC		2	Transistor con base		16-DIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1	8mA		-	20 V	1,55 V	20 mA	1500 V CC							9% a 16 mA	-	400ns, 1μs	-
TLP292(TPL,E	0,5700	Richiesta di offerta	14	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm)	TLP292	CA, CC		1	Transistor		4-SO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.500	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
4N37M-V	-	Richiesta di offerta	2100	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)		DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3907173707	EAR99	8541.49.8000	65	-		-	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 10 mA	-	10μs, 9μs	300mV
TLP628M(LF1,E	0,9100	Richiesta di offerta	2527	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	4-SMD (0,300", 7,62 mm)	TLP628	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		5,5 µs, 10 µs	350 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	10μs, 10μs	400mV
PS2801C-1Y-F3-A	0,2920	Richiesta di offerta	2772	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	PS2801	DC		1	Transistor		4-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	559-1499-2	EAR99	8541.49.8000	3.500	30mA		5μs, 7μs	80 V	1,2 V	30 mA	2500 Vrm							50% a 5 mA	400% a 5 mA	10μs, 7μs	300mV
OPI7320	-	Richiesta di offerta	9047	Tecnologia TT Electronics/Optek	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Darlington		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	25	-		-	15 V	1,2 V	50 mA	6000 V CC							200% a 5 mA	-	150 µs, 125 µs	1 V
TLP551(Y,F)	-	Richiesta di offerta	6910	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP551	DC		1	Transistor con base		8-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		TLP551(YF)	EAR99	8541.49.8000	125	8mA		-	15 V	1,65 V	25 mA	2500 Vrm							10% a 16 mA	-	300ns, 1μs	-
HMA121R2V	-	Richiesta di offerta	5104	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	HMA121	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.500	80 mA		3μs, 3μs	80 V	1,3 V (massimo)	50 mA	3750 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	400mV
APT1212	2.0500	Richiesta di offerta	996	Lavori elettrici Panasonic	APP	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	APT121		cUR, VDE	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile			EAR99	8541.49.8000	50					1,21 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA								SÌ	500 V/μs	10mA	100μs (massimo)
HCPL-2631-320E	2.2491	Richiesta di offerta	1888	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	HCPL-2631	DC		2	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	Ala di gabbiano 8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10 MBd	24ns, 10ns		1,5 V	15 mA	5000 Vrm				2/0	10 kV/μs	100ns, 100ns
TCET1108	0,5800	Richiesta di offerta	4	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	TCET1108	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	4.000	50mA		3μs, 4,7μs	70 V	1,25 V	60 mA	5000 Vrm							130% a 5 mA	260% a 5 mA	6μs, 5μs	300mV
PS2705A-1-F3-MA	-	Richiesta di offerta	8688	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PS2705	CA, CC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	559-1458-2	EAR99	8541.49.8000	3.500	30mA		5μs, 7μs	70 V	1,2 V	30 mA	3750 Vrm							50% a 5 mA	150% a 5 mA	-	300mV
4N30S1(TB)-V	-	Richiesta di offerta	9159	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Darlington con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3907150031	EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	55 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 10 mA	-	5 µs, 40 µs (massimo)	1 V
EL3051-V	0,5606	Richiesta di offerta	7345	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	EL3051		CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3903510008	EAR99	8541.49.8000	65					1,18 V	60 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	250 µA (sugger.)								NO	1kV/μs	15 mA	-
TCDT1100	-	Richiesta di offerta	1824	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 110°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	TCDT11	DC		1	Transistor		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		7μs, 6,7μs	32V	1,25 V	60 mA	5000 Vrm							40% a 10 mA	-	11μs, 7μs	300mV
EL817(S)(D)(TU)-V	-	Richiesta di offerta	3923	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	EL817	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.500	50mA		4μs, 3μs	35 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
6N136V	0,7900	Richiesta di offerta	870	Semiconduttore Fairchild	-	Massa	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor con base		8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.49.8000	1.000	8mA		-	20 V	1,45 V	25 mA	2500 Vrm							19% a 16 mA	50% a 16 mA	450ns, 500ns	-
PS2815-1-A	-	Richiesta di offerta	9308	CEL	NEPOC	Striscia	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		CA, CC		1	Transistor		4-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	PS28151A	EAR99	8541.49.8000	100	40mA		4μs, 5μs	40 V	1,15 V	50 mA	2500 Vrm							100% a 1 mA	400% a 1 mA	-	300mV
PS9324L-E3-AX	-	Richiesta di offerta	7462	CEL	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm)		DC		1	Collettore aperto	2,7 V ~ 5,5 V	6-SDIP Ala di gabbiano	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	PS9324L-E3-AXTR	EAR99	8541.49.8000	2.000	25 mA	10Mbps	20ns, 5ns		1,55 V	25 mA	5000 Vrm				1/0	15 kV/μs	75ns, 75ns
APT1211WAW	0,7725	Richiesta di offerta	9901	Lavori elettrici Panasonic	APP	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	APT1211		cUR, VDE	1	Triac		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		-APT1211WAW-ND	EAR99	8541.49.8000	1.000					1,21 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA								SÌ	500 V/μs	10mA	100μs (massimo)