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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M25P128-VMFPBALT | - |  | 4530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | M25P128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 50 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 15 ms, 7 ms | |||||
 | MT41K512M8V00HWC1-N001 | - | | 5235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | MT41K512M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | - | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Volatile | 4Gbit | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | |||||||
 | 93LC66A-I/SN15KVAO | - | | 8555 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Automobilistico, AEC-Q100 | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 93LC66 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | Non volatile | 4Kbit | EEPROM | 512×8 | Microfilo | 6 ms | |||||
 | 70V9269L9PRFG | - | | 9026 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 128-LQFP | 70V9269 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 3 V ~ 3,6 V | 128-TQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volatile | 256Kbit | 9nn | SRAM | 16K×16 | Parallelo | - | ||||
| 5962-8866203NA | - | | 3680 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 28-CDIP (0,300", 7,62 mm) | 5962-8866203 | SRAM: sincronizzato | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-8866203NA | OBSOLETO | 13 | Volatile | 256Kbit | 55 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 55ns | ||||
| S25HL01GTFABHI033 | 15.4000 | | 8259 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Sempre™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (8x8) | scaricamento | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 166 MHz | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
 | AT29C010A-70TC | - | | 2760 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | AT29C010 | FLASH | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Non volatile | 1Mbit | 70 ns | FLASH | 128K×8 | Parallelo | 10 ms | ||||
 | 71V124SA10PHGI | - | | 7094 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3,15 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 10ns | ||||
 | IDT71V416L15PH8 | - | | 7671 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IDT71V416 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V416L15PH8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volatile | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 15ns | |||
 | M29W640GB70NA6E | - | | 4266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W640 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | CY7C027V-25ACKJ | 33.7300 | | 186 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | CY7C027 | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 512Kbit | 25 ns | SRAM | 32K×16 | Parallelo | 25ns | ||||
 | S29GL01GT10DHI010 | - | | 7007 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-T | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL01 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (9x9) | scaricamento | RoHS non conforme | Venditore non definito | 1 | Non volatile | 1Gbit | 100 n | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | 60ns | Non verificato | ||||||
 | CY7C1361C-100BGC | 10.9500 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | CY7C1361 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 28 | 100 MHz | Volatile | 9Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | Non verificato | ||||
| 25LC020A-I/SN | 0,5400 | | 596 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 25LC020 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 25LC020AISN | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | Non volatile | 2Kbit | EEPROM | 256×8 | SPI | 5 ms | |||
| MX29GL256FDXGI-11G | - | | 5608 | 0.00000000 | Macronix | MX29GL | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFBGA, CSPBGA | MX29GL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-FBGA, CSP (7x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | Non volatile | 256Mbit | 110 n | FLASH | 32Mx8 | Parallelo | 110ns | ||||
 | MT53D1024M64D8NW-046 PESO ES:D | - | | 7492 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 432-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 432-VFBGA (15x15) | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | ||||||
 | 93LC66B-E/P | 0,5400 | | 840 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 93LC66 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 2 MHz | Non volatile | 4Kbit | EEPROM | 256×16 | Microfilo | 6 ms | ||||
 | AT49LV002N-12JC | - | | 7934 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | AT49LV002 | FLASH | 3 V ~ 3,6 V | 32-PLCC (13,97x11,43) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | AT49LV002N12JC | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Non volatile | 2Mbit | 120 n | FLASH | 256K×8 | Parallelo | 50 µs | |||
 | S29GL512T11FAIV20 | 9.3625 | | 3167 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-T | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL512 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | Non volatile | 512Mbit | 110 n | FLASH | 64Mx8 | Parallelo | 60ns | ||||
 | MT58L64L18FT-8.5TR | 9.1100 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatile | 1Mbit | 8,5 ns | SRAM | 64K×18 | Parallelo | - | ||||
| AT45DB321B-TC | - | | 3709 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | AT45DB321 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 156 | 20 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 528 byte x 8192 pagine | SPI | 14 ms | ||||
| 7132LA20PDGI | - | | 9735 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 48 DIP (0,600", 15,24 mm) | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-PDIP | - | 800-7132LA20PDGI | 1 | Volatile | 16Kbit | 20 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 20ns | |||||||||
| 16-1026012-01 | - | | 8793 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| 25AA020A-I/P | 0,5850 | | 4753 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 25AA020 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 MHz | Non volatile | 2Kbit | EEPROM | 256×8 | SPI | 5 ms | ||||
 | 71T75802S166PFG8 | 21.4595 | | 5047 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71T75802 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V~2.625 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,5 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||
 | MT53E384M32D2DS-053 AIT:E TR | 10.7700 | | 3771 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT53E384M32D2DS-053AIT:ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | - | - | |||
 | 71V3557S75BGI8 | - | | 9186 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V3557 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 4,5 Mbit | 7,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||
 | S29GL512S10FHSS33 | 8.8900 | | 6608 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 512Mbit | 100 n | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 60ns | ||||
 | NM93C56LZM8 | - | | 3005 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 93C56 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 95 | 250 chilocicli | Non volatile | 2Kbit | EEPROM | 128×16 | Microfilo | 15 ms | ||||
 | MT35XU256ABA2G12-0AUT | 10.5900 | | 871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT35XU256 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | Autobus Xccela | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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