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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FOD260LSDV | 2.9100 |  | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | FOD260 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10Mbps | 22ns, 3ns | 1,4 V | 50mA | 5000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 90ns, 75ns | |||||||||||||||
 | MOC3033TM | - | | 6368 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC303 | UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3033TM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V | 60 mA | 4170Vrm | 250 V | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||
 | TLP185(E) | - | | 8142 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | PS2761-1-A | - | | 7261 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SOP (2,54 mm) | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||
 | MOC3010FR2M | - | | 7459 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC301 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3010FR2M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 60 mA | 7500Vpk | 250 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 15 mA | - | ||||||||||||||||
 | FOD852300W | - | | 8528 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150mA | 100 µs, 20 µs | 300 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | 15000% a 1 mA | - | 1,2 V | |||||||||||||||||||
 | OPIA6010ATRA | - | | 6535 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 4μs | 60 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 60% a 1 mA | 600% a 1 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||
| PC3H4AJ0001B | - | | 9549 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -30°C~100°C | - | - | CA, CC | 1 | Transistor | - | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | - | - | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | HCNW137-000E | 3.1900 | | 8733 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | HCNW137 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 50 mA | 10 MBd | 24ns, 10ns | 1,64 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| TLP781F(D4GRT7TC,F | - | | 1622 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4GRT7TCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | 4N46#560 | - | | 1255 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N46 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 20 V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 200% a 10 mA | 1000% a 10 mA | 5 µs, 150 µs | - | |||||||||||||||
 | H11A5S | - | | 5402 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | H11AX | Borsa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | H11A5SLT | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150mA | 2,8 µs, 4,5 µs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 30% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | 4N36VM | - | | 3370 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N36 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N36VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP3914(TP15,F) | 3.9600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, conduttori piatti | TLP3914 | DC | 1 | Fotovoltaico | 4-SSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 20μA | - | 7V | 1,3 V | 30 mA | 1500 Vrm | - | - | 300 µs, 600 µs | - | ||||||||||||||||
| H11A3300 | - | | 3936 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11A3300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||
 | HCNW2601#300 | 2.5241 | | 1457 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCNW2601 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 50 mA | 10 MBd | 24ns, 10ns | 1,64 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| MOC81113S | - | | 5793 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC811 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC81113S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 11μs | 70 V | 1,15 V | 90 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 3μs, 18μs | 400mV | |||||||||||||||
| VOT8125AD | 1.1800 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | VOT8125 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 751-VOT8125AD | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | PC702V0YSZX | - | | 3043 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1412-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,4 V | 60 mA | 5000 Vrm | - | - | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | PC817XI | - | | 9647 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1455-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | PS8302L-V-E3-AX | 4.2000 | | 8791 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | PS8302 | DC | 1 | Transistor | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 8mA | - | 35 V | 1,6 V | 25 mA | 5000 Vrm | 15% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||
 | FOD270L | - | | 6494 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | FOD270 | DC | 1 | Darlington con base | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 7V | 1,35 V | 20 mA | 5000 Vrm | 400% a 500μA | 7000% a 500μA | 3μs, 50μs | - | ||||||||||||||||
| TIL111 | - | | 2196 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TIL111 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2mA | 10μs, 10μs (massimo) | 30 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | - | - | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | PC81105NSZ0F | 0,2000 | | 5 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | PC8110xNSZOF | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | PC8110 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Non applicabile | 425-2170-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 30mA | 3μs, 2μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | - | - | 2μs, 23μs | 350mV | ||||||||||||||||
| 5962-0822701HYA | 106.6332 | | 5270 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | Giunto di testa 8-SMD | 5962-0822701 | DC | 1 | Darlington | Giunto di testa a 8 DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 6μs | - | |||||||||||||||
| H11AA4 | - | | 9840 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | TLP2662(D4-TP1,F) | 1.8800 | | 5134 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP2662 | DC | 2 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 mA | 10 MBd | 12ns, 3ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 2/0 | 20kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | QTT1213ST1 | 3.0600 | | 1939 | 0.00000000 | QT Brightek (QTB) | QTX213 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD (7 conduttori), Ala di gabbiano | QTT1213 | UL, VDE | 1 | Triac, Potenza | 7-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 600 mA | 25 mA | SÌ | 200 V/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
 | FOD2742CR2V | - | | 7100 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | - | 70 V | 1,2 V | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||
 | PS9113-F3-A | - | | 3729 | 0.00000000 | CEL | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V~20 V | 5-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | PS9113TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,65 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 750ns, 500ns |
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