Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Optoisolatori(15749)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Tempo di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
EL1110(TB)	-	Richiesta di offerta	4360	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori	EL1110	DC		1	Transistor con base		5-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,5 V (massimo)	60 mA	5000 Vrm						50% a 5 mA	600% a 5 mA	4μs, 3μs	400mV
ILD1211T	-	Richiesta di offerta	3227	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	-	-	ILD1211	-			-		-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	-		-	-	-		-						-	-	-	-
4N25VM	0,7200	Richiesta di offerta	13	onsemi	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	4N25	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	30 V	1,18 V	60 mA	4170Vrm						20% a 10 mA	-	2μs, 2μs	500mV
4N293S	-	Richiesta di offerta	4334	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	4N29	DC		1	Darlington con base		6-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	4N293S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	150mA		-	30 V	1,2 V	80 mA	5300 Vrm						100% a 10 mA	-	5 µs, 40 µs (massimo)	1 V
171 milioni di yuan	-	Richiesta di offerta	8952	Semiconduttore Fairchild	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	CNY171	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento					EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		4μs, 3,5μs (massimo)	70 V	1,35 V	60 mA	4170Vrm						40% a 10 mA	80% a 10 mA	2μs, 3μs	400mV
MOC3041FVM	-	Richiesta di offerta	9618	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC304		-	1	Triac		6-SMD	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC3041FVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000					-	60 mA	7500Vpk	400 V	400μA (suggerimento)								SÌ	-	15 mA	-
6N138V	-	Richiesta di offerta	8948	onsemi	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	6N138	DC		1	Darlington con base		8-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	60mA		-	7V	1,3 V	20 mA	2500 Vrm						300% a 1,6 mA	-	1,5 µs, 7 µs	-
TLP292(BL-TPL,E	0,5600	Richiesta di offerta	307	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm)	TLP292	CA, CC		1	Transistor		4-SO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.500	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm						200% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
TLP184(GB,E)	-	Richiesta di offerta	9774	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP184	CA, CC		1	Transistor		6-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	125	50mA		5μs, 9μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm						100% a 5 mA	400% a 5 mA	9μs, 9μs	300mV
PS2806-1-A	-	Richiesta di offerta	5961	CEL	NEPOC	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		CA, CC		1	Darlington		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.49.8000	100	90 mA		200 µs, 200 µs	40 V	1,1 V	50 mA	2500 Vrm						200% a 1 mA	-	-	1 V
PS2561L-1-A	-	Richiesta di offerta	2689	CEL	NEPOC	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.49.8000	100	50mA		3μs, 5μs	80 V	1,17 V	80 mA	5000 Vrm						80% a 5 mA	400% a 5 mA	-	300mV
HCPL2630S	3.2700	Richiesta di offerta	5812	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	HCPL2630	DC		2	Collettore aperto	4,5 V ~ 5,5 V	8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,4 V	30mA	2500 Vrm			2/0	10 kV/μs (tip.)	75ns, 75ns
HCPL-0201-500E	3.5100	Richiesta di offerta	6379	Broadcom limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HCPL-0201	DC		1	Push-pull, totem	4,5 V~20 V	8-SO Alto	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.500	25 mA	5 MBd	30ns, 7ns		1,5 V	10mA	3750 Vrm			1/0	1kV/μs	300ns, 300ns
H11N2300	-	Richiesta di offerta	4705	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	H11N	DC		1	Collettore aperto	-	6-DIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	5 MHz	-		1,4 V	5mA	7500 Vrm			1/0	-	330ns, 330ns
MOC3021TM	-	Richiesta di offerta	8489	Semiconduttore Fairchild	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)	MOC302		UL	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.49.8000	1.000					1,15 V	60 mA	4170Vrm	400 V	100μA (suggerimento)								NO	-	15 mA	-
H11AA2-V	-	Richiesta di offerta	4001	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	H11AA	CA, CC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3907171224	EAR99	8541.49.8000	65	-		10μs, 10μs (massimo)	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm						10% a 10 mA	-	10μs, 10μs (massimo)	400mV
LTV-824H	-	Richiesta di offerta	1678	Lite-On Inc.	-	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	LTV-824	CA, CC		2	Transistor		8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	50	80 mA		4μs, 3μs	35 V	1,4 V	150 mA	5000 Vrm						20% a 100 mA	80% a 100 mA	-	200mV
MCT6SD	1.1500	Richiesta di offerta	6	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	MCT6	DC		2	Transistor		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	30mA		-	30 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm						20% a 10 mA	-	2,4 µs, 2,4 µs	400mV
H11A817BW	-	Richiesta di offerta	4041	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	H11A	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	H11A817BW-NDR	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2,4 µs, 2,4 µs	70 V	1,2 V	50 mA	5300 Vrm						130% a 5 mA	260% a 5 mA	-	200mV
MOC8030-M	-	Richiesta di offerta	6166	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	MOC803	DC		1	Darlington		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC8030-MQT	EAR99	8541.49.8000	50	150mA		-	80 V	-	60 mA	5300 Vrm						300% a 10 mA	-	-	-
LTV-847S-TA1	-	Richiesta di offerta	3744	Lite-On Inc.	LTV-8x7	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-30°C~110°C	Montaggio superficiale	16-SMD, Ala di gabbiano	LTV-847	DC		4	Transistor		16-SMD	scaricamento		1 (illimitato)		LTV847STA1	EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		4μs, 3μs	35 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm						50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
CNX35U300	-	Richiesta di offerta	4996	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	CNX35	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	CNX35U300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	100mA		-	30 V	1,15 V	100 mA	5300 Vrm						40% a 10 mA	160% a 10 mA	20μs, 20μs	400mV
MCT2W	-	Richiesta di offerta	8577	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)	MCT2	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MCT2W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		-	30 V	1,25 V	100 mA	5300 Vrm						20% a 10 mA	-	1,1 µs, 50 µs	400mV
MCT2VM	-	Richiesta di offerta	2424	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	MCT2	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MCT2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		2μs, 1,5μs	30 V	1,25 V	60 mA	7500Vpk						20% a 10 mA	-	2μs, 2μs	400mV
H11B8153S	-	Richiesta di offerta	9253	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	H11B	DC		1	Darlington		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	H11B8153S-NDR	EAR99	8541.49.8000	2.000	80 mA		300 µs, 250 µs (massimo)	35 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm						600% a 1 mA	7500% a 1 mA	-	1 V
CNY17-4S-TA1	0,5600	Richiesta di offerta	6	Lite-On Inc.	CNY17	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17	DC		1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000	150mA		5μs, 5μs	70 V	1,45 V	60 mA	5000 Vrm						160% a 10 mA	320% a 10 mA	-	300mV
4N38	0,6300	Richiesta di offerta	1	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	4N38	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	50	50mA		-	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm						20% a 20 mA	-	10μs, 10μs	-
HCPL-4562#320	-	Richiesta di offerta	5789	Broadcom limitata	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	8mA		-	20 V	1,3 V	12 mA	5000 Vrm						-	-	-	-
TLP161G(IFT7,U,C,F	-	Richiesta di offerta	8697	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				TLP161							-		1 (illimitato)		264-TLP161G(IFT7UCFTR	EAR99	8541.49.8000	3.000
HMHA2801R2	0,7500	Richiesta di offerta	20	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	HMHA2801	DC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.500	50mA		3μs, 3μs	80 V	1,3 V (massimo)	50 mA	3750 Vrm						80% a 5 mA	600% a 5 mA	-	300mV