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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29DW323DB5AN6FTR | - |  | 6350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29DW323 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 256Mbit | 55 ns | FLASH | 16Mx16 | Parallelo | 55ns | |||
| S99JL032J0160 | - | | 1556 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | F640BFHEPBTLHGA | - | | 5389 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,488", larghezza 12,40 mm) | F640B | FLASH - Blocco di avvio | - | 48-TSOP | - | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 50 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 70ns | |||||
 | IDT71V3556S166BQGI | - | | 1135 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IDT71V3556 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V3556S166BQGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 166 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
 | CY62147G18-55BVXI | 6.5450 | | 8659 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62147 | SRAM-Asincrono | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4.800 | Volatile | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 55ns | |||
 | 71V67803S166PFG8 | - | | 1930 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V67803 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,5 ns | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | ||
 | CY7C1270V18-375BZXC | - | | 3168 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1270 | SRAM: sincro, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | |||
 | DS1200S+ | 6.4800 | | 34 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | SRAM: sincronizzato | 4,5 V ~ 5,5 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 4 MHz | Volatile | 1Kbit | SRAM | 1K x 1 | I²C | - | ||||
| 7025L35GI/2703 | - | | 7716 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 84-BPGA | 7025L35 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PGA (27,94x27,94) | - | 800-7025L35GI/2703 | OBSOLETO | 1 | Volatile | 128Kbit | 35 ns | SRAM | 8K×16 | Parallelo | 35ns | ||||||
| SM662GBB-BDSS | - | | 1067 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-eMMC® | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | SM662 | FLASH-NAND (SLC), FLASH-NAND (TLC) | - | 153-BGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1984-SM662GBB-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 80Gbit | FLASH | 10G x 8 | eMMC | - | ||||
| M10162040054X0IWAR | 34.1348 | | 5041 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | M10162040054 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,71 V~2 V | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 800-M10162040054X0IWARTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 54 MHz | Non volatile | 16Mbit | RAM | 4M x 4 | - | - | |||
| 593913-S21-C | 62.5000 | | 9783 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-593913-S21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | W25Q32FVSSIF | - | | 9524 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | W25Q32 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | |||
| MT35XU256ABA1G12-0AAT TR | - | | 9397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT35XU256 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | Autobus Xccela | - | |||
 | W25N512GWPIR | - | | 8182 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25N512 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25N512GWPIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | Non volatile | 512Mbit | 7nn | FLASH | 64Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 700 µs | |
 | 70V9269L12PRF | - | | 2387 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 128-LQFP | 70V9269 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 3 V ~ 3,6 V | 128-TQFP (14x20) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volatile | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 16K×16 | Parallelo | - | |||
| CY15B116QSN-108BKXQ | 47.3879 | | 6475 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Excelon™-Ultra, F-RAM™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | FRAM (RAM ferroelettrica) | 1,8 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 480 | 108 MHz | Non volatile | 16Mbit | 6,7 ns | FRAM | 2Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||
| W25Q32JVZPSQ | - | | 2544 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25Q32 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x5) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25Q32JVZPSQ | 1 | 133 MHz | Non volatile | 32Mbit | 6 ns | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 3 ms | ||||
| W25Q32JWZPIG | - | | 4443 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25Q32 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 5 ms | |||
| GD25LE16EEIGR | 0,5678 | | 4022 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LE | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-USO (3x2) | scaricamento | 1970-GD25LE16EEIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 16Mbit | 6 ns | FLASH | 2Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| AS4C512M16D3LC-10BCN | 21.8600 | | 190 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1450-AS4C512M16D3LC-10BCN | 190 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||
| 70V09S20PFI8 | - | | 5457 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | - | 800-70V09S20PFI8TR | 1 | |||||||||||||||||||||
 | W25Q32FWXGIG TR | - | | 9875 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XDFN Tampone esposto | W25Q32 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-XSON (4x4) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60μs, 5ms | |||
 | AT24C01A-10SI-2.7C | - | | 7056 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AT24C01 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | AT24C01A-10SI2.7C | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 chilocicli | Non volatile | 1Kbit | 900 n | EEPROM | 128×8 | I²C | 5 ms | |
 | 24VL025T/MNY | 0,6900 | | 9471 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WFDFN Tampone esposto | 24VL025 | EEPROM | 1,5 V ~ 3,6 V | 8-TDFN (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 400 chilocicli | Non volatile | 2Kbit | 900 n | EEPROM | 256×8 | I²C | 5 ms | ||
| PC28F512P30EFA | 7.6500 | | 2397 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | Axcell™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | FLASH-NORE (MLC) | 1,7 V~2 V | 64-LBGA (11x13) | - | 3 (168 ore) | 1450-PC28F512P30EFA | 96 | 40 MHz | Non volatile | 512Mbit | 100 n | FLASH | 32Mx16 | CFI | - | ||||||
 | S29AL016J70TFI013 | 2.7600 | | 2357 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | AL-J | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | S29AL016 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 16Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx8, 1Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | 71V124HSA10PH | - | | 2739 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3,15 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 10ns | |||
 | 70V34L20PF | - | | 2443 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 70V34 | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 3 | Volatile | 72Kbit | 20 ns | SRAM | 4K×18 | Parallelo | 20ns | |||
 | IDT71V424S15YI8 | - | | 8151 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | IDT71V424 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 36-SOJ | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V424S15YI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Volatile | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 15ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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