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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H11D1-X007 | 0,6576 |  | 1458 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 100mA | 2,5 µs, 5,5 µs | 300 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 5μs, 6μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | MCT2713SD | - | | 2762 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MCT2 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT2713SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 100 mA | 5300 Vrm | 45% a 10 mA | 90% a 10 mA | 1μs, 48μs | 400mV | |||||||||||||||
| 4N37SR2M | 0,7200 | | 16 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N37 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 300mV | |||||||||||||||
 | PS2501L-1-E3-A | - | | 3201 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | PC900V0NIZXF | - | | 2944 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Collettore aperto | 3V~15V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 425-2203-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | - | 100 n., 50 n | 1,1 V | 50mA | 5000 Vrm | 1/0 | - | 6μs, 3μs | |||||||||||||||||
 | MCT2200 | - | | 9647 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MCT2 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT2200-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 100 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2561DL-1Y-VWA | - | | 6114 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1335 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,2 V | 40 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | FOD2742AR1V | - | | 1243 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 10 | 50mA | - | 70 V | 1,2 V | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||||
 | PS2811-1-KA | - | | 4360 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2811 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1519 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 200% a 1 mA | 400% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
| VOT8025AG | 0,4137 | | 7649 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Foro passante | 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori | VOT8025 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 751-VOT8025AG | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | HCPL-2530#300 | - | | 5224 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 1,3μs | - | ||||||||||||||||
| EL357NE(TB)-VG | - | | 2078 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL357 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | MOC8102X | 0,6200 | | 6503 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC8102 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mA | 2μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 73% a 10 mA | 117% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
| EL816S1(I)(TU)-V | 0,1337 | | 9070 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | EL816 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | - | 1080-EL816S1(I)(TU)-VTR | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
| ELT3021M-V | 0,5989 | | 9397 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | ELT3021 | cUL, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C120000081 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,18 V | 60 mA | 5000 Vrm | 400 V | 250 µA (sugger.) | NO | 100 V/μs (punta) | 15 mA | - | ||||||||||||||||
| MOC5007SR2VM | - | | 8696 | 0.00000000 | onsemi | GlobalOptoisolator™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC500 | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 1 megahertz | - | - | 1,6 mA | 7500Vpk | 1/0 | - | - | |||||||||||||||
| H11D4SD | - | | 9613 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11D | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11D4SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 200 V | 1,15 V | 80 mA | 5300 Vrm | 10% a 10 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | |||||||||||||||
 | HCNW137-000E | 3.1900 | | 8733 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | HCNW137 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 50 mA | 10 MBd | 24ns, 10ns | 1,64 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | HCPL-263N#020 | 5.3765 | | 7889 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-263 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 10 MBd | 42ns, 12ns | 1,3 V | 10mA | 5000 Vrm | 2/0 | 15 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| MOC8100FM | - | | 2130 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC810 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8100FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 2μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 7500Vpk | 30% a 1 mA | - | 20μs, 20μs (massimo) | 500mV | |||||||||||||||
| MOC3081SM | - | | 7433 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC308 | UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 800 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||||
| HCPL-2400 | 4.8606 | | 5667 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-2400 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,75 V ~ 5,25 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 40MBd | 20ns, 10ns | 1,3 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
| MOC8102-X009 | 1.4200 | | 3 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC8102 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 2μs | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 73% a 10 mA | 117% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC3062SR2VM | 1.2200 | | 945 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | 17-4 milioni di yuan | 0,1200 | | 9885 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | CNY17 | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 174 milioni di yuan | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150mA | 5μs, 5μs | 70 V | 1,45 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
| H11F2W | - | | 2713 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11F | DC | 1 | MOSFET | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11F2W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | - | - | 25 µs, 25 µs (massimo) | - | |||||||||||||||
 | PS9817-1-F3-A | - | | 5115 | 0.00000000 | CEL | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SSOP | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | PS9817-1TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1,65 V | 20 mA | 2500 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | PC123F2J000F | - | | 9545 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 250% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
| TLP785(TELS,F | - | | 7019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(TELSF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| IL420-X007T | - | | 8714 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | IL420 | CQC, CSA, cUR, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,16 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300mA | 500μA | NO | 10 kV/μs | 2mA | 35 µs |
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