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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT28BV64B-20TI | - |  | 3476 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | AT28BV64 | EEPROM | 2,7 V ~ 3,6 V | 28-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 234 | Non volatile | 64Kbit | 200 n | EEPROM | 8K×8 | Parallelo | 10 ms | ||||
 | S25FL128SDPMFV010 | 3.4475 | | 6660 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | FL-S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25FL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.400 | 66 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||
 | 71V2556S100PFG8 | 7.4983 | | 1142 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V2556 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 100 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 5 nn | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||
 | MT28F400B3WG-8 TETT | - | | 9304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F400B3 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 80ns | ||||
 | M29W128FL70N6F TR | - | | 3711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.200 | Non volatile | 128Mbit | 70 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | MT53E1G32D4NQ-046 PESO:E TR | - | | 6086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53E1G32 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||||||||
 | CYD02S36VA-167BBXC | - | | 3270 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 256-LBGA | CYD02S36 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 1,7 V ~ 1,9 V | 256-FBGA (17x17) | - | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 167 MHz | Volatile | 2Mbit | 4,4 ns | SRAM | 64K x 36 | Parallelo | - | |||
 | 93LC86BT-E/SN | 0,6450 | | 7433 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 93LC86 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 3 MHz | Non volatile | 16Kbit | EEPROM | 1K x 16 | Microfilo | 5 ms | ||||
 | 5962-9161703MXA | - | | 6946 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 84-BPGA | 5962-9161703 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PGA (27,94x27,94) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-9161703MXA | OBSOLETO | 3 | Volatile | 128Kbit | 55 ns | SRAM | 8K×16 | Parallelo | 55ns | ||||
 | 24LC01B-E/ST | 0,4050 | | 3511 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | 24LC01 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 chilocicli | Non volatile | 1Kbit | 3,5 µs | EEPROM | 128×8 | I²C | 5 ms | |||
 | 70V657S12DRI | - | | 6133 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 208-BFQFP | 70V657 | SRAM: doppia porta, asincrona | 3,15 V ~ 3,45 V | 208-PQFP (28x28) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | Volatile | 1.125Mbit | 12 ns | SRAM | 32K x 36 | Parallelo | 12ns | ||||
 | IS61DDP2B22M36A-400M3L | 100.1770 | | 2518 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61DDP2 | SRAM: sincro, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volatile | 72Mbit | SRAM | 2Mx36 | Parallelo | - | ||||
 | AT49LV002N-12PI | - | | 5142 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Foro passante | 32 DIP (0,600", 15,24 mm) | AT49LV002 | FLASH | 3 V ~ 3,6 V | 32-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | AT49LV002N12PI | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 | Non volatile | 2Mbit | 120 n | FLASH | 256K×8 | Parallelo | 50 µs | |||
 | GD25LQ64CSIGR | 1.4100 | | 19 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | GD25LQ64 | FLASH-NOR | 1,65 V~2 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 120 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 2,4 ms | ||||
 | CY7C199C-12ZC | 0,7100 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Borsa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | CY7C199 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | EAR99 | 8542.32.0041 | 423 | Volatile | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 12ns | Non verificato | |||||
 | AT24C21-10PC-2.5 | - | | 2231 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | AT24C21 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 100 chilocicli | Non volatile | 1Kbit | 3,5 µs | EEPROM | 128×8 | I²C | 10 ms | |||
 | S29GL256P10FFI022 | 9.1700 | | 9018 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-P | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 400 | Non volatile | 256Mbit | 100 n | FLASH | 32Mx8 | Parallelo | 100ns | ||||
 | AT45DB041B-CC-2.5 | - | | 9310 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Montaggio superficiale | 14-LBGA, CSPBGA | AT45DB041 | FLASH | 2,5 V ~ 3,6 V | 14-CBGA (4,5x7) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 325 | 15 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 264 byte x 2048 pagine | SPI | 14 ms | ||||
 | S25FL128SAGNFM003 | 6.2300 | | 5061 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, FL-S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | S25FL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||
 | 71V632S7PFI | - | | 6094 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V632 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatile | 2Mbit | 7nn | SRAM | 64K x 32 | Parallelo | - | |||
 | AM27S281APC | 5.5800 | | 212 | 0.00000000 | Microdispositivi avanzati | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 75°C (TA) | Foro passante | 24 DIP (0,300", 7,62 mm) | AM27S281A | - | 4,75 V ~ 5,25 V | 24-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 8Kbit | 35 ns | BALLO STUDENTESCO | 1K x 8 | Parallelo | - | ||||
| 24LC32A-I/SN | 0,5000 | | 694 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 24LC32A | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 chilocicli | Non volatile | 32Kbit | 900 n | EEPROM | 4K×8 | I²C | 5 ms | |||
 | IS45S16400F-7TLA1 | - | | 3736 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | |||
| MTFC128GAOAMEA-WT ES | - | | 1754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Interrotto alla SIC | -25°C ~ 85°C (TA) | - | - | MTFC128 | FLASH-NAND | - | - | - | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | MMC | - | |||||||
 | CY7C1426JV18-300BZC | - | | 8164 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1426 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 102 | 300 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 4M x 9 | Parallelo | - | ||||
 | IDT71V35761S200BQI8 | - | | 9093 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IDT71V35761 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V35761S200BQI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
 | AS7C1026B-20JCN | 3.6256 | | 3307 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | AS7C1026 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 20ns | ||||
 | AT93C46-10SU-1.8 | - | | 3365 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 93C46 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | Non volatile | 1Kbit | EEPROM | 128×8, 64×16 | Seriale a 3 fili | 10 ms | ||||
 | 93LC66BT-I/MNY | 0,4050 | | 9784 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WFDFN Tampone esposto | 93LC66 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TDFN (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 2 MHz | Non volatile | 4Kbit | EEPROM | 256×16 | Microfilo | 6 ms | ||||
 | 7134SA70P | - | | 2791 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 48 DIP (0,600", 15,24 mm) | 7134SA | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 7 | Volatile | 32Kbit | 70 ns | SRAM | 4K×8 | Parallelo | 70ns |
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Unità di prodotto standard
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