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Optoisolatori(15749)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Tempo di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
CNY171300W	-	Richiesta di offerta	5018	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)	CNY171	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	CNY171300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		1μs, 2μs	70 V	1,35 V	100 mA	5300 Vrm							40% a 10 mA	80% a 10 mA	2μs, 3μs	300mV
TLP184(GB,E)	-	Richiesta di offerta	9774	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP184	CA, CC		1	Transistor		6-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	125	50mA		5μs, 9μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm							100% a 5 mA	400% a 5 mA	9μs, 9μs	300mV
MOC8104S	-	Richiesta di offerta	8681	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC810	DC		1	Transistor		6-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC8104S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		1μs, 2μs	30 V	1,15 V	100 mA	5300 Vrm							160% a 10 mA	256% a 10 mA	2μs, 3μs	400mV
MCT9001W	-	Richiesta di offerta	9652	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,400", 10,16 mm)	MCT9	DC		2	Transistor		8-MDIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MCT9001W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	30mA		2,4 µs, 2,4 µs	55 V	1 V	60 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
4N31-V	-	Richiesta di offerta	7756	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Darlington con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3907150040	EAR99	8541.49.8000	65	-		-	55 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							50% a 10 mA	-	5 µs, 40 µs (massimo)	1,2 V
HCPL-0201-500E	3.5100	Richiesta di offerta	6379	Broadcom limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HCPL-0201	DC		1	Push-pull, totem	4,5 V~20 V	8-SO Alto	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.500	25 mA	5 MBd	30ns, 7ns		1,5 V	10mA	3750 Vrm				1/0	1kV/μs	300ns, 300ns
H11N2300	-	Richiesta di offerta	4705	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	H11N	DC		1	Collettore aperto	-	6-DIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	5 MHz	-		1,4 V	5mA	7500 Vrm				1/0	-	330ns, 330ns
TLP532(FANUC1,F)	-	Richiesta di offerta	9186	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Obsoleto				TLP532							-		1 (illimitato)		264-TLP532(FANUC1F)	EAR99	8541.49.8000	50
MOC3011SR2M	0,9400	Richiesta di offerta	5	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC301		UL	1	Triac		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000					1,15 V	60 mA	4170Vrm	250 V		100μA (suggerimento)								NO	-	10mA	-
4N27VM	-	Richiesta di offerta	5973	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	4N27	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	4N27VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	30 V	1,18 V	60 mA	4170Vrm							10% a 10 mA	-	2μs, 2μs	500mV
TLP531(BL,F)	-	Richiesta di offerta	1240	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Obsoleto				TLP531							-		1 (illimitato)		264-TLP531(BLF)	EAR99	8541.49.8000	50
PS2915-1-F3	-	Richiesta di offerta	1702	CEL	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, conduttori piatti		CA, CC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.49.8000	3.500	40mA		5μs, 10μs	40 V	1,1 V	50 mA	2500 Vrm							100% a 1 mA	400% a 1 mA	40 µs, 120 µs	300mV
CNY172300	-	Richiesta di offerta	1386	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	CNY172	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		1μs, 2μs	70 V	1,35 V	100 mA	5300 Vrm							63% a 10 mA	125% a 10 mA	2μs, 3μs	300mV
ELW137S(TA)-V	2.0392	Richiesta di offerta	4380	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	ELW137	DC		1	Collettore aperto	7V	8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		C180000033	EAR99	8541.49.8000	500	50 mA	10Mbps	40ns, 10ns		1,4 V	50mA	5000 Vrm				1/0	-	100ns, 100ns
MOC3011FVM	-	Richiesta di offerta	8920	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC301		-	1	Triac		6-SMD	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC3011FVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000					-	60 mA	7500Vpk	250 V		100μA (suggerimento)								NO	-	10mA	-
H11AA814A3S	-	Richiesta di offerta	7712	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	H11A	CA, CC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	H11AA814A3S-NDR	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2,4 µs, 2,4 µs	70 V	1,2 V	50 mA	5300 Vrm							50% a 1 mA	150% a 1 mA	-	200mV
CNY17F33SD	-	Richiesta di offerta	1999	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17	DC		1	Transistor		6-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	CNY17F33SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		1μs, 2μs	70 V	1,35 V	100 mA	5300 Vrm							100% a 10 mA	200% a 10 mA	2μs, 3μs	300mV
LOC110S	3.3500	Richiesta di offerta	547	Divisione Circuiti Integrati IXYS	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	LOC110	DC		1	Fotovoltaico, Linearizzato		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	-		-	-	1,2 V		3750 Vrm							-	-	-	-
4N28TVM	0,3256	Richiesta di offerta	3063	onsemi	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)	4N28	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	30 V	1,18 V	60 mA	4170Vrm							10% a 10 mA	-	2μs, 2μs	500mV
CNY17-4	0,5000	Richiesta di offerta	9	Lite-On Inc.	CNY17	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	CNY17	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		160-1314-5	EAR99	8541.49.8000	65	150mA		5μs, 5μs	70 V	1,45 V	60 mA	5000 Vrm							160% a 10 mA	320% a 10 mA	-	300mV
PS2832-1-F3-A	-	Richiesta di offerta	6031	CEL	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		DC		1	Darlington		4-SOP	scaricamento		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.49.8000	3.500	60mA		20 µs, 5 µs	300 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm							400% a 1 mA	4500% a 1 mA	-	1 V
PS2801C-1-A	2.4000	Richiesta di offerta	17	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Striscia	Design non per nuovi	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	PS2801	DC		1	Transistor		4-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	30mA		5μs, 7μs	80 V	1,2 V	30 mA	2500 Vrm							50% a 5 mA	400% a 5 mA	10μs, 7μs	300mV
2030907-1	241.0200	Richiesta di offerta	4228	Connettori AMP di TE Connectivity	*	Massa	Attivo				2030907							-		Non applicabile			EAR99	8207.30.6062	1
PS2561DL1-1Y-VA	-	Richiesta di offerta	2344	CEL	NEPOC	Massa	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	50mA		3μs, 5μs	80 V	1,2 V	40 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	400% a 5 mA	-	300mV
MOC3043FR2M	-	Richiesta di offerta	6240	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC304		-	1	Triac		6-SMD	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC3043FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000					-	60 mA	7500Vpk	400 V		400μA (suggerimento)								SÌ	-	5mA	-
HCPL-7720	4.6282	Richiesta di offerta	7467	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	HCPL-7720	Logica		1	Push-pull, totem	4,5 V ~ 5,5 V	8-DIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	516-1112-5	EAR99	8541.49.8000	50	10 mA	25 MBd	9ns, 8ns		-	-	3750 Vrm				1/0	10 kV/μs	40ns, 40ns
CNC1S171S	-	Richiesta di offerta	4573	Componenti elettronici Panasonic	-	Tubo	Obsoleto	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	CNC1S171	DC		1	Transistor		-	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,35 V	50 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
LTV-826S-TA	0,1472	Richiesta di offerta	4394	Lite-On Inc.	LTV-826	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	LTV-826	DC		2	Transistor		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		LTV826STA	EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
HCPL-063N	13.6600	Richiesta di offerta	890	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HCPL-063	DC		2	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	8-SO Alto	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	50 mA	10 MBd	42ns, 12ns		1,3 V	10mA	3750 Vrm				2/0	15 kV/μs	100ns, 100ns
PC3SD11NXZDF	-	Richiesta di offerta	9739	Microelettronica Sharp	-	Tubo	Obsoleto	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD	PC3SD11		CSA, UR	1	Triac		6-SMD	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	50					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA								NO	1kV/μs	-	100μs (massimo)