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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W632GG6MB-08 | - |  | 1884 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-VFBGA (7,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 198 | Volatile | 2Gbit | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | - | |||||
 | IS25LX064-JHLA3-TR | 2.2957 | | 5169 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS25LX064 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LX064-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O ottale | - | |||
 | CY7C1350G-133BGXC | 6.4100 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NoBL™ | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | CY7C1350 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 47 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 4nn | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | Non verificato | ||||
 | 7025L15J8 | - | | 4984 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-LCC (conduttore J) | 7025L15 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volatile | 128Kbit | 15 ns | SRAM | 8K×16 | Parallelo | 15ns | ||||
 | CAT93C46UI | - | | 2017 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | CAT93C46 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | Non volatile | 1Kbit | EEPROM | 128×8, 64×16 | Microfilo | - | ||||
 | S25FL256SAGMFM000 | 9.7500 | | 29 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, FL-S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25FL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||
| 40060327 | - | | 4757 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | CY7C0851AV-167AXC | 174.7800 | | 468 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 176-LQFP | CY7C0851 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 3.135 V ~ 3.465 V | 176-TQFP (24x24) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 167 MHz | Volatile | 2Mbit | SRAM | 64K x 36 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
| IS61WV25616FALL-10TLI | 3.2472 | | 8981 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SRAM-Asincrono | 1,65 V ~ 2,2 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS61WV25616FALL-10TLI | 135 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | |||||||
 | IS25LQ080B-JBLE | - | | 3862 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | IS25LQ080 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1329 | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 1 ms | |||
 | S29GL512T11FHIV10 | 10.2300 | | 7985 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-T | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL512 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | Non volatile | 512Mbit | 110 n | FLASH | 64Mx8 | Parallelo | 60ns | ||||
| IS46TR16256B-107MBLA2 | 10.1514 | | 8628 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46TR16256B-107MBLA2 | 190 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | ||||||
| K6R4004C1D-JC10T00 | 3.5000 | | 239 | 0.00000000 | Samsung Semiconduttori, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | SRAM-Asincrono | 5 V | - | 3277-K6R4004C1D-JC10T00TR | EAR99 | 8542.32.0041 | 100 | Volatile | 4Mbit | SRAM | 1M x 4 | Parallelo | 10ns | Non verificato | |||||||||
 | IDT71V3579S85PFI8 | - | | 3860 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V3579 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V3579S85PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 4,5 Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | |||
 | CY7C1514AV18-167BZC | 138.4600 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1514 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | RoHS non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volatile | 72Mbit | SRAM | 2Mx36 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
| MT53E4D1BHJ-DC | 22.5000 | | 8794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | MT53E4 | - | REACH Inalterato | 557-MT53E4D1BHJ-DC | 1.360 | ||||||||||||||||||||
 | CY7C1019DV33-10BVXIT | 3.0450 | | 3042 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY7C1019 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 10ns | ||||
 | MT53E256M16D1FW-046 PESO:B TR | 7.4850 | | 5256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | 557-MT53E256M16D1FW-046WT:BTR | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 18ns | ||||||||
| R1QDA3618CBA-20IB0 | 23.6500 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | N25Q128A21BF840E | - | | 6945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q128A21 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||||
| PA28F800B5T-70 | 6.5000 | | 3 | 0.00000000 | Intel | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | FLASH-NOR | 5 V | 44-PSOP | - | 3277-PA28F800B5T-70 | EAR99 | 8542.32.0071 | 250 | Non volatile | 8Mbit | 70 ns | FLASH | Parallelo | 70ns | Non verificato | ||||||||
 | IS61LPD102418A-200B3I-TR | - | | 1074 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61LPD102418 | SRAM - Quad Port, sincronizzato | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-PBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||
 | S29GL064N90TFI070 | 6.8000 | | 8764 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-N | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | S29GL064 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2832-S29GL064N90TFI070 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64Mbit | 90 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 90ns | |||||
 | CYD09S72V18-200BGXI | - | | 8072 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 484-FBGA | CYD09S72 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 1,42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V | 484-PBGA (27x27) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 200 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,3 ns | SRAM | 128K×72 | Parallelo | - | |||
 | CY7C1387BV25-167AC | 22.6000 | | 105 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | CY7C1387 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 100-TQFP (14x20) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,4 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||
 | S29JL064J70BHI003 | 5.5298 | | 2983 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | JL-J | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | S29JL064 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8,15x6,15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | CY6264-55SNXI | - | | 4589 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | CY6264 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 270 | Volatile | 64Kbit | 55 ns | SRAM | 8K×8 | Parallelo | 55ns | ||||
| S70FS01GSAGBHM210 | - | | 6078 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Massa | Attivo | - | 2156-S70FS01GSAGBHM210 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E | 26.4750 | | 2373 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 93LC76C/WF15K | - | | 2178 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | 93LC76 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 3 MHz | Non volatile | 8Kbit | EEPROM | 1Kx8, 512x16 | Microfilo | 5 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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