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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S25FL256LDPBHB023 | 6.3525 |  | 2470 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | FL-L | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | S25FL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24 BGA (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||
 | IS25LE01G-RILE-TR | 11.3848 | | 2500 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-LBGA | FLASH-NORE (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V | 24-LFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS25LE01G-RILE-TR | 2.500 | 133 MHz | Non volatile | 1Gbit | 8 ns | FLASH | 128Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 50μs, 1ms | ||||||
 | IS46TR16256B-125KBLA1 | 8.4090 | | 5195 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR16256B-125KBLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | CY62136EV30LL-45ZSXIT | 4.8100 | | 6452 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY62136 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallelo | 45ns | ||||
| 71V016SA15BFG | 4.1765 | | 9020 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | 71V016 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 48-CABGA (7x7) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | Volatile | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 15ns | ||||
 | IS66WV51216EBLL-70BLI-TR | 2.5370 | | 8262 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS66WV51216 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 8Mbit | 70 ns | PSRAM | 512K x 16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | STK14D88-RF45TR | - | | 8210 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-BSSOP (0,295", larghezza 7,50 mm) | STK14D88 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Non volatile | 256Kbit | 45 ns | NVSRAM | 32K×8 | Parallelo | 45ns | ||||
 | CY7C12681KV18-400BZC | 57.7800 | | 138 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C12681 | SRAM: sincronizzato, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
 | S29AS016J70BFA043 | 2.1383 | | 1194 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | AS-J | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | S29AS016 | FLASH - Blocco di avvio | 1,65 V ~ 1,95 V | 48-FBGA (8,15x6,15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 16Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx8, 1Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
| S99-50280 | - | | 9731 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | - | Venditore non definito | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 71V65603S150BQGI8 | 28.5570 | | 9540 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71V65603 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 150 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,8 n | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||
 | CY7C1426JV18-300BZCES | - | | 4189 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1426 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 300 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 4M x 9 | Parallelo | - | ||||
| GD25WQ64ETIGY | 0,8564 | | 1444 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25WQ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | - | 1970-GD25WQ64ETIGY | 4.320 | 104 MHz | Non volatile | 64Mbit | 12 ns | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 120 µs, 4 ms | ||||||||
 | MT29F256G08EFEBBWP:B | - | | 6333 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F256G08 | FLASH NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||||
| 7008S12PFI8 | - | | 9296 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7008S12PFI8TR | 1 | Volatile | 512Kbit | 12 ns | SRAM | 64K×8 | Parallelo | 12ns | |||||||||
 | AT27BV010-90TI | - | | 1637 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | AT27BV010 | EPROM-OTP | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 32-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | AT27BV01090TI | EAR99 | 8542.32.0061 | 156 | Non volatile | 1Mbit | 90 ns | EPROM | 128K×8 | Parallelo | - | |||
 | IS49NLS96400-25BL | - | | 8691 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatile | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 64Mx9 | Parallelo | - | |||
 | LE25S161PCTXG | - | | 3564 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 90°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | LE25S161 | FLASH | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-UDFN (4x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 70 MHz | Non volatile | 16Mbit | FLASH | 2Mx8 | SPI | 700 µs | ||||
 | CY7C195-15VCT | 3.1200 | | 27 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-BSOJ (0,300", larghezza 7,62 mm) | CY7C195 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-SOJ | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 256Kbit | 15 ns | SRAM | 64K×4 | Parallelo | 15ns | ||||
 | W25Q128FVFJQ TR | - | | 7562 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | W25Q128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | W25Q128FVFJQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 104 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | |||
 | AT29C256-12TI | - | | 4474 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | AT29C256 | FLASH | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | AT29C25612TI | EAR99 | 8542.32.0071 | 234 | Non volatile | 256Kbit | 120 n | FLASH | 32K×8 | Parallelo | 10 ms | Non verificato | ||
 | CY62157G30-45BVXI | 11.7000 | | 1199 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | CY62157 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallelo | 45ns | ||||
 | S25FL064LABNFM040 | 4.2000 | | 465 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | FL-L | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | S25FL064 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (4x4) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | IS42VM16400K-6BLI | - | | 6144 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42VM16400 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | |||
| UPD44325362BF5-E40X-FQ1-A | 57.0300 | | 634 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IDT71V3558S100PFI8 | - | | 9184 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V3558 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V3558S100PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 100 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 5 nn | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | ||
| MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR | - | | 5490 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | MT29VZZZAD8 | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | AS4C512M8D3A-12BANTR | - | | 1039 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | AS4C512 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-FBGA (9x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
 | M24C08-WBN6P | - | | 1438 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | M24C08 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 chilocicli | Non volatile | 8Kbit | 900 n | EEPROM | 1K x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | NV25640DTHFT3G | 0,8300 | | 8490 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | NV25640 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 10 MHz | Non volatile | 64Kbit | 40 ns | EEPROM | 8K×8 | SPI | 4 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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